[发明专利]半导体装置的制作方法有效

申请号：	201611187173.4	申请日：	2016-12-20
公开（公告）号：	CN107203092B	公开（公告）日：	2022-06-21
发明（设计）人：	赖韦翰;张庆裕	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	G03F1/56	分类号：	G03F1/56;G03F1/76
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	张福根
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：	一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
搜索关键词：	半导体装置制作方法
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摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。

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摘要：公开了掩模、制造掩模的方法以及制造显示面板的方法。所述制造掩模的方法包括：形成第一掩模层，在第一掩模层上形成第二掩模层，在第二掩模层上形成光致抗蚀剂图案层，去除第二掩模层的通过光致抗蚀剂图案层暴露的第一区域，限定通过第一掩模层的开口，去除光致抗蚀剂图案层的部分以暴露第二掩模层的第二区域的部分，以及去除第二掩模层的第二区域的部分。

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摘要：提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。

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摘要：本申请提供一种形成光致抗蚀剂图案的方法，包括在形成于衬底上的光致抗蚀剂层上方形成保护层。所述保护层和所述光致抗蚀剂层被选择性地曝露于光化辐射。所述光致抗蚀剂层被显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述保护层包含没有含氮部分的聚合物和碱性淬灭剂、有机酸、光酸产生剂或热酸产生剂。

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申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F1/56
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。

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摘要：本公开提供用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法及相应装置。使用曝光工具组件将光致抗蚀剂层曝光于曝光束，其中，光致抗蚀剂层涂覆半导体衬底，并且其中，对于每次曝光，使用至少包括散焦值和曝光剂量的当前曝光参数集。对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影，其中，从所述光致抗蚀剂层形成了抗蚀剂图案。测量所述抗蚀剂图案的特征特性和/或由所述抗蚀剂图案得到的衬底图案的特征特性。响应于所测得的特征特性与目标特征特性的偏差，更新所述当前曝光参数集。估计在不更新所述曝光参数集的情况下将形成的假想抗蚀剂图案的未经校正的特征特性。响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息，可以改变对所述特征特性的测量策略或者可以更新所述当前曝光参数集。

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摘要：公开了形成图案的方法和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法可以包括：提供衬底，衬底在其上包括抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上涂覆化合物以形成电荷消散层。电荷消散层可以包括导电聚合物和金属络合物。

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申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G03F1/56
摘要：本发明涉及一种光掩模以及一种用于利用该光掩模制造用于滤色器的柱状间隔件的方法，并且根据本发明的一个方面，提供了一种光掩模，该光掩模包括：具有第一透射率的中央区域；第一周边区域，其围绕所述中央区域并具有低于所述第一透射率的第二透射率；以及第二周边区域，其围绕所述第一周边区域并具有所述第一透射率。

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摘要：本发明公开了一种显示面板的信号线的制程方法及显示面板，方法包括在显示面板上形成信号线的材料层；在材料层上形成光致抗蚀剂层；使用掩膜板对光致抗蚀剂层进行光罩处理，以使光致抗蚀剂层形成阶梯状图案，且阶梯状图案化的光致抗蚀剂层包括第一类型曝光区域和第二类型曝光区域，其中，第一类型曝光区域的高度不同于第二类型曝光区域的高度；将阶梯状图案化的光致抗蚀剂层第一类型曝光区域去除，而保留第二类型曝光区域；利用剩余的光致抗蚀剂层的第二类型曝光区域作为掩膜对材料层进行蚀刻，以在显示面板上得到图案化的材料层。通过上述方式，本发明能够得到较窄线宽的信号线。

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申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G03F1/56
摘要：本发明的课题在于提供一种光掩模的制造方法、光掩模和图案转印方法，对于光掩模而言，即便是CD低于3μm的细微图案，也可以在被转印体上稳定地形成，此外，充分抑制了其面内的CD偏差。本发明涉及一种光掩模的制造方法，其为具有包含光学膜图案的转印用图案的光掩模的制造方法，该光学膜图案是含有Cr的光学膜在透明基板上进行图案化而成的，该光掩模的制造方法具有以下工序：准备在上述透明基板上具有上述光学膜的光掩模中间体的工序；对上述光学膜照射真空紫外线而将上述光学膜的膜质改质的改质工序；在上述改质后的光学膜上涂布光致抗蚀膜的工序；对上述光致抗蚀膜进行描绘和显影而形成抗蚀图案的工序；使用上述抗蚀图案对上述光学膜进行湿式蚀刻而形成上述光学膜图案的蚀刻工序；和除去上述抗蚀图案的工序。

光刻方法-201710794553.2
发明人：翁明晖;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G03F1/56
摘要：本公开实施例提供光刻光致抗蚀剂材料与对应的光刻技术以改善光刻分辨率，特别是在显影时降低光致抗蚀剂层的膨润现象。例示性的光刻方法包含在光致抗蚀剂层上进行处理工艺，使光致抗蚀剂层的酸活性基团组成经由可交联功能组成进行交联反应；在光致抗蚀剂层上进行曝光工艺；以及在光致抗蚀剂层上进行显影工艺。在一些实施方式中，曝光工艺后的光致抗蚀剂层包含曝光部分与未曝光部分，且处理工艺可增加未曝光部分中的聚合物分子量，以降低未曝光部分对显影工艺采用的显影剂的溶解度。处理工艺可在曝光工艺之前或之后进行。处理工艺可包含进行热处理和/或电磁波处理，以加热光致抗蚀剂层。

适于多次套刻的多时序光刻图案的掩膜板组-201620203434.6
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申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： G03F1/56
摘要：本实用新型提供一种适于多次套刻的多时序光刻图案的掩膜板组，所述掩膜板包括多块掩膜板，掩膜板的个数为m+1，m为套刻次数，其中，每块掩膜板上均匀划分多个图案区，图案区的总面积等于掩膜板的表面积，图案区的个数至少为m+1；每个图案区上设置有遮光层，遮光层上开设有透光图形，透光图形的种数为m+1；每块掩膜板上且处于相同位置上的图案区所开设的透光图形互不相同，并设掩膜板上处于同一位置上的m+1个透光图形为一套刻序组；任意两个对应位置上的套刻序组不同。本实用新型掩膜板组在进行多次套刻工艺时，无需考虑图形结构的加工顺序，便可得到不同时序的顺序排列方式，方便了不同时序加工流程，同时节约了掩膜板的数量，降低了成本。

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摘要：本发明系揭露一种光罩基板，包含透明基板而将曝光光线予以投送于该透明基板之上，以及黑色矩阵光阻层，经配置而包括炭黑分散液、具有胺基的共聚物及/或具有季铵盐的共聚物、含有分散成分的有机溶剂、具有羧基的黏合剂树脂、不饱和单体、以及卤素光的光敏材料或波长范围在480-540纳米的绿光的光敏材料，使得该黑色矩阵光阻层系作为一个单层以作为遮光膜及曝光的感光膜，以及使得该黑色矩阵光阻层的表面经制造而为防止化学处理操作的损伤及机械性刻刮。

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摘要：本发明提供了图案化层状材料的方法，该方法包括：提供层状材料；形成光致抗蚀剂层于该层状材料上；以激光光束图案化光致抗蚀剂层，露出部分的层状材料；以及蚀刻露出的部分的层状材料，以图案化层状材料。

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摘要：在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜（13）之上，层叠不含有铬、在氟类干式蚀刻且含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的膜（14）。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]半导体装置的制作方法有效

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