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[实用新型]一种全覆盖铝背发射结的N型晶硅太阳电池-CN201320371656.5有效
发明人：田莉 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全覆盖铝背发射结的N型晶硅太阳电池。本实用新型包括单晶或者多晶硅片，以及其上印刷的银正电极，在硅片背面印刷有铝背主栅线，在铝背主栅线上印刷有银背主栅线或银铝背主栅线，银背主栅线或银铝背主栅线印刷在铝背主栅线内；在铝背主栅线以外的硅片背面上印刷有铝背电极，铝背电极边缘与铝背主栅线边缘重叠，使烧结后的硅片背面上全部覆盖有铝的铝背发射结。本实用新型解决了由于银背主栅线或银铝背主栅线直接印刷在硅片上烧结后造成的铝发射结漏电通道问题，也解决了一次性全覆盖印刷铝背发射结时，其上印刷银背主栅线或银铝背主栅线导致的银背主栅线或银铝背主栅线与铝背电极接触牢固度不达标的问题
一种覆盖发射型晶硅太阳电池

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310277040.6有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一示例半导体器件可以包括衬底；在衬底上形成的第一背栅和第二背栅；在第一背栅的相对的第一侧面和第二侧面上分别形成的第一鳍，以及在第二背栅的仅第一侧面上形成的第二鳍；夹于第一背栅与第一鳍之间的第一背栅介质层，以及夹于第二背栅与第二鳍之间的第二背栅介质层；以及在衬底上形成的与第一背栅和第一鳍相交的第一栅堆叠，以及在衬底上形成的与第二背栅和第二鳍相交的第二栅堆叠，各栅堆叠与相应背栅之间通过电介质层隔离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法、制备方法及电池-CN201910005192.8有效
发明人：林纲正;方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种P型PERC双面太阳能电池对位印刷方法、制备方法及电池，在背激光开槽图案上设置Mark1点，并在硅片上制作带有Mark1点的背面激光开槽区，再在背极主栅线网版上设置Mark2点，并在硅片上印刷带有Mark2点的背极主栅线；利用硅片上的Mark1点，通过调整硅片的位置，使背面激光开槽区对准背铝栅线网版上的背铝栅线，利用Mark2点，横向移动硅片，使背铝栅线网版上的背铝栅线与背极主栅线对准，印刷背铝栅线，使背铝栅线覆盖住背面激光开槽区，且与背极主栅线连接。本发明确保硅片的背铝栅线与背极主栅线实现有效连接，避免背铝栅线与背极主栅线脱离的情况发生，有效降低双面PERC太阳能电池的不良率。
perc 双面太阳能电池对位印刷方法制备电池

[实用新型]一种全覆盖铝背电场的P型晶硅太阳电池-CN201320371982.6有效
发明人：田莉 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全覆盖铝背电场的P型晶硅太阳电池。本实用新型包括单晶或者多晶硅片，以及其上印刷的银正电极，其特点是：在硅片背面印刷有铝背主栅线，在铝背主栅线上印刷有银背主栅线或者银铝背主栅线，银背主栅线或者银铝背主栅线印刷在铝背主栅线内；在铝背主栅线以外的硅片背面上印刷有铝背电极，铝背电极边缘与铝背主栅线边缘重叠，使烧结后的硅片背面上全部覆盖有铝的铝背电场。本实用新型解决了铝背电场漏电通道和背主栅线位置存在铝背电场缺失的问题，减少了背表面载流子复合，提高了太阳能电池的光电转换效率。
一种覆盖电场型晶硅太阳电池

[发明专利]P型PERC双面太阳能电池的背电极结构和电池-CN201710123174.0在审
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极结构，所述背电极结构包括至少一条背银主栅、多条相互平行的铝栅线和铝栅外框；所述铝栅线和背银主栅之间形成重叠连接的区域，所述重叠连接的区域围绕在所述背银主栅的四周，在重叠连接的区域，所述铝栅线覆盖背银主栅；所述背银主栅包括至少两个背银子主栅，每两个背银子主栅之间形成断开区间，所述断开区间设有至少1条连接线，所述背银子主栅通过连接线相互连接，所述背银子主栅通过连接线与铝栅外框连接；或者，所述背银主栅上设有至少一个镂空部。相应的，本发明还公开一种采用上述背电极结构的P型PERC双面太阳能电池。采用本发明，结构简单，成本较低，导电性好，电池的光电转换效率高。
perc 双面太阳能电池电极结构电池

