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[发明专利]一种结盐试井分析方法、装置、系统以及存储介质-CN202310587966.9在审
发明人：任众鑫;苏海波;朱子恒;田灿;张宏;王健;朱彦伟;郝敏;王元刚 -专利权人：国家石油天然气管网集团有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种结盐试井分析方法、装置、系统以及存储介质，属于油气开发领域，方法包括：对环境参数、水组分参数以及天然气参数进行闪蒸计算得到待处理气液相参数；通过水组分参数、环境参数、天然气参数、盐组分参数和待处理气液相参数构建分析模型；通过分析模型对井底压力数据进行拟合反演得到结盐试井的分析结果。本发明相比于常规试井分析方法，本发明综合考虑了矿化度对相态以及流体性质的影响，考虑了结盐对储层渗透率及孔隙度的影响，同时，也为结盐评价提供理论支撑和技术保障，在高矿化度的气藏及储气库储层参数评价及结盐状况的动态预测领域有广阔的应用前景。
一种结盐试井分析方法装置系统以及存储介质

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN201911231606.5有效
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;周幸叶;宋旭波;梁士雄;谭鑫;冯志红;马春雷;徐森峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备阳极金属层；在制备了阳极金属层的n型氧化镓层上制备掩膜层；其中，所述掩膜层具有倾斜的侧壁，所述侧壁的上边缘在所述阳极金属层上的投影位于所述阳极金属层的区域内或与所述阳极金属层的边缘重合；对器件正面进行干法刻蚀，直至阳极金属层对应区域以外的掩膜层去除，在所述n型氧化镓层形成内边缘和阳极金属层的边缘重合的斜面结构；去除器件表面残留的掩膜层，对器件正面进行高温退火处理，在n型氧化层中形成热氧化处理区；制备阴极金属层。采用上述制备方法可以提高制备的器件的击穿电压。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种结盐试井产能评价方法、装置、系统以及存储介质-CN202310590477.9在审
发明人：任众鑫;王多才;王海峰;张平;朱子恒;朱彦伟;郝敏;王元刚;郭海涛 -专利权人：国家石油天然气管网集团有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结盐试井产能评价方法、装置、系统以及存储介质，属于油气开发领域，方法包括：导入环境参数、水组分参数、天然气参数以及盐组分参数，通过环境参数、水组分参数以及天然气参数计算得到待处理气相参数；通过水组分参数、环境参数、天然气参数、盐组分参数以及待处理气液相参数的盐量分析得到单位孔隙体积析出盐量。本发明相比于常规试井分析方法，本发明充分考虑了结盐对储层物性以及流体性质的影响，改善了对于结盐气井的适用性，可以应用于结盐气井的产能评价预测，为气井合理产能评价及生产制度措施调整提供依据。
一种结盐试井产能评价方法装置系统以及存储介质

[发明专利]一种基于公理模糊集和无梯度优化的可解释分类算法-CN202310635682.2在审
发明人： 王元刚;董晶帅 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F18/24 文献下载
摘要：一种基于公理模糊集和无梯度优化的可解释分类算法，属于深度学习模型技术领域。该算法包括以下步骤：（1）使用公理模糊集(AFS)理论在数据特征上定义简单概念，结合高斯函数构建基于公理模糊集的结构框架；（2）使用无梯度优化算法(RACOS)和训练错误率设计适应度函数；使用AFS逻辑运算将适应度函数结合成为类别的语义描述，生成对类别的模糊描述；（3）通过对应的权重函数、AFS结构、对于属于每个类别的隶属度可通过式计算确定测试样本的类别标签。针对不同适应度函数，设计解释性向量与备选复杂概念之间对应的编解码机制；将得到的最优复杂概念与AFS逻辑运算相结合，确认样本的类标签并给出类别的简洁描述，该算法具有良好的分类性能和可解释性。
一种基于公理模糊梯度优化可解释分类算法

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349131.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及相关器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面生长保护层；在保护层的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活第一离子；在保护层的正面的第二预设区域进行第二离子注入，第二预设区域与第一预设区域不重合；在保护层的正面键合临时载片，去除氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在氮化镓外延层的背面键合金刚石，并去除临时载片，露出保护层的正面；在保护层的正面的第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石的良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]肖特基二极管的制备方法-CN201911013284.7有效
发明人： 王元刚;冯志红;吕元杰;刘宏宇;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层位于待制备的氮离子处理区以外所对应的区域；对器件正面进行等离子体表面处理，形成氮离子处理区；其中，处理气体为氮气或含氮元素的化合物；去除所述第一掩膜层；制备正面阳极金属层和背面阴极金属层；其中，所述阳极金属层的左右边缘位于所述氮离子处理区所对应的区域内，且所述阳极金属层下方对应的区域包含所述氮离子处理区以外所对应的区域。上述方法可以优化阳极结处电场，提高器件的耐高压特性并兼顾导通特性。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件-CN201710380274.1有效
发明人：周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件，涉及微电子器件技术领域，自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅介质层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极；将AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件栅电极下方的异质结刻蚀形成纳米沟道，则纳米沟道两侧区域不存在二维电子气，栅电极包裹在纳米沟道的上方及两侧壁，由于栅电极从三个方向对沟道内的电子进行调制，栅控能力强，能够很好地抑制短沟效应。当纳米沟道的宽度很小时，沟道内的二维电子气被耗尽，器件实现增强型。采用凹槽栅结构，纳米沟道和凹槽栅共同作用，可以保证器件在实现增强型的同时具有较大的纳米沟道宽度，减小导通电阻。
基于纳米沟道凹槽增强 gan 晶体管器件

