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[发明专利]一种半导体带电极光电化学刻蚀方法-CN202310669049.5在审
发明人： 杜江锋;田魁元;王建国 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种半导体光电化学刻蚀方法。本发明针对带电极光电化学刻蚀半导体外延片的衬底选择局限性以及刻蚀电位分布不均导致的刻蚀深度不均等问题，提出了在外延层制作设计电极图案与金属掩膜将刻蚀区分成n个区域，并配合紫外光照射，根据光电化学刻蚀机理，有效的减弱了半导体外延片刻蚀电位的分布不均匀；且采用三电极体系，可实时观测刻蚀电流‑时间曲线，控制刻蚀速率从而实现精度的高度控制，通过优化工艺参数，获得了较好的底部形貌。本发明简单易行，可工业化生产，安全系数高。
一种半导体带电极光电化学刻蚀方法

[发明专利]一种Alg-CuFe溶液及其制备方法、用途-CN202310851400.2在审
发明人： 杜江锋;薛廷玉;刘瑞雪;董庆榕;刘芳 -专利权人：山西医科大学第一医院
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： A61K33/34 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种Alg‑CuFe溶液及其制备方法、用途，其中Alg‑CuFe溶液包括以下原料：体积比为1:1的CuFe溶液和海藻酸钠溶液；所述CuFe溶液包括CuFe纳米颗粒和水，所述CuFe溶液中CuFe纳米颗粒的质量浓度为2mg/mL；所述海藻酸钠溶液包括海藻酸钠和水，所述海藻酸钠溶液中海藻酸钠的质量浓度为1.8～2.4％；具有对铯离子高效促排、同时能够进行铯辐射防护的有益效果；适用于纳米材料的技术领域。
一种 alg cufe 溶液及其制备方法用途

[发明专利]一种R-2R电阻网络数模转换电路及其校准方法-CN202310262857.X在审
发明人： 杜江锋;向珉锐;赵伟乐 -专利权人：重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明属于模拟集成电路邻域，具体涉及一种R‑2R电阻网络数模转换电路及其校准方法，包括主DAC电路、辅助DAC电路、逐次逼近电路、运放电路、开关S1以及电容C1；主DAC电路的输出端连接的电容C1的的正极，电容的负极分别与运放电路的负极输入端和开关S1连接；开关S1的另一端连接运放电路的输出端；运放电路的正极连接共模电平，输出端与逐次逼近电路的输入端连接；逐次逼近电路的输出端连接辅助DAC电路的输入端；辅助DAC电路输出端与主DAC电路连接，构成环路；本发明在高位温度计支路上使用辅助DAC对电路进行校准，从而减小了芯片的体积，利于电路的集成化。
一种电阻网络数模转换电路及其校准方法

[发明专利]一种具有P型掺杂结构的半导体异质结场效应管-CN202310196146.7在审
发明人： 杜江锋;张波涛;赵亚鹏;杨龙 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于微电子领域，具体为一种具有P型掺杂结构的半导体异质结场效应管。本发明在衬底上引入一层P型掺杂层结构，通过设置P型掺杂层结构的材料以及种类，从而对栅极边缘和漏极边缘的电场峰值以及沟道的平均电场进行调制，使其分布更加均匀；同时由于较厚氮化镓缓冲层的屏蔽作用又避免了饱和输出电流的退化和导通电阻的增加，从而提高了器件的击穿电压和优值。最终本发明在保证器件性能的前提下，有效解决了现有GaN HFET器件耐压不足的问题。
一种具有掺杂结构半导体异质结场效应

[发明专利]基于有限元仿真后处理的传感器电容值计算方法-CN202010573493.3有效
发明人： 杜江锋;刘成艺;杨荣森 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：基于有限元仿真后处理的传感器电容值计算方法，首先根据传感器的结构和约束条件，利用有限元仿真软件进行传感器的建模和力学仿真，将力学仿真结果中的形变结果导出；然后处理形变结果获得每个绝缘层界面中各节点的绝对坐标与每个绝缘层边缘闭环路径中各节点的绝对坐标；再根据加密法、映射法分别计算传感器可变电容部分和固定电容部分的电容值后相加，获得最终的传感器电容值，加密法和映射法结合使用增加了设计的灵活性。本发明解决了一些有限元仿真软件无法直接求解传感器电容值的问题，通过构造绝对坐标的方式，利用微元法思想，能够用于计算发生不规则形变的电容器，突破了均匀压力条件下小挠度和大挠度理论计算的限制，计算误差小。
基于有限元仿真处理传感器电容计算方法

