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[实用新型]一种HJT结构及太阳能电池-CN202321645548.2有效
发明人：朱晶晶;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种HJT结构及太阳能电池，结构包括硅基体，硅基体的正面由内向外依次设有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面TCO导电膜，正面TCO导电膜远离第二碳化硅层一侧设有正金属电极；硅基体的背面由内向外依次设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、背面TCO导电膜，背面TCO导电膜远离掺杂非晶硅层的一侧设有背金属电极，其中，第二本征非晶硅层的厚度大于等于第一本征非晶硅层的厚度。本实用新型提供的HJT结构，硅基体背面采用双层本征非晶硅层，第一本征非晶硅层为超薄非晶硅层，可有效抑制纳米孪晶缺陷；第一碳化硅层提供优异钝化特性，第二碳化硅层提供优异导电性，实现钝化和接触共赢。
一种 hjt 结构太阳能电池

[实用新型]一种真空镀膜金属化的单玻硅基异质结太阳能电池-CN202320627744.0有效
发明人：黄信二;黄煜翔 -专利权人：赣州市创发光电科技有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：一种真空镀膜金属化的单玻硅基异质结太阳能电池，包括：正面金属低温银浆或是低温银包铜浆的导电线路、HJT电池多层膜结构层、背面金属纯铝、纯铜、铝合金或是铜合金的导电层、背面金属合金(铜合金或是铜镍合金)的保护层；其中：导电线路、HJT电池多层膜结构层、导电层、保护层从上到下依次连接。
一种真空镀膜金属化单玻硅基异质结太阳能电池

[发明专利]用于太阳能电池的钝化和导电层结构-CN202180092347.1在审
发明人： K·丁;M·波马斯卡;邱开富 -专利权人：于利奇研究中心有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明涉及用于在太阳能电池的正面或正面和背面上具有隧穿氧化物钝化接触件的太阳能电池，优选高温太阳能电池的层结构，其由至少一个隧穿氧化物层，特别是x＝1‑2的硅氧化物层SiOx或x＝1‑2的铝氧化物层AlOx，以及x50.5，优选≥0.5至0.9的μc‑SiCx(n)层组成，其中(n)＝n掺杂，并且其中μc‑SiCx(n)在一个有利实施方案中是氢化μc‑SiCx:H(n)层。根据本发明的层结构可以优选被设计为太阳能电池，优选高温太阳能电池的正面接触件。本发明还涉及制造该层结构的方法以及包含根据本发明的层结构作为正面接触件或作为正面接触件和背面接触件的太阳能电池。
用于太阳能电池钝化导电结构

[发明专利]一种具有双层TCO导电膜的HJT太阳能电池结构-CN202311043013.2在审
发明人：郭文丰;刘俊;张勤辉 -专利权人：南通市乐能电力有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请涉及HJT太阳能电池领域，一种具有双层TCO导电膜的HJT太阳能电池结构，包括衬底以及依次层叠在衬底两侧的非晶硅薄膜、TCO薄膜以及电极，衬底采用n型硅衬底材料，其中衬底的正面和背面的非晶硅薄膜采用P型氧化非晶硅；TCO薄膜分别位于非晶硅薄膜的外侧，包括第一TCO导电膜和第二TCO导电膜，其中TCO薄膜采用双层结构，其中TCO薄膜的外侧设有若干电极。本申请采用双层TCO导电膜，用以降低横向传输电阻和接触电阻，具有高迁移率、高透过率和低接触的优点。
一种具有双层 tco 导电 hjt 太阳能电池结构

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用-CN202110182072.2有效
发明人：陈明飞;刘永成;江长久;陈明高;徐胜利;王志杰;郭梓旋;莫国仁;李跃辉 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用，该异质结太阳能电池包括依次层叠的TCO‑I膜层，N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层和TCO‑III膜层，其中，TCO‑I膜层为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO，TCO‑III膜层为氧化锡含量≥10wt％的ITO。由于羧基的存在会与TCO膜层中的氧化铟反应，而本发明的异质结太阳能电池，TCO‑I膜层中，二氧化锡的含量为1wt％～4wt％，TCO‑III膜层中，二氧化锡的含量≥10wt％，能有效减少羧基与TCO膜层中氧化铟的反应，避免TCO膜层的腐蚀和TCO膜层与印刷银浆的接触电阻被升高。TCO‑I膜层的氧化锡含量为1wt％～4wt％，兼顾了羟基腐蚀和光的透过率，效果最优。
一种异质结太阳能电池及其制备方法应用

