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[发明专利]抗蚀剂材料分配系统-CN201911199126.5在审
发明人：徐振益;李尚昇;李永尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种抗蚀剂材料分配系统包括抗蚀剂供应部和抗蚀剂过滤器，该抗蚀剂过滤器在该抗蚀剂供应部的下游连接到该抗蚀剂供应部。该抗蚀剂材料分配系统包括抗蚀剂储罐结构，该抗蚀剂储罐结构在抗蚀剂过滤器的下游连接到该抗蚀剂过滤器；以及抗蚀剂泵送装置，该抗蚀剂泵送装置在该抗蚀剂储罐结构的下游连接到该抗蚀剂储罐结构。抗蚀剂储罐结构为竖直布置的，使得抗蚀剂材料从抗蚀剂材料进入抗蚀剂储罐结构的位置开始直到抗蚀剂材料离开抗蚀剂储罐结构为止以连续向下流进行流动。
抗蚀剂材料分配系统

[发明专利]抗蚀覆盖膜形成材料、形成抗蚀图的方法、半导体器件及其制造方法-CN200610094195.6有效
发明人：野崎耕司;小泽美和 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀覆盖膜形成材料，其可适用于液浸曝光用的抗蚀覆盖膜，并可以透射ArF受激准分子激光，并且提供使用抗蚀覆盖膜形成材料来形成抗蚀图的方法。该抗蚀覆盖膜形成材料包含在任一主链和侧链上具有脂环骨架的树脂；它是非光敏的，并且用于形成在液浸曝光时覆盖抗蚀膜的抗蚀覆盖膜。形成抗蚀图的方法包括在要处理的工件表面上形成抗蚀膜，用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜，使用来曝光的光透过抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜进行液浸曝光，并使抗蚀膜显影。
覆盖形成材料抗蚀图方法半导体器件及其制造

[发明专利]用以形成抗蚀图形的方法-CN95108123.3无效
发明人：裴相满;白基镐 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-07-14 - 公布日： 1999-03-31 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种用以形成抗蚀图形的方法，它是通过涂覆具有小厚度的主光致抗蚀图形，并然后在主光致抗蚀图形上涂覆次光致抗蚀图形而制成的。另一方面，抗蚀图形可通过涂覆主光致抗蚀膜，将主光致抗蚀膜曝光以在主光致抗蚀膜上限定曝光区，在主光致抗蚀膜上涂覆次光致抗蚀膜，将次光致抗蚀膜曝光以在次光致抗蚀膜上限定曝光区，和将所得结构显影以形成主和次光致抗蚀图形而制成该方法获得了光的对比度的改善，由此获得了具有垂直构形的抗蚀图形。
用以形成图形方法

[发明专利]抗蚀图形成方法-CN200410100744.7无效
发明人：泷泽正晴 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明披露了一种用双层抗蚀工艺的抗蚀图形成方法，该方法仅需要相当于单层抗蚀工艺的显影步骤的简单显影步骤。该抗蚀图形成方法包括如下步骤：包括如下步骤：在衬底上形成下层抗蚀膜；在下层抗蚀膜上形成扩散防止膜；在扩散防止膜上形成上层抗蚀膜；同时对下层抗蚀膜和上层抗蚀膜进行曝光；以及同时对下层抗蚀膜和上层抗蚀膜进行显影作为蚀刻抵抗性改进成分的Si仅包含在上层抗蚀膜中，而不包含在下层抗蚀膜中。扩散防止膜防止Si从上层抗蚀膜扩散到下层抗蚀膜并且在曝光时传播光线，同时具有在显影时被显影液消除的特性。
图形成方

[发明专利]使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法-CN200980111624.8无效
发明人： R·R·达梅尔;D·J·阿布达拉;E·阿勒梅;M·帕德马纳本 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。
使用双重图案光致抗蚀剂图像成形方法

[发明专利]抗蚀剂剥离装置-CN03178649.9无效
发明人：中川俊元;小川修;森田悟;小早川泰之;菊川诚 -专利权人：长濑产业株式会社;株式会社平间理化研究所;长濑CMS科学技术株式会社
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗蚀剂剥离装置，具有收容粘附抗蚀剂的基板、向该基板上供给抗蚀剂剥离液的抗蚀剂剥离室，与前述抗蚀剂剥离室相连接、导入含该抗蚀剂剥离室内的抗蚀剂剥离液成分的混合气、分离该混合气中的该抗蚀剂剥离液成分的气液分离部分，与前述气液分离部分相连接、把分离的前述抗蚀剂剥离液成分供给前述抗蚀剂剥离室内的回收抗蚀剂剥离液供给部分。
抗蚀剂剥离装置

