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[发明专利]用于形成间隔件和相关结构的方法-CN202310181433.0在审
发明人： Y·汤姆查克;K·A·帕特尔 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：公开了用于图案化和形成结构的方法，以及相关的结构和系统。该方法包括在图案化抗蚀剂的侧壁上形成衬里。图案化抗蚀剂包括第一金属，衬里包括第二金属。
用于形成间隔相关结构方法

[发明专利]适于多次套刻的多时序光刻图案的掩膜板组及制作方法-CN201610151092.2有效
发明人：陶智;李秋实;李海旺;谭啸;徐天彤;余明星 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种适于多次套刻的多时序光刻图案的掩膜板组及制作方法，所述掩膜板包括多块掩膜板，掩膜板的个数为m+1，m为套刻次数，其中，每块掩膜板上均匀划分多个图案区，图案区的总面积等于掩膜板的表面积，图案区的个数至少为m+1；每个图案区上设置有遮光层，遮光层上开设有透光图形，透光图形的种数为m+1；每块掩膜板上且处于相同位置上的图案区所开设的透光图形互不相同，并设掩膜板上处于同一位置上的m+1个透光图形为一套刻序组；任意两个对应位置上的套刻序组不同。本发明掩膜板组在进行多次套刻工艺时，无需考虑图形结构的加工顺序，便可得到不同时序的顺序排列方式，方便了不同时序加工流程，同时节约了掩膜板的数量，降低了成本。
适于多次多时光刻图案掩膜板组制作方法

[发明专利]图案形成方法-CN201910420669.9有效
发明人：渡边司;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该图案形成方法包含：(1)由包含热固化性化合物、产酸剂及增敏剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序，所述热固化性化合物具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基；(2)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜进行图案曝光，在图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护的工序；(3)在所述第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
图案形成方法

[发明专利]光掩模的设计方法与半导体光刻制作工艺-CN201910110925.4有效
发明人：林晓江;张郁萱;曾立君 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种光掩模的设计方法与半导体光刻制作工艺，其中该光掩模的设计方法包括先计算初始光掩模的开口率是否小于25％，若是所述开口率小于25％，则变更所述初始光掩模的设计，使变更后的光掩模与所述初始光掩模设计为反相(reverse tone)且所述变更后的光掩模的开口率在75％以上。所述方法能解决光掩模热膨胀问题。
光掩模设计方法半导体光刻制作工艺

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202211467593.3在审
发明人：王昱夫;张世明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在底层上方形成第一色调抗蚀剂层。第一色调抗蚀剂层经图案化以形成第一图案而暴露一部分底层。第一图案延伸至底层内，并去除第一色调抗蚀剂层。第二色调抗蚀剂层形成在底层上方，其中第二色调与第一色调相反。第二色调抗蚀剂层经图案化以形成第二图案而暴露另一部分底层。第二图案延伸至底层内，并去除第二色调抗蚀剂层。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于极紫外掩模的间隙型吸收体-CN202210618565.0在审
发明人：林怡志;许倍诚;连大成;陈嘉仁;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本公开涉及用于极紫外掩模的间隙型吸收体。提供了一种光刻图案化光致抗蚀剂的方法。该方法包括接收具有光致抗蚀剂的晶圆并使用由EUV掩模反射的极紫外(EUV)辐射来曝光光致抗蚀剂。EUV掩模包括衬底、衬底上的反射多层堆叠、反射多层堆叠上的覆盖层、覆盖层上的图案化吸收体层。图案化吸收体层包括基质金属以及占据基质金属的间隙位置的间隙元素，并且间隙元素与基质金属的尺寸比为约0.41至约0.59。
用于紫外间隙吸收体

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202210037764.2在审
发明人：訾安仁;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：制造半导体装置的方法包括形成光阻剂结构，包括在基板上形成包括光阻剂组成物的光阻剂层。形成光阻剂层之后，以添加剂处理光阻剂层。添加剂选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
半导体装置制作方法

[发明专利]掩模、制造掩模的方法以及制造显示面板的方法-CN202111344806.9在审
发明人：徐甲锺;高敏硕;全保建 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：公开了掩模、制造掩模的方法以及制造显示面板的方法。所述制造掩模的方法包括：形成第一掩模层，在第一掩模层上形成第二掩模层，在第二掩模层上形成光致抗蚀剂图案层，去除第二掩模层的通过光致抗蚀剂图案层暴露的第一区域，限定通过第一掩模层的开口，去除光致抗蚀剂图案层的部分以暴露第二掩模层的第二区域的部分，以及去除第二掩模层的第二区域的部分。
掩模制造方法以及显示面板

[发明专利]光刻方法和制造半导体器件的方法-CN202011085310.X在审
发明人：朴柱铉;金秀珉;金艺灿;金珠英;金珍珠;金贤友;宋炫知;李松世;洪锡九 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。
光刻方法制造半导体器件

[发明专利]形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202011627531.5在审
发明人：苏煜中;葛宗翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种形成光致抗蚀剂图案的方法，包括在形成于衬底上的光致抗蚀剂层上方形成保护层。所述保护层和所述光致抗蚀剂层被选择性地曝露于光化辐射。所述光致抗蚀剂层被显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述保护层包含没有含氮部分的聚合物和碱性淬灭剂、有机酸、光酸产生剂或热酸产生剂。
形成光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110047011.5在审
发明人：翁明晖;刘朕与;刘之诚;郭怡辰;魏嘉林;陈彥儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法-CN201910720035.5在审
发明人： S·布尔;B·哈贝茨;金晥洙 -专利权人：科尼亚克有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本公开提供用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法及相应装置。使用曝光工具组件将光致抗蚀剂层曝光于曝光束，其中，光致抗蚀剂层涂覆半导体衬底，并且其中，对于每次曝光，使用至少包括散焦值和曝光剂量的当前曝光参数集。对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影，其中，从所述光致抗蚀剂层形成了抗蚀剂图案。测量所述抗蚀剂图案的特征特性和/或由所述抗蚀剂图案得到的衬底图案的特征特性。响应于所测得的特征特性与目标特征特性的偏差，更新所述当前曝光参数集。估计在不更新所述曝光参数集的情况下将形成的假想抗蚀剂图案的未经校正的特征特性。响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息，可以改变对所述特征特性的测量策略或者可以更新所述当前曝光参数集。
用于光刻加工半导体器件工艺控制方法

[发明专利]形成图案的方法和制造半导体器件的方法-CN202010586599.7在审
发明人：李炳勋;郑镛席;方珠美;安秉燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：公开了形成图案的方法和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法可以包括：提供衬底，衬底在其上包括抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上涂覆化合物以形成电荷消散层。电荷消散层可以包括导电聚合物和金属络合物。
形成图案方法制造半导体器件

[发明专利]一种光掩模和利用其制造用于滤色器的柱状间隔件的方法-CN201710203549.4有效
发明人：徐大韩;崔东昌;朴光汉;韩尚澈;金在镇;崔银株;宋民守 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模以及一种用于利用该光掩模制造用于滤色器的柱状间隔件的方法，并且根据本发明的一个方面，提供了一种光掩模，该光掩模包括：具有第一透射率的中央区域；第一周边区域，其围绕所述中央区域并具有低于所述第一透射率的第二透射率；以及第二周边区域，其围绕所述第一周边区域并具有所述第一透射率。
一种光掩模利用制造用于滤色器柱状间隔方法

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