[发明专利]一种小鼠乳腺癌自发性淋巴结转移模型的建模方法-CN202111456504.0有效
发明人：高龙;杜江锋;冯对平;闫海丽 -专利权人：山西医科大学
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： A01K67/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种小鼠乳腺癌自发性淋巴结转移模型的建模方法，是以裸鼠作为建模动物，麻醉后暴露第4对乳头外侧髂下淋巴结，注入小鼠乳腺癌4T1细胞，接种后正常饲养2～3周，建模成功得到小鼠乳腺癌自发性淋巴结转移模型。本发明构建的小鼠乳腺癌自发性淋巴结转移模型能较为真实地模拟临床原位乳腺癌发生淋巴结转移的方式及微环境，而且建模时间短，成模稳定，成模率可达80%。
一种小鼠乳腺癌自发性淋巴结转移模型建模方法

[发明专利]一种传感器长时间高温蠕变加速仿真方法-CN202010720223.0有效
发明人： 杜江锋;杜科;蒋勇刚;刘成艺;荣丽梅 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种传感器长时间高温蠕变加速仿真方法，实现了长时间高温环境下传感器热场、弹性场、蠕变场三场之间的有效耦合。首先校准介质薄膜的高温蠕变关键参数，随后建立传感器芯片级有限元模型并进行相应的前处理及瞬态热分析，完成对传感器芯片级有限元模型的时变温度场求解；接下来将温度场结果线性压缩并传递至有限元软件中的瞬态结构分析模块进行结构分析，将热场分析时间等距压缩为结构场分析时间，将温度场载荷线性传递至结构场，在瞬态结构模块下进行考虑介质薄膜高温蠕变的加速仿真分析与求解；最后提取恢复达到室温的仿真结束时刻关键结构相关数据，得到高温蠕变影响下的应力累积量、应变累积量和形变累积量。
一种传感器长时间高温加速仿真方法

[发明专利]一种咽拭子核酸检测标本采集装置-CN202210507827.6在审
发明人：芦滨;杜江锋 -专利权人：山西医科大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： A61B10/00 文献下载
摘要：本发明属于核酸标本收集装置技术领域，具体涉及一种咽拭子核酸检测标本采集装置，包括防护机构、采集机构和连接机构；所述防护机构能够覆盖被采集者口部和鼻部，包括用于隔离的外面罩、朝向被采集者面部的内面罩和佩戴带；所述采集机构设置在所述外面罩遮挡口部的位置，包括空心的采样管，所述采样管背向被采集者面部的一端设有保护膜，采样管内有采样签，采样签的手持端设置于所述保护膜一侧；所述连接机构将采样管可拆卸的活动连接在所述外面罩上。本发明能够有效解决咽拭子核酸检测标本采集过程中气溶胶传播的问题，消除同区域内其他被采集者之间被交叉感染的风险，以及对医务人员的的感染风险。
一种咽拭子核酸检测标本采集装置

[发明专利]一种具有复合背势垒层的氮化镓异质结场效应晶体管-CN202010876214.0有效
发明人： 杜江锋;刘勇;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有复合背势垒层的氮化镓异质结场效应晶体管，从下至上依次包括：衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、p型掺杂氮化镓层、栅极，器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝化层；在氮化镓缓冲层与衬底之间设有一层由第一铝镓氮区域和第二铝镓氮区域横向排列而成的复合背势垒层且这两个铝镓氮区域存在铝组分差异，通过在氮化镓缓冲层与衬底之间引入第一铝镓氮区域与第二铝镓氮区组成的复合结构，可以有效降低缓冲层的泄漏电流和改善沟道与缓冲层的电场分布，从而提高器件的击穿电压。
一种具有复合背势垒层氮化镓异质结场效应晶体管

[发明专利]传感器上温度、压力、振动三种载荷直接耦合的仿真方法-CN201910617505.5有效
发明人： 杜江锋;杨荣森;鲁岩;荣丽梅;罗天成;何金泽 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：传感器上温度、压力、振动三种载荷直接耦合的仿真方法，首先将振动载荷的频域信号转换成时域信号并进行拓展得到长时间时域信号；采用ANSYS workbench软件对传感器进行建模并完成前处理；进行直接耦合的仿真设置，仿真的求解步长数为2，第1求解步向传感器施加压力载荷和温度载荷，第2求解步将长时间时域信号作为振动载荷施加在传感器上，进行三种载荷的直接耦合仿真得到整个仿真时间内传感器整体结构的应力分布，其中第2求解步的子步步长不大于长时间时域信号变化的最小时间长度；对仿真结果进行后处理得到传感器在三种载荷耦合下的仿真最大值。本发明提出的仿真方法解决了间接耦合仿真的方法误差、边界约束冲突和频域仿真中初始应力文件难以导出的问题。
传感器温度压力振动载荷直接耦合仿真方法

