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[发明专利]抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜-CN202210628366.8在审
发明人：池田梢 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜通过上述抗蚀剂膜的形成方法形成。上述抗蚀剂膜的形成方法使用了在常温下高粘度且因加热而上述粘度降低的抗蚀剂，上述抗蚀剂膜的形成方法能够形成膜厚为300μm以上且面内膜厚变动在10％以内的抗蚀剂膜。上述抗蚀剂膜的形成方法包括：工序A，在基材上赋予23℃下的粘度为1000mPa·s～30000mPa·s的抗蚀剂，从而形成上述抗蚀剂膜；工序B，对配置在由限制上述抗蚀剂流出的限制部件包围的区域内的上述抗蚀剂膜进行热处理；及工序C，隔着片材对配置在通过设置将上述抗蚀剂膜调整为所期望厚度的调整部件而形成的区域内的、上述热处理后的上述抗蚀剂膜进行热压。
抗蚀剂膜形成方法

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
发明人：畑光宏;桥本和彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(11)：(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第一光致抗蚀剂膜，(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜，(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜，(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影，由此形成第一光致抗蚀剂图案，(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层，(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第二光致抗蚀剂膜，(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜，(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜，和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影，由此形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用-CN202111463400.2在审
发明人：韩传龙;李伟杰;张浙南;朱薛妍;陈涛;黄磊 -专利权人：杭州福斯特电子材料有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用，所述干膜抗蚀剂层压体包括支撑膜、保护膜以及设于支撑膜与保护膜之间的抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜由感光性树脂组合物涂布在所述支撑膜表面经干燥后形成，且所述支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度为3.0‑17.0 N/m，支撑膜达因值为35‑45 mN/m。本发明通过控制抗蚀剂膜中的溶剂残存量以及支撑膜达因值，从而控制支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度，使得最终得到的干膜抗蚀剂层压体中的支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度适中，能够保证在贴膜过程中支撑膜和抗蚀剂膜无剥离，显影过程中支撑膜与抗蚀剂膜易剥离的特点
一种干膜抗蚀剂层压及其制备方法应用

[发明专利]图案形成方法、离子注入方法、层叠体、试剂盒及电子器件的制造方法-CN201880056528.7有效
发明人：畠山直也;米久田康智;东耕平;西田阳一;藤田光宏 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：通过本发明，可以提供一种图案形成方法及使用该图案形成方法的离子注入方法以及用于上述图案形成方法的层叠体、试剂盒、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂组合物及电子器件的制造方法，该图案形成方法包括：(1)在被处理基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；(2)利用含有(A)具有选自包括Si原子及Ti原子的组中的原子的树脂的抗蚀剂组合物，在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；(3)曝光抗蚀剂膜的工序；(4)对经曝光的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；及(5)将抗蚀剂图案作为掩模，对抗蚀剂下层膜进行加工来形成图案的工序，该图案形成方法中，抗蚀剂下层膜的膜厚为2.5μm以上，抗蚀剂膜的膜厚为1μm以下。
图案形成方法离子注入层叠试剂盒电子器件制造

[发明专利]抗蚀剂膜的形成方法-CN202210627987.4在审
发明人：池田梢 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂膜的形成方法，其使用了在常温下具有高粘度且因加热而上述粘度降低的抗蚀剂，在所述抗蚀剂膜的形成方法中，能够形成气泡减少的抗蚀剂膜。所述抗蚀剂膜的形成方法包括：工序A，在基板上赋予23℃下的粘度为1000mPa·s～30000mPa·s的抗蚀剂，从而形成上述抗蚀剂膜；及工序B，对上述抗蚀剂膜进行热处理，上述工序B包括：工序B‑1，通过逐级地或连续地提高上述抗蚀剂膜的温度而降低上述抗蚀剂的粘度；及工序B‑2，在真空环境下加热粘度为5000mPa·s以下的上述抗蚀剂膜。
抗蚀剂膜形成方法

[发明专利]具有砜结构及胺结构的含硅抗蚀剂下层膜形成组合物-CN201380032731.8有效
发明人：菅野裕太;高濑显司;中岛诚;武田谕;若山浩之 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明提供光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物。解决手段是采用下述式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物。该光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种，且该硅烷包含式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物。还提供半导体装置的制造方法，其包含通过将抗蚀剂下层膜形成组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序、在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂膜的工序、对上述抗蚀剂膜进行曝光的工序、曝光后对抗蚀剂膜进行显影而得到图案化的抗蚀剂膜的工序、按照图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序、以及按照图案化抗蚀剂膜及抗蚀剂下层膜加工半导体基板的工序。
具有结构含硅抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]图形形成方法-CN02148238.1无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-09-13 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图形形成方法，在衬底上形成由化学放大型抗蚀剂构成的抗蚀剂膜后，选择性地对该抗蚀剂膜照射曝光光来进行图形曝光。将经过图形曝光的抗蚀剂膜放置(暴露)于显影液中，使用碱性漂洗液对该抗蚀剂膜进行漂洗，形成由抗蚀剂膜构成的抗蚀剂图形。
图形形成方法