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
半导体装置制作方法

[发明专利]烷氧基N－羟基烷基链酰胺作为抗蚀剂脱除剂的用途-CN99111965.7无效
发明人：朴东镇;黄震虎;吉俊仍;朴济应;全相文 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-08-05 - 公布日： 2000-02-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物,其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能,其不会对底层产生侵蚀,本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N－羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物,包含烷氧基N－羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。
烷氧基羟基烷基链酰胺作为抗蚀剂脱除用途

[发明专利]抗蚀剂图案的形成方法-CN200580046147.3有效
发明人：岩井武;岩下淳 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明的抗蚀剂图案的形成方法，是包括下述工序(i)～(ii)的抗蚀剂图案的形成方法：(i)使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层，选择性地进行曝光，在该第1抗蚀剂层上形成密图案的潜像部的工序；(ii)使用负型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层，选择性地进行曝光后，同时使第1抗蚀剂层和第2抗蚀剂层显像，使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序；该抗蚀剂图案的形成方法的特征在于：作为所述负型抗蚀剂组合物，使用在不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂中溶解的负型抗蚀剂组合物。
抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]抗蚀图案形成工艺和半导体器件及其制造方法-CN200710008179.5有效
发明人：野崎耕司;小泽美和 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀图案形成工艺，其在图案化步骤中甚至能采用ArF准分子激光作曝光光源，能够增厚抗蚀图案(例如孔图案)而与其尺寸无关，并能高度精确地减小抗蚀空间图案的尺寸，同时避免改变抗蚀图案的形状，由此使这种工艺简单本发明的抗蚀图案形成工艺包括：形成抗蚀图案；在抗蚀图案表面涂覆抗蚀图案增厚材料；加热抗蚀图案增厚材料以增厚抗蚀图案，随后显影；和加热已增厚的抗蚀图案。
图案形成工艺半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法-CN202310013351.5在审
发明人： M·库伊曼;D·M·里约;S·F·乌伊斯特尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。该方法包括：基于所预测的量测轮廓与由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整抗蚀剂模型的参数。
用于减少抗蚀剂模型预测误差系统方法

[发明专利]用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法-CN201880082618.3有效
发明人： M·库伊曼;D·M·里约;S·F·乌伊斯特尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。该方法包括：基于所预测的量测轮廓与由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整抗蚀剂模型的参数。
用于减少抗蚀剂模型预测误差系统方法

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
发明人：畑光宏;桥本和彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(11)：(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第一光致抗蚀剂膜，(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜，(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜，(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影，由此形成第一光致抗蚀剂图案，(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层，(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第二光致抗蚀剂膜，(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜，(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜，和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影，由此形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]制造半导体器件的方法及图案形成方法-CN201010219713.9无效
发明人：宫本宏之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括：第一抗蚀剂膜形成工艺，使用正型光致抗蚀剂材料在处理的目标表面上形成第一抗蚀剂膜；第一抗蚀剂图案形成工艺，在曝光之后进行显影而形成第一抗蚀剂图案，在曝光中曝光光照射到第一抗蚀剂膜上；第二抗蚀剂膜形成工艺，使用光致抗蚀剂材料在形成有第一抗蚀剂图案的处理的目标表面上形成第二抗蚀剂膜；以及第二抗蚀剂图案形成工艺，通过进行曝光并然后进行显影来形成第二抗蚀剂图案，在曝光中曝光的光照射到第二抗蚀剂膜上该方法还包括不溶解化处理工艺，用于使第一抗蚀剂图案不溶解于第二抗蚀剂图案形成工艺中使用的显影剂和光致抗蚀剂材料的溶剂。
制造半导体器件方法图案形成

[发明专利]抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜-CN202210628366.8在审
发明人：池田梢 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜通过上述抗蚀剂膜的形成方法形成。上述抗蚀剂膜的形成方法使用了在常温下高粘度且因加热而上述粘度降低的抗蚀剂，上述抗蚀剂膜的形成方法能够形成膜厚为300μm以上且面内膜厚变动在10％以内的抗蚀剂膜。上述抗蚀剂膜的形成方法包括：工序A，在基材上赋予23℃下的粘度为1000mPa·s～30000mPa·s的抗蚀剂，从而形成上述抗蚀剂膜；工序B，对配置在由限制上述抗蚀剂流出的限制部件包围的区域内的上述抗蚀剂膜进行热处理；及工序C，隔着片材对配置在通过设置将上述抗蚀剂膜调整为所期望厚度的调整部件而形成的区域内的、上述热处理后的上述抗蚀剂膜进行热压。
抗蚀剂膜形成方法

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