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[发明专利]抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案的制造方法以及镀敷造型物的制造方法-CN202110189234.5在审
发明人：杉原昌子;西村崇;中西润次 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种对镀敷处理具有充分的耐性且能够精度优良地形成抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物。并提供使用了该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的制造方法、以及使用了该抗蚀剂图案的镀敷造型物的制造方法。本发明涉及含有具有醌二叠氮基磺酰基的化合物(I)、包含具有对酸不稳定的基团的结构单元的树脂(A1)、碱可溶性树脂(A2)及酸产生剂(B)的抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物制造抗蚀剂图案的方法、以及使用该抗蚀剂图案制造镀敷造型物的方法
抗蚀剂组合图案制造方法以及造型

[发明专利]印刷用抗蚀剂及使用该抗蚀剂的构图方法-CN200710104732.5有效
发明人：金珍郁 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种印刷用抗蚀剂及使用该抗蚀剂的构图方法，其中，所述抗蚀剂被涂覆在印刷辊上，然后被依次转印在印刷板和基板上，其中，所述抗蚀剂与所述印刷板之间的内聚能大于所述抗蚀剂与形成在所述印刷辊的表面上的覆盖层之间的内聚能，并且所述抗蚀剂与所述基板之间的内聚能大于所述抗蚀剂与形成在所述印刷辊的表面上的所述覆盖层之间的内聚能，使得将所述抗蚀剂精确地转印在所述印刷板和所述基板上，由此实现精确的抗蚀剂图形。
印刷用抗蚀剂使用抗蚀剂构图方法

[发明专利]阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法-CN200510009041.8无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成分溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。
阻挡形成用材料及使用图案方法

[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法-CN201380060226.4在审
发明人：细樅茂 -专利权人：友立材料股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，依次经由下述工序：a)，在金属板表面，通过主要的感光波长不同的抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层构成的2层抗蚀剂层的工序；b)在下抗蚀剂层未曝光状态下，按照预定图案使上抗蚀剂层曝光的工序；c)显影工序，在上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，在未曝光状态的下抗蚀剂层中，按照该预定图案，形成开口部，部分性地露出金属板表面；d)使下抗蚀剂层曝光而硬化的工序；e)向从下抗蚀剂层露出了的金属板表面的预定镀敷层的形成工序；f)将下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层抗蚀剂层全部剥离的工序；以及g)使在e)工序中形成了的镀敷层侧面粗化的工序。
半导体元件搭载用基板及其制造方法

[发明专利]一种生产抗蚀砌块的方法-CN201711368607.5在审
发明人：潘敏尧;李鹏;陈锡麟;陈忠平;何威;冯波宇;伍航宇;黄小波;黄威龙;张善硕;赵泽民 -专利权人：固岩科技发展有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C04B28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产抗蚀砌块的方法。这种生产抗蚀砌块的方法，包括以下步骤：1)制备抗蚀水泥浆料：先将水泥、矿粉、硬脂酸钙、石膏、铝矾土和聚丙烯混合，再加入水混合，然后加入粉煤灰和石棉，混合均匀，得到抗蚀水泥浆料；2)制备抗蚀泡沫浆料：将抗蚀水泥浆料和发泡剂溶液、稳泡剂、减水剂混合，搅拌均匀，得到抗蚀泡沫浆料；3)注模成型：将抗蚀泡沫浆料注入模具，加热养护，冷却后脱模，得到抗蚀砌块。本发明通过利用粉煤灰、矿渣等工业废渣具有良好混凝土活性矿物掺合料的性能，把矿渣及粉煤灰应用在建筑节能砌块的生产过程中，其生产方法简便，成本低，节能效率高，抗蚀性能好，具有非常广阔的应用前景。
抗蚀砌块泡沫浆料水泥浆料粉煤灰矿渣制备聚丙烯铝矾土活性矿物掺合料生产发泡剂溶液粉煤灰应用工业废渣建筑节能节能效率抗蚀性能生产过程硬脂酸钙注模成型减水剂水混合稳泡剂石棉矿粉石膏脱模加热模具混凝土冷却养护水泥应用

