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- [发明专利]曝光方法和曝光装置-CN201810825545.4有效
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李永尧;刘恒信;郭宏铭;彭瑞君
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2018-07-25
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2021-06-08
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G03F7/20
- 本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的曝光方法和曝光装置。在曝光装置中执行的方法中，基于曝光图和曝光区域内的芯片区域布局来设置聚焦控制有效区域和聚焦控制无效区域。测量横跨晶圆的聚焦调平数据。利用曝光光线曝光晶圆上的光刻胶层。当曝光区域的多个芯片区域的芯片区域位于晶圆的有效区域内时，芯片区域包括在聚焦控制有效区域中，并且当多个芯片区域的芯片区域的一部分或全部位于晶圆的有效区域的外围上或外部时，芯片区域包括在聚焦控制无效区域中。在曝光中，通过使用在聚焦控制有效区域处测量的聚焦调平数据来控制聚焦调平。
- 曝光方法装置
- [发明专利]制造半导体结构的方法-CN201711250148.0有效
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李永尧;沈恩照
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2017-12-01
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2021-05-04
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G03F7/20
- 本发明实施例是关于一种制造半导体结构的方法，其包含提供包含多个第一晶片的第一批次及包含多个第二晶片的第二批次；导出用于处理所述第一批次的第一处理时间；导出用于处理所述第二批次的第二处理时间；导出所述第一处理时间与所述第二处理时间之间的处理时间差；在掩模台上装载第一掩模；在晶片台上处理所述第一批次；从所述掩模台移除所述第一掩模；在所述掩模台上装载第二掩模；及在所述晶片台上处理所述第二批次，其中完成所述第一批次的所述处理与开始所述第二批次的所述处理之间的时间间隔基本上大于或等于所述处理时间差。
- 制造半导体结构方法
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