[发明专利]Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法-CN202011485480.7在审
发明人：唐晓雨;花涛;刘玉杰;赵毅 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法，所述器件包括Ge衬底、隔离介质层、背栅金属层、背栅介质层、InGaAs薄膜、顶栅介质层、顶栅金属层和源漏区域；Ge衬底上方依次设有隔离介质层、背栅金属层，背栅金属层设有背栅电极，背栅金属层上方设置一层背栅介质层，背栅介质层的上方设置InGaAs薄膜，InGaAs薄膜设有源漏区域，InGaAs薄膜上方依次设置顶栅介质层、顶栅金属层，顶栅金属层设置顶栅电极本发明使用金属键合的方法将InGaAs薄膜转移到Ge衬底上，工艺简单可行，增强器件可靠性；双栅InGaAsnMOSFET结构提高栅极对沟道调控能力。
ge 基双栅型 ingaas nmosfet 器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201110241218.2有效
发明人：梁擎擎;许淼;朱慧珑;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件，包括：在超薄半导体层中形成的源/漏区；在超薄半导体层中形成的位于源/漏区之间的沟道区；位于沟道区上方的前栅叠层，所述前栅叠层包括前栅和位于前栅和沟道区之间的前栅介质层；位于沟道区下方的背栅叠层，所述背栅叠层包括背栅和位于背栅和沟道区之间的背栅介质层，其中，前栅由高阈值电压材料形成，背栅由低阈值电压材料形成。根据另一实施例，前栅和背栅由相同的材料组成，在半导体器件工作时向背栅施加正向偏置电压。该半导体器件利用背栅减小由于沟道区厚度变化而引起的阈值电压波动。
半导体器件

[发明专利]存储器件及其制造方法和存取方法-CN201310138554.3有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一示例存储器件可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；晶体管，包括：在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠与鳍相交；以及夹于背栅与各鳍之间以及背栅与衬底之间的背栅介质层，其中，在栅堆叠的一侧，背栅介质层存在开口，背栅通过该开口与鳍电接触。
存储器件及其制造方法存取

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201510883147.4在审
发明人：邓浩;陈志刚;黄涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括提供半导体衬底，半导体衬底表面具有衬底氧化层；在衬底氧化层上形成第一背栅；在第一背栅上形成隔离层和覆盖所述隔离层表面的硅区，硅区的顶部表面被掩膜层和位于掩膜层两侧侧壁的侧墙覆盖；在硅区两侧的外侧壁形成背栅栅氧层；在所述硅区两侧的第一背栅上形成覆盖所述背栅栅氧层侧壁的第二背栅；在所述第二背栅表面形成栅间隔离层后，去除所述掩膜层和所述掩膜层下方的硅区，暴露出所述硅区的内侧壁；形成覆盖所述硅区内侧壁的主栅栅氧层后，形成横跨所述主栅栅氧层、侧墙和硅区的主栅。第一背栅和第二背栅构成半导体器件的背栅，通过调节施加在背栅上的电压，更好的控制半导体器件的阈值电压。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]P型PERC双面太阳能电池背面图形对位印刷方法、制备方法及电池-CN201910005194.7有效
发明人：方结彬;林纲正;何达能;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种P型PERC双面太阳能电池背面图形对位印刷方法、制备方法及电池，先在背激光开槽图案上设置Mark点，并在硅片上制作带有Mark点的背面激光开槽区，再利用硅片上的Mark点识别背铝栅线的印刷位置，移动硅片以调整背极主栅线的印刷位置，使后续印刷在该位置的背极主栅线可与背铝栅线连接，最后印刷背极主栅线和背铝栅线，背铝栅线覆盖住背面激光开槽区,且与背极主栅线连接。本发明可确保硅片的背铝栅线与背极主栅线实现有效连接，避免背铝栅线与背极主栅线脱离的情况发生，有效降低双面PERC太阳能电池的不良率。而且，本发明工艺步骤简单，生产成本低、易于实现，适合于大规模量产。
perc 双面太阳能电池背面图形对位印刷方法制备电池