[发明专利]正型干膜抗蚀剂及蚀刻方法-CN201980082011.X在审
发明人：入泽宗利;中村优子;梶谷邦人 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在将正型干膜抗蚀剂贴附于基材后，能够容易地将(a)支撑体膜和(b)剥离层从(c)正型感光性抗蚀剂层与(b)剥离层的界面剥离，另外，在将正型干膜抗蚀剂切割或分切时不易发生破裂的正型干膜抗蚀剂及使用了该正型干膜抗蚀剂的蚀刻方法，通过正型干膜抗蚀剂及使用了该正型干膜抗蚀剂的蚀刻方法，解决了上述课题，所述正型干膜抗蚀剂的特征在于，至少依次层叠有(a)支撑体膜、(b)剥离层和(c)正型感光性抗蚀剂层，(b)剥离层包含聚乙烯醇，并且(c)正型感光性抗蚀剂层包含酚醛树脂和醌二叠氮磺酸酯作为主成分。
正型干膜抗蚀剂蚀刻方法

[发明专利]配线板的制造方法及配线板、和成型品的制造方法及成型品-CN202080082011.2在审
发明人：小清水和敏 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H05K3/20 文献下载
摘要：配线板的制造方法具备：第一配置工序，在基板(10)上配置第一抗蚀剂材料(200)；第一固化工序，使第一抗蚀剂材料(200)固化而形成第一抗蚀剂层(20)；第一形成工序，在脱模膜(80)上形成外涂层(70)；第二形成工序，在外涂层(70)上形成第一及第二导体部(41、61)；第二配置工序，以覆盖第一及第二导体部(41、61)的方式在外涂层(70)上配置第二抗蚀剂材料(300)；第二固化工序，使第二抗蚀剂材料(300)固化而形成第二抗蚀剂层(30)；贴合工序，使第一抗蚀剂层(20)与第二抗蚀剂层(30)贴合；热压接工序，在贴合工序后，对第一抗蚀剂层(20)与第二抗蚀剂层(30)进行热压接；剥离工序，剥离脱模膜
线板制造方法成型

[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体-CN201510050337.8有效
发明人：李志强;李伟杰;严晓慧;周光大;林建华 -专利权人：杭州福斯特应用材料股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种干膜抗蚀剂层压体，包括支撑层、涂覆于撑层上方的第一抗蚀剂层以及涂覆于第一抗蚀剂层上方的第二抗蚀剂层；所述第一抗蚀剂层的酸值为80~400 mgKOH/g，第二抗蚀剂层的酸值比第一抗蚀剂层酸值高本发明采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。使其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。
一种干膜抗蚀剂层压

[发明专利]制造空气桥的方法-CN201110317588.X有效
发明人：小坂尚希;金谷康;塚原良洋 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法是：在抗蚀层(100)上涂布作为第2抗蚀层的抗蚀层(102)。对于抗蚀层(102)，也和第1层(抗蚀层(100))一样，通过进行曝光显影留下规定的尺寸(L2)，其后，涂布第3抗蚀层(抗蚀层(104))。在第3层(抗蚀层(104))也进行曝光显影，留下规定的尺寸(L3)。在形成的抗蚀层(100、102、104)的叠层结构上，叠层形成空气桥(10)的材料的层(106)，以形成空气桥(10)。通过去除抗蚀层，完成截面形状为阶梯状的空气桥(10)的制作。
制造空气方法

[发明专利]制造抗蚀图案的方法-CN201010133044.3无效
发明人：市川幸司;杉原昌子 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造抗蚀图案的方法，所述图案足够微型化且具有优异形状，所述方法包括重复进行形成图案化抗蚀膜的工序，且所述工序包括步骤(1)(形成抗蚀膜，并将所述形成的抗蚀膜曝光)等，以通过n个循环形成图案化抗蚀膜，从而得到抗蚀图案。其中在形成所述图案化抗蚀膜工序的n个循环中，至少一个循环的步骤(1)中曝光的所述抗蚀膜是通过将抗蚀组合物成层而形成的膜。所述抗蚀组合物含有树脂(B)、光生酸剂(A)和交联剂(C)，其中所述树脂(B)因酸的作用可溶于碱性水溶液中，且具有7000～10000的重均分子量和150～200℃的玻璃化转变温度。
制造图案方法