[发明专利]太阳能电池-CN202180088860.3在审
发明人：中屋敷宪太;张舒韵;蔡雅婷 -专利权人：瑞科斯太阳能源私人有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包含：结晶硅基板；半导体层，配置在基板的建构成当太阳能电池在使用时不面对辐射源的背面上；以及透明导电区域，配置在半导体层的表面上。其中透明导电区域包含；第一层，具有第一工作函数；以及第二层，具有第二工作函数且插置在第一层和半导体层之间；其中第二层的第二工作函数大于第一层的第一工作函数。
太阳能电池

[发明专利]正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法-CN202310814819.0有效
发明人：张超华;林楷睿;黄晓狄;林锦山 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明属于背接触太阳电池技术领域，具体涉及正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法，包括硅片，第一半导体层、第二半导体层，以及在所述硅片正面设置的第三半导体层；所述第三半导体层包括由内向外依次设置的第二隧穿氧化层和第三掺杂多晶硅层，所述第三掺杂多晶硅层为含第一掺杂元素和第二掺杂元素的掺杂多晶硅层，所述第一掺杂元素为磷，第二掺杂元素包括碳、氧中的任一种，且所述第三掺杂多晶硅层的带隙宽度为1.6‑2.1eV。本发明能在保证钝化效果的同时，大幅降低了设备投资成本，大幅减少电池正面第三半导体层的寄生吸收，提高了电池的短路电流，从而提高了电池转换效率。
正面宽带掺杂联合钝化接触太阳电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池的电极结构和制造方法-CN202180085875.4在审
发明人：宫川善秀;深泽一仁;滨野干雄;堀口恭平;山口幸士 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：太阳能电池的电极结构具有硫族太阳能电池单元的基板(11)侧的导电体(21)和与导电体(21)电连接的布线要素(13、27)。布线要素(13、27)层叠并接合于导电体(21)。布线要素(13、27)和导电体(21)包含VI族元素。在导电体(21)与布线要素(13、27)的层叠方向上，VI族元素的浓度分布的峰偏离导电体与布线要素(13、27)的界面。
太阳能电池电极结构制造方法

[发明专利]太阳能电池的电极结构和制造方法-CN202180085865.0在审
发明人：宫川善秀;深泽一仁;滨野干雄;堀口恭平;山口幸士 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：太阳能电池的电极结构具有硫族太阳能电池单元的基板侧的导电体和与导电体电连接的布线要素。布线要素层叠并接合于导电体。布线要素的熔点为230℃以上，在与布线要素对应的区域的导电体中包含布线要素的金属元素的一部分。
太阳能电池电极结构制造方法

[实用新型]一种硅基异质结太阳能电池及系统-CN202222819675.1有效
发明人：左国军;奚华;舒欣 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型属于硅基异质结太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅基异质结太阳能电池及系统，本硅基异质结太阳能电池包括：自上而下依次连接的正极金属导线、正面TCO导电膜、正面P型微晶硅掺杂薄膜层、正面本征非晶硅层膜层、N型晶硅衬底、背面本征非晶硅层膜层、背面N型微晶硅膜层、背面TCO导电膜、负极金属导线；本实用新型通过将正面P型微晶硅掺杂薄膜层置于正面能够减少正面的光学损失，也可以提高正面P型微晶硅掺杂薄膜层的掺杂效率，电导率增加，提高短路电流，在提高光学和电学性能的同时，将正面P型微晶硅掺杂薄膜层置于正面还可以减少PN结背结结构对衬底和本征层镀膜质量的过高要求，有利于工业化生产。
一种硅基异质结太阳能电池系统

