“周幸叶”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果88个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN201911231606.5有效
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;周幸叶;宋旭波;梁士雄;谭鑫;冯志红;马春雷;徐森峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备阳极金属层；在制备了阳极金属层的n型氧化镓层上制备掩膜层；其中，所述掩膜层具有倾斜的侧壁，所述侧壁的上边缘在所述阳极金属层上的投影位于所述阳极金属层的区域内或与所述阳极金属层的边缘重合；对器件正面进行干法刻蚀，直至阳极金属层对应区域以外的掩膜层去除，在所述n型氧化镓层形成内边缘和阳极金属层的边缘重合的斜面结构；去除器件表面残留的掩膜层，对器件正面进行高温退火处理，在n型氧化层中形成热氧化处理区；制备阴极金属层。采用上述制备方法可以提高制备的器件的击穿电压。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种金刚石色心微波激射器及其制备方法-CN202310549280.0在审
发明人：高学栋;冯志红;蔚翠;周幸叶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石色心微波激射器及其制备方法。本发明通过设置阵列式的金刚石色心柱、激光二极管、蓝宝石谐振腔、铜谐振腔和微波天线，构成阵列式的金刚石色心微波激射器。各阵列单元的金刚石色心柱可在外部磁场作用下实现能级偏转，在激光激化下产生粒子数反转，在微波天线接收的外部微波粒子作用下产生受激辐射，并经蓝宝石谐振腔、铜谐振腔谐振后实现雪崩式的微波粒子放大。各阵列单元的出射功率累加，增大了金刚石色心微波激射器的微波出射功率。
一种金刚石色心微波激射器及其制备方法

[发明专利]雪崩光电二极管仿真电路及仿真模型-CN202210577530.7有效
发明人：邢婉婉;胡安琪;刘巧莉;郭霞;周幸叶 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G05B17/02 文献下载
摘要：本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路及仿真模型，该仿真电路包括：输入单元、雪崩触发压控开关、提供雪崩光电二极管击穿电压的电压源及第一电阻；输入单元包括光子入射单元、暗计数单元及后脉冲单元，输入单元输出端连接雪崩触发压控开关正极控制端；暗计数单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；后脉冲单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；电压源与雪崩光电二极管阴极、第一电阻输入端连接；雪崩触发压控开关输入端与第一电阻输出端连接，其输出端连接雪崩光电二极管阳极，负极控制端接地。本申请仿真电路能够模拟雪崩光电二极管的光子、暗计数及后脉冲特性，提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
雪崩光电二极管仿真电路模型

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349131.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及相关器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面生长保护层；在保护层的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活第一离子；在保护层的正面的第二预设区域进行第二离子注入，第二预设区域与第一预设区域不重合；在保护层的正面键合临时载片，去除氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在氮化镓外延层的背面键合金刚石，并去除临时载片，露出保护层的正面；在保护层的正面的第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石的良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]肖特基二极管的制备方法-CN201911013284.7有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;刘宏宇;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层位于待制备的氮离子处理区以外所对应的区域；对器件正面进行等离子体表面处理，形成氮离子处理区；其中，处理气体为氮气或含氮元素的化合物；去除所述第一掩膜层；制备正面阳极金属层和背面阴极金属层；其中，所述阳极金属层的左右边缘位于所述氮离子处理区所对应的区域内，且所述阳极金属层下方对应的区域包含所述氮离子处理区以外所对应的区域。上述方法可以优化阳极结处电场，提高器件的耐高压特性并兼顾导通特性。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件-CN201710380274.1有效
发明人： 周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;徐鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米沟道的凹槽栅增强型GaN晶体管器件，涉及微电子器件技术领域，自下而上包括衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅介质层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极；将AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件栅电极下方的异质结刻蚀形成纳米沟道，则纳米沟道两侧区域不存在二维电子气，栅电极包裹在纳米沟道的上方及两侧壁，由于栅电极从三个方向对沟道内的电子进行调制，栅控能力强，能够很好地抑制短沟效应。当纳米沟道的宽度很小时，沟道内的二维电子气被耗尽，器件实现增强型。采用凹槽栅结构，纳米沟道和凹槽栅共同作用，可以保证器件在实现增强型的同时具有较大的纳米沟道宽度，减小导通电阻。
基于纳米沟道凹槽增强 gan 晶体管器件