[发明专利]具有衬底上复合半导体层的氮化镓异质结场效应晶体管-CN202210085762.0在审
发明人： 杜江锋;张辉;张波涛;雷俊辉;赵亚鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有衬底上复合半导体层的氮化镓异质结场效应晶体管，从下至上依次包括：衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、P型氮化镓层、栅极，器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝化层；在氮化镓缓冲层与衬底之间设有一层由P型掺杂区域和N型掺杂区域横向排列而成的复合半导体结构层，通过在氮化镓缓冲层与衬底之间引入P型掺杂区域和N型掺杂区域组成的复合结构，可以有效降低缓冲层的泄漏电流和改善沟道与缓冲层的电场分布，从而提高器件的击穿电压，同时不会增加器件的导通电阻。
具有衬底复合半导体氮化镓异质结场效应晶体管

[发明专利]一种具有结型场板的氮化镓高电子迁移率晶体管-CN202010756366.7有效
发明人： 杜江锋;蒋勇刚;杜科;赵智源 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提出一种具有结型场板的氮化镓基高电子迁移率晶体管，在传统的氮化镓HEMT器件基础上，在其势垒层上方形成一个纵向的PN结作为耐压结构调制器件的表面电场，优化横向的电场分布，达到了提升击穿电压的目的。一方面，在栅极处于阻断状态时纵向的PN结二极管会辅助耗尽器件沟道的二维电子气，承受一部分漏极电压，减小栅极边缘漏极侧所承受的电压，减小该处峰值电场。在正向导通状态时，PN结耗尽区可以避免栅极产生过大的泄漏电流，保证器件的正向导通电流能力。与常规金属场板相比本发明使用PN结作场板不会引入附加的寄生电容，保证了器件的工作频率和开关速度，在提升击穿电压的同时提高了器件的可靠性。
一种具有结型场板氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管-CN201911196795.7有效
发明人： 杜江锋;刘勇;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有复合缓冲层的氮化镓异质结场效应晶体管，从下至上依次包括：衬底、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、p‑GaN层、栅极，器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝化层；在氮化镓沟道层与衬底之间设有一层由第一铝镓氮区域、第一绝缘介质区域、第二绝缘介质区域和第四铝镓氮区域横向排列而成的复合结缓冲层，第二绝缘介质区域与第一绝缘介质区域的绝缘介质相对介电常数不同；通过引入复合结构第一绝缘介质区域和第二绝缘介质区域，或第二铝镓氮区域与第三铝镓氮区域替换常规器件缓冲层中的氮化镓或铝镓氮，可以有效降低缓冲层的泄漏电流，从而提高器件的击穿电压和开关速度。
一种具有复合缓冲氮化镓异质结场效应晶体管

[发明专利]氮面增强型复合势垒层氮化镓基异质结场效应管-CN201910610794.6有效
发明人： 杜江锋;鲁岩;杨荣森;刘勇;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮面增强型复合势垒层氮化镓基异质结场效应管，包括：衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、源极、漏极、栅极、N+型半导体层、钝化层、复合势垒层，复合势垒层包括氮化铝层、以及氮化镓层和铝镓氮层构成的复合结构，氮化镓层位于铝镓氮层下方，本发明通过复合势垒层结构，实现了增强型氮面氮化镓基异质结场效应管，通过在栅下引入铝镓氮和氮化镓的复合势垒层材料，减小了栅下沟道的极化强度，从而使二维电子气沟道耗尽。当栅压正向增大时，栅下沟道层的耗尽区变窄，从而使得二维电子气沟道开启，本发明解决了实现氮面增强型特性的问题，相比于凹槽栅等结构具有更大的饱和漏极电流，同时避免了掺杂造成的缺陷等影响。
增强复合势垒层氮化镓基异质结场效应

[发明专利]一种包含多钨酸钆的纳米材料作为增敏剂的用途-CN201710210288.9有效
发明人：赵宇亮;雍媛;杜江锋;谷战军 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包含多钨酸钆的纳米材料作为增敏剂的用途，所述包含多钨酸钆的纳米材料中的多钨酸钆能够与谷胱甘肽发生氧化还原反应，降低谷胱甘肽的含量，进而实现内在增敏。本发明还提供了一种由多钨酸钆、壳聚糖和小干扰RNA构成的多钨酸钆复合纳米材料，本发明的多钨酸钆复合纳米材料具有优良的放射增敏性能，可以吸收大量的X射线产生活性氧物质(ROS)，也可以降低HIF‑1α在肿瘤部位的表达并抑制双链断裂的DNA自我修复；并且最重要的是多钨酸钆可以与体内的谷胱甘肽(GSH)发生氧化还原反应，降低体内谷胱甘肽含量，从而产生更多有效的活性氧物质，同时实现内在增敏和外在增敏的有效结合，达到理想的放射增敏效果。
一种包含多钨酸钆纳米材料作为增敏剂用途

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