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349124.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第二预设区域与所述第一预设区域不重合；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，去除所述氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在所述氮化镓外延层的背面生长金刚石，并去除所述临时载片；在所述氮化镓外延层的正面的所述第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法-CN202110125791.0有效
发明人：吕元杰;刘宏宇;徐森峰;王元刚;付兴昌;梁士雄;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述斜栅型氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅电极；还包括：p型介质层，形成在所述n型氧化镓沟道层与所述栅电极之间，所述p型介质层的厚度由靠近所述源电极一侧向靠近所述漏电极一侧逐渐变薄。本发明提供的斜栅型氧化镓场效应晶体管不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。
一种斜栅型氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法-CN201910837328.1有效
发明人：周幸叶;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；倍增层，位于所述第一外延层上，所述倍增层的掺杂浓度由下至上增加；吸收层，位于所述倍增层上，所述吸收层的掺杂浓度由下至上减小；欧姆接触层，形成于所述吸收层中，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第三外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第三外延层的下表面；上电极层，位于所述欧姆接触层上。本申请可以降低隧穿效应导致的暗电流，提高紫外探测器的信噪比。
吸收倍增分离结构紫外探测器及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN201911231350.8有效
发明人： 王元刚;吕元杰;冯志红;刘红宇;宋旭波;周幸叶;谭鑫;梁士雄;韩婷婷 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层的窗口为待制备的热氧化处理区所对应的区域，其中，所述热氧化处理区包括至少一个第一热氧化区和两个第二热氧化区；对器件正面进行第一高温退火处理，形成热氧化处理区；去除所述第一掩膜层；制备正面的阳极金属层和背面的阴极金属层；其中，所述第一热氧化区位于阳极金属下方，每个第二热氧化区部分位于阳极金属下方。上述方法可以通过热氧化形成终端结构，降低阳极金属下方及边缘区电场，从而降低阳极反向漏电，改善击穿和导通特性。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310284696.4在审
发明人：吕元杰;王元刚;刘宏宇;秦哲;李保弟;孙保瑞;周国;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；去除第二N‑型氧化镓漂移层；在去除了第二N‑型氧化镓漂移层的N+型氧化镓衬底的下表面制备阴极电极，在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面制备阳极电极，得到肖特基二极管。本发明能够在无需氧化镓外延工艺的前提下，仅采用N+型氧化镓单晶衬底制备肖特基二极管，进而解决外延氧化镓层会降低二极管器件性能和成品率的问题。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310286583.8在审
发明人：吕元杰;王元刚;刘宏宇;秦哲;李保弟;孙保瑞;周国;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在目标N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在目标N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面和第二N‑型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极；对目标N+型氧化镓衬底进行裁切，得到第一N+型氧化镓衬底和第二N+型氧化镓衬底；在第一N+型氧化镓衬底的下表面和第二N+型氧化镓衬底的上表面制备阴极电极，得到两个肖特基二极管。本发明能够有效解决外延氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高等问题。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]环境空气中非甲烷总烃含量的在线检测系统及检测方法-CN202210990909.0在审
发明人：孙博;葛凤彬;李光群;秦天明;楚鑫磊;牛文兴;王元刚;王长嵩 -专利权人：天津津普利环保科技股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明涉及环境空气中非甲烷总烃含量的在线检测系统及检测方法。两位三通阀的两个接口分别为样品气入口和载气入口Ⅳ，一个接口与十通阀的V0接口连接；定量环连接在十通阀的V9接口和V2接口之间，甲烷预柱连接在十通阀的V8接口和V4接口之间，甲烷主柱连接在十通阀的V9接口，与FID检测器连接，十通阀的V3接口为载气入口Ⅱ，十通阀的V6接口为载气入口Ⅲ，十通阀的V7接口为放空口Ⅱ；冷阱管连接在六通阀的A3接口和A6接口之间，总烃专用柱连接在六通阀的A5接口，通过气阻和FID检测器连接，六通阀的A4接口为载气入口Ⅰ；采样泵连接在六通阀的A2接口，出口即为放空口Ⅰ。
环境空气中非甲烷含量在线检测系统方法

[发明专利]一种基于先验算法的人脸表情图像遮挡修复方法-CN202010487590.0有效
发明人：丁阳;王元刚 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：一种基于先验算法的人脸表情图像遮挡修复方法，包括以下步骤：S1、原始人脸图像处理；S2、模型训练；S3、遮挡人脸表情图像修复；S4、面部运动单元采集；S5、修复图像的表情判断；S6、对二次修复图像作仿真变换。本发明能够在神经网络修复之后，对于人脸表情图像进行判断，判断其修复效果是否合理、是否准确；该方法大大的提高了修复效果的准确性，符合人脸面部肌肉运动的规律，更加真实；对于人脸表情图像在仿真变换时，可通过调节幅度参数对于变换坐标参数进行修改，关键特征点的坐标也随之变换，即嘴角张开程度，便可以得到表情变换幅度。加大了操作的准确性。
一种基于先验算法表情图像遮挡修复方法

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