[发明专利]用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法-CN201010190488.0无效
发明人： M·A·多特柴沃;M·杜萨;R·J·F·范哈恩;H·西韦尔;R·W·范德赫杰登 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法。在所述方法中，包括至少一个对准标记的第一抗蚀剂层形成在衬底上。在对第一抗蚀剂层进行显影之后，第二抗蚀剂层沉积到第一抗蚀剂层上，从而产生平坦的顶表面(即没有拓扑)。通过适当地焙烤第二抗蚀剂层，对称的对准标记形成在第二抗蚀剂层中，且与第一抗蚀剂中的对准标记有小的偏置误差或没有偏置误差。可以通过适当地调整所述第一和第二抗蚀剂层的各自的厚度、涂覆工艺参数和焙烤工艺参数来改善第二抗蚀剂中形成的对准标记的对称性。
用于双重图案光刻工艺提供抗蚀剂对准标记设备方法

[发明专利]抗蚀剂剥离液控制装置-CN98108312.9无效
发明人：中川俊元;中川光元;小川修;西嶋佳孝;宝山隆博 -专利权人：株式会社平间理化研究所;长濑产业株式会社
申请日： 1998-05-12 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种在半导体制造工艺或液晶基板制造工艺中对用于剥离抗蚀剂的抗蚀剂剥离液进行控制的装置，其目的是将抗蚀剂剥离液的质量控制恒定，而且削减溶液使用量，减少停机时间并降低成本。该控制装置具有一个用于通过吸光光度计16测定抗蚀剂剥离液中溶解的抗蚀剂浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液、纯水以及预先调配好的抗蚀剂剥离新液中至少一种的抗蚀剂浓度测定·液体补给装置；以及一个用于通过吸光光度计15测定抗蚀剂剥离液中的羟胺浓度并补给抗蚀剂剥离原液、羟胺溶液和纯水中至少一种的羟胺浓度测定·液体补给装置。
抗蚀剂剥离控制装置

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202010009130.7在审
发明人：刘如淦;张惠政;陈佳政;谢志宏;陈亮吟;孙书辉;林纬良;张雅惠;苏怡年;严永松;张家峰;叶雅雯;沈育佃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在一种形成图案的方法中，在底层上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层曝光于承载图案信息的光化辐射，对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经显影的抗蚀剂图案，将定向蚀刻操作应用于经显影的抗蚀剂图案以形成经修整的抗蚀剂图案，以及使用经修整的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来对底层进行图案化。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造光致抗蚀剂图案的方法-CN200810134017.0无效
发明人：姜在贤 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光致抗蚀剂图案的方法。该方法包括在蚀刻目标层上涂覆光致抗蚀剂，采用使用掩模的曝光工艺形成最初的光致抗蚀剂图案，以及采用包含反应性有机材料的光致抗蚀剂材料生长最初的光致抗蚀剂图案以形成最后的光致抗蚀剂图案。本发明无需功能特定的高价设备即可制造光致抗蚀剂图案，有利于生产，可确保稳定的工艺余量并实现微观设计规则。
制造光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]制造母板和形成图案的方法、母板、模板、光信息记录介质和抗蚀剂-CN200410057680.7无效
发明人：伊藤英一;大野锐二;川口优子 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-23 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：一种制造光信息记录介质的母板的方法，包括：抗蚀层形成步骤，使用抗蚀剂在衬底的上表面形成抗蚀层；曝光步骤，有选择性地曝光抗蚀层，以使抗蚀层中的状态发生变化；以及显影步骤，在执行曝光步骤之后，在抗蚀层上执行碱性显影处理抗蚀剂主要由无机材料组成，并且至少包括锑和氧，此外还含有在碱性环境中比TeO₂的溶解度更低的稳定化添加剂。
制造母板形成图案方法模板信息记录介质抗蚀剂