[发明专利]掩模坯件的制造方法-CN200580032601.X有效
发明人：大久保靖 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：于掩模坯件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
掩模坯件制造方法

[发明专利]接触孔的形成方法和半导体器件的制造方法-CN200410083750.6无效
发明人：小林祐二 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：用以规定的间隔2维状地配置有掩模图形的第1光掩模使在半导体基板上边形成的抗蚀剂膜曝光，对上述抗蚀剂膜进行显影处理，在上述抗蚀剂膜上形成与上述掩模图形对应的接触孔图形，缩小在上述抗蚀剂膜上形成的上述接触孔图形的开口尺寸，采用使用已形成了规定的图形的第2光掩模使上述抗蚀剂膜曝光的办法，使作为与上述规定的图形对应的上述抗蚀剂膜的部分的第1抗蚀剂膜的熔化开始温度设定得比上述第1抗蚀剂膜以外的第2抗蚀剂膜的熔化开始温度相对地高，采用在上述第2抗蚀剂膜的熔化开始温度或其以上而且在不到上述第1抗蚀剂膜的熔化开始温度的温度对上述半导体基板进行加热处理的办法，使上述第2抗蚀剂膜熔化，消灭在上述第2抗蚀剂膜上形成的上述接触孔图形。
接触形成方法半导体器件制造

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202110019174.2在审
发明人：渡边整;平崎贵英 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜，并且在第一光致抗蚀剂膜上形成与第一光致抗蚀剂膜比具有更高的酸度的第二光致抗蚀剂膜；通过使第一光致抗蚀剂膜和第二光致抗蚀剂膜图案化来形成用于暴露半导体衬底的表面的开口；对第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部涂布收缩材料，并且通过对第一光致抗蚀剂膜、第二光致抗蚀剂膜和收缩材料进行热处理来在开口的内部使收缩材料和第二光致抗蚀剂膜起反应；以及去除第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部的未与第二光致抗蚀剂膜起反应的未反应的收缩材料
用于制造半导体器件方法

[发明专利]抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法-CN200410092193.4无效
发明人：盐原英志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供的一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
抗蚀剂图形形成方法半导体器件制造

[发明专利]制造半导体器件的方法及图案形成方法-CN201010219713.9无效
发明人：宫本宏之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括：第一抗蚀剂膜形成工艺，使用正型光致抗蚀剂材料在处理的目标表面上形成第一抗蚀剂膜；第一抗蚀剂图案形成工艺，在曝光之后进行显影而形成第一抗蚀剂图案，在曝光中曝光光照射到第一抗蚀剂膜上；第二抗蚀剂膜形成工艺，使用光致抗蚀剂材料在形成有第一抗蚀剂图案的处理的目标表面上形成第二抗蚀剂膜；以及第二抗蚀剂图案形成工艺，通过进行曝光并然后进行显影来形成第二抗蚀剂图案，在曝光中曝光的光照射到第二抗蚀剂膜上该方法还包括不溶解化处理工艺，用于使第一抗蚀剂图案不溶解于第二抗蚀剂图案形成工艺中使用的显影剂和光致抗蚀剂材料的溶剂。
制造半导体器件方法图案形成

[发明专利]含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法-CN202010333047.5在审
发明人：荻原勤;渡边司;美谷岛祐介;金山昌广 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为
抗蚀剂下层形成组成图案方法

[发明专利]正型干膜抗蚀剂及蚀刻方法-CN201980082011.X在审
发明人：入泽宗利;中村优子;梶谷邦人 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在将正型干膜抗蚀剂贴附于基材后，能够容易地将(a)支撑体膜和(b)剥离层从(c)正型感光性抗蚀剂层与(b)剥离层的界面剥离，另外，在将正型干膜抗蚀剂切割或分切时不易发生破裂的正型干膜抗蚀剂及使用了该正型干膜抗蚀剂的蚀刻方法，通过正型干膜抗蚀剂及使用了该正型干膜抗蚀剂的蚀刻方法，解决了上述课题，所述正型干膜抗蚀剂的特征在于，至少依次层叠有(a)支撑体膜、(b)剥离层和(c)正型感光性抗蚀剂层，(b)剥离层包含聚乙烯醇，并且(c)正型感光性抗蚀剂层包含酚醛树脂和醌二叠氮磺酸酯作为主成分。
正型干膜抗蚀剂蚀刻方法

[发明专利]抗蚀剂图案形成法及装置、图案基板制法和显示装置制法-CN200510065732.X无效
发明人：村上雄亮 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-04-06 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明旨在提供可用简易的结构形成高精度的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案形成装置。该抗蚀剂图案形成装置中设有：接受基板的接受部(51)、输送基板的输送部件(60)、对输送部件输送的基板形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成部件(54)、隔着掩模图案对抗蚀剂膜照射光的曝光部件(56)、曝光后将抗蚀剂膜显影的显影部件(58)、探测显影后的抗蚀剂膜的图案的缺陷的缺陷探测部件(61)以及根据缺陷探测部件的探测结果修复抗蚀剂图案的缺陷部的修复部件(62)。
抗蚀剂图案形成装置制法显示装置

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