[实用新型]P型PERC双面太阳能电池的背电极结构和电池-CN201720201604.1有效
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型PERC双面太阳能电池的背电极结构，所述背电极结构包括至少一条背银主栅、多条相互平行的铝栅线和铝栅外框；所述铝栅线和背银主栅之间形成重叠连接的区域，所述重叠连接的区域围绕在所述背银主栅的四周，在重叠连接的区域，所述铝栅线覆盖背银主栅；所述背银主栅包括至少两个背银子主栅，每两个背银子主栅之间形成断开区间，所述断开区间设有至少1条连接线，所述背银子主栅通过连接线相互连接，所述背银子主栅通过连接线与铝栅外框连接；或者，所述背银主栅上设有至少一个镂空部。相应的，本实用新型还公开一种采用上述背电极结构的P型PERC双面太阳能电池。采用本实用新型，结构简单，成本较低，导电性好，电池的光电转换效率高。
perc 双面太阳能电池电极结构电池

[发明专利]一种采用背面复合电极的P型太阳能电池-CN202010273751.6在审
发明人：石强;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：它包括硅电池本体，其背面钝化层上的若干条平行等间距分布的激光开槽线，所述硅电池本体的背面钝化层上印刷有若干条相互平行间隔设置的铝背栅线，每根激光开槽线均被铝背栅线覆盖设置，相邻铝背栅线之间的区域印刷有银背栅线，铝背栅线与银背栅线相互粘连，铝背栅线和银背栅线上印刷有银背电极，银背电极的轴向与激光开槽线垂直。本发明将原先的全铝背场替换为铝背栅线与银背栅线交替排布的复合型电极，其中银背栅线位于相邻激光开槽线之间区域，由于银的导电性远远优于铝，因此在此区域流动的电流损失较小，有利于提高电池整体的转换效率。
一种采用背面复合电极太阳能电池

[发明专利]具有黑磷沟道层的低接触电阻率FinFET及其制备方法-CN201611100748.4有效
发明人：刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有黑磷沟道层的低接触电阻率FinFET及其制备方法，制备方法包括如下步骤：1）提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成背栅，并在背栅外围的半导体衬底表面形成衬底氧化层；2）在步骤1）得到的结构表面形成背栅氧化层，背栅氧化层覆盖背栅及衬底氧化层的表面；3）在背栅氧化层表面形成黑磷沟道层；4）在黑磷沟道层表面形成前栅结构，前栅结构横跨背栅，并沿垂直于背栅长度的方向延伸；5）在前栅结构两侧的背栅上方形成源极及漏极，源极及漏极沿背栅的长度方向延伸。
具有黑磷沟道接触电阻率 finfet 及其制备方法

[实用新型]一种晶体硅太阳电池的电极-CN201320847319.9有效
发明人：黄海宾;周浪 -专利权人：南昌大学
申请日： 2013-12-21 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶体硅太阳电池的电极,包括前表面细栅线、前表面主栅线、背表面主栅线、背表面细栅线和背铝层，其中，所述前表面主栅线与前表面细栅线相互垂直，所述背铝层在电极背表面为全表面覆盖；所述前表面主栅线与背表面主栅线相互平行排布，所述前表面细栅线与背表面细栅线相互平行排布；所述电极前表面主栅线和背表面主栅线的厚度均为0.5－12.0微米，宽度均为0.5－1.2毫米；所述背铝层的厚度为0.2-20微米。
一种晶体太阳电池电极

[发明专利]半导体存储器件-CN202310320626.X在审
发明人：早川幸夫;李奉镕;朴玄睦;赵始衍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：背栅电极、在背栅电极上的栅电极、在栅电极和背栅电极之间的沟道层、在沟道层和栅电极之间的栅绝缘层以及在背栅电极和沟道层之间的铁电层。
半导体存储器件

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