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349124.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第二预设区域与所述第一预设区域不重合；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，去除所述氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在所述氮化镓外延层的背面生长金刚石，并去除所述临时载片；在所述氮化镓外延层的正面的所述第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法-CN201910837328.1有效
发明人： 周幸叶;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；倍增层，位于所述第一外延层上，所述倍增层的掺杂浓度由下至上增加；吸收层，位于所述倍增层上，所述吸收层的掺杂浓度由下至上减小；欧姆接触层，形成于所述吸收层中，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第三外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第三外延层的下表面；上电极层，位于所述欧姆接触层上。本申请可以降低隧穿效应导致的暗电流，提高紫外探测器的信噪比。
吸收倍增分离结构紫外探测器及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN201911231350.8有效
发明人：王元刚;吕元杰;冯志红;刘红宇;宋旭波;周幸叶;谭鑫;梁士雄;韩婷婷 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层的窗口为待制备的热氧化处理区所对应的区域，其中，所述热氧化处理区包括至少一个第一热氧化区和两个第二热氧化区；对器件正面进行第一高温退火处理，形成热氧化处理区；去除所述第一掩膜层；制备正面的阳极金属层和背面的阴极金属层；其中，所述第一热氧化区位于阳极金属下方，每个第二热氧化区部分位于阳极金属下方。上述方法可以通过热氧化形成终端结构，降低阳极金属下方及边缘区电场，从而降低阳极反向漏电，改善击穿和导通特性。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]横向结构氧化镓的制备方法及横向结构氧化镓-CN201911088382.7有效
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;周幸叶;宋旭波;梁士雄;谭鑫;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种横向结构氧化镓的制备方法及横向结构氧化镓，该方法包括：在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并制备n型掺杂氧化镓台面；在所述n型掺杂氧化镓台面上制备介质层台面，获得样品；在所述样品的第一端沉积阳极金属制备阳极电极，在所述样品的第二端上沉积阴极金属制备阴极电极，使得可以通过外延制备n型掺杂氧化镓沟道层的方法，提高横向结构氧化镓的击穿电压和导通特性，以及通过阳极电极和介质层台面形成的阳极场板，改变横向结构氧化镓电场分布，使阳极下的电场分布更加均匀，提高横向结构氧化镓的击穿特性和导通特性。
横向结构氧化制备方法

[发明专利]光电二极管及其制备方法-CN202010713214.9有效
发明人：谭鑫;周幸叶;吕元杰;王元刚;宋旭波;韩婷婷;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种光电二极管及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次制备第一接触层和设置有上电极的台面结构，形成第一样品；在第一样品上生长第一介质层并刻蚀，使在台面结构上表面形成石墨烯场板介质层；将制备的多层石墨烯薄膜转移到石墨烯场板介质层上，形成石墨烯场板，获得第二样品；在第二样品上生长第二介质层并刻蚀，形成石墨烯保护层，获得光电二极管。本发明制备得到具有石墨烯场板的光电二极管，可以使光电二极管的整个光子探测有源区下方的垂直电池均匀分布，使从不同位置入射的光子均可以得到充分的电场加速，进而转化为光电流被检测到，大大提高了光电二极管的探测效率。
光电二极管及其制备方法

[发明专利]增强型场效应晶体管-CN201910892871.1有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;宋旭波;谭鑫;周幸叶;房玉龙;尹甲运 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型场效应晶体管，增强型场效应晶体管自下而上依次包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和至少一层预设结构；预设结构自下而上依次包括绝缘介质层和场板；沟道层上分列有源电极和漏电极，势垒层上设有栅电极，钝化层位于源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间，绝缘介质层覆盖栅电极；在源电极和漏电极之间的沟道层中存在无载流子区和载流子区，在栅电极正下方以外的沟道层中存在无载流子区，且在栅电极正下方的沟道层中存在载流子区；在无载流子区的正上方具有场板。本发明提供的增强型场效应晶体管利用横向能带工程实现增强型器件，并利用场板结构能够提高击穿电压，提高器件的可靠性。
增强场效应晶体管

[发明专利]氮化镓双向TVS器件及制备方法-CN202310004376.9在审
发明人：卜爱民;宋旭波;吕元杰;冯志红;梁士雄;王元刚;周幸叶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法，该器件包括：衬底；位于衬底上表面的绝缘氮化镓层；位于绝缘氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；两个台面结构从下向上依次为P‑氮化镓层和P+氮化镓层，且均嵌入设置在钝化层内；两个台面结构各自的下表面间隔预设距离；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台面结构上表面的第二正极；两个正极嵌入设置在钝化层内；且钝化层上与第一正极对应的位置设置有第一电极孔，钝化层上与第二正极对应的位置设置有第二电极孔。本发明通过调节两个台面结构下表面间隔的预设距离，可以调节氮化镓双向TVS器件的击穿电压，从而有利于满足低钳位电压的工作需要。
氮化双向 tvs 器件制备方法

[发明专利]氧化镓SBD终端结构及制备方法-CN201910537853.1有效
发明人：吕元杰;王元刚;周幸叶;谭鑫;宋旭波;邹学锋;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N‑低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中，N‑低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，阳极金属层下方的掺杂浓度大于阳极金属层两侧的掺杂浓度。即只改变阳极金属层对应区域以外部分的掺杂浓度，从而保证在低导通电阻的情况下，提高氧化镓SBD终端结构的击穿电压。
氧化 sbd 终端结构制备方法

[发明专利]氧化镓SBD终端结构及制备方法-CN201910537186.7有效
发明人：吕元杰;王元刚;周幸叶;谭鑫;宋旭波;徐森锋;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N‑低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中所述N‑低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小。该结构能够改善氧化镓SBD终端器件的击穿特性，进一步提高其击穿电压。
氧化 sbd 终端结构制备方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 88 条