[发明专利]一种提升可靠性及转换效率的银包铜异质结电池-CN202310618241.1在审
发明人：黎剑骑;汤安民;郭小勇;王玉峰;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升可靠性及转换效率的银包铜异质结电池，涉及HJT异质结电池技术领域，包括硅片衬底，硅片衬底正反两面均依次沉积有非晶硅层、透明导电膜层和金属电极组件，金属电极组件包括多个金属电极，各金属电极均包括依次层叠设置的第一金属电极层、第二金属电极层和第三金属电极层。本发明设计合理，通过复合电极的形式，大幅提升了金属电极的高宽比，增加受光面积，并且利用较低的纯银量作为薄膜层充当基底层和覆盖层，改善了银包铜接触电阻大以及体电阻大导致效率大幅降低的问题；解决了铜粉未完全包覆或铜粉暴露在电极表面导致易氧化从而可靠性受到影响的问题。
一种提升可靠性转换效率银包铜异质结电池

[发明专利]用于红外感测的方法和系统-CN202180079305.4在审
发明人：伊朗·卡齐尔;马坦·阿萨夫;俄梅尔·卡帕奇;乌拉罕·巴卡尔;乌利尔·利维;阿里尔·达南;纳达夫·梅拉穆德;约尼·普罗斯珀·沙利波;罗尼·多布林斯基;希莱尔·希莱尔;埃利奧·德克尔 -专利权人：趣眼有限公司
申请日： 2021-11-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：红外(IR)光检测系统和方法。一种系统可以包括：至少一个感光点，所述感光点具有Ge感光区(GPSA)和Si层，所述Ge感光区包括第一极性的吸收剂掺杂区，所述Si层包括第一掺杂区(FDA)、存储阱(SW)、浮动扩散部(FD)和传输门(TG)；可控电源(CPS)；以及控制器，可操作为控制CPS和TG，以在第一时间同时向GPSA、FDA和FD提供受控电压，从而驱使给定极性的电荷载流子(CCGP)从GPSA朝向SW移动，并且在另一时间向GPSA、FDA和FD提供其它电压，从而减弱CCGP朝向SW的驱动，并且停止由SW采集信号，以及间歇地将CCGP从SW经由TG传送到FD，在此处CCGP经由耦接到FD的电极被读取。
用于外感方法系统

[发明专利]硅基异质结太阳电池及其制备方法-CN202210449883.9有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基异质结太阳电池及其制备方法，其中，硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，所述纳米硅氧层与透明导电氧化物层之间设置有n型掺杂非晶硅层。上述方案可以改善电子传输层的电学性能。
硅基异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池及其制造方法-CN202210592629.4有效
发明人：方超炎;陈德爽;任勇;何悦;任海亮 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及一种正面浮动结叠加SE的P型全背接触太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括P型硅基体，在所述P型硅基体的迎光面一侧，设置有作为浮动结的N型轻掺杂层以及部分位于浮动结中的SE重掺杂区；通过这种正面叠加SE的浮动结结构与所述P型硅基底背光面的发射区的配合，能有效提高背接触电池的载流子的分离和收集效率，有效减少载流子的复合，从而增加电池的转换效率；同时，因为SE设置于正面，可以使得背光面的空间留有富余，能够适当增加基区的宽度，因而降低了制造工艺的难度。
一种正面浮动叠加 se 型全背接触太阳能电池及其制造方法

[发明专利]具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池-CN202310488274.9在审
发明人：林承笵;迈克尔·C·约翰逊 -专利权人：迈可晟太阳能有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在某个示例中，太阳能电池可以包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区设置在所述背表面的第一部分中。第一薄介电层，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上方，其中所述第一薄介电层的一部分设置在所述第一导电类型的所述第一掺杂区上方。第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一薄介电层上方。第二导电类型的第二掺杂区，所述第二掺杂区在所述第一半导体层中，其中所述第二掺杂区设置在所述背表面的第二部分上方。
具有区分架构太阳能电池

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