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- [发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
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赖韦翰;张庆裕
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2016-12-20
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2022-06-21
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G03F1/56
- 一种半导体装置的制作方法,包括:形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化,增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后,涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模,图案化可图案化层。
- 半导体装置制作方法
- [发明专利]抗蚀剂图案的形成方法-CN200580046147.3有效
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岩井武;岩下淳
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东京应化工业株式会社
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2005-11-08
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2008-01-02
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G03F7/26
- 本发明的抗蚀剂图案的形成方法,是包括下述工序(i)~(ii)的抗蚀剂图案的形成方法:(i)使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层,选择性地进行曝光,在该第1抗蚀剂层上形成密图案的潜像部的工序;(ii)使用负型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,同时使第1抗蚀剂层和第2抗蚀剂层显像,使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序;该抗蚀剂图案的形成方法的特征在于:作为所述负型抗蚀剂组合物,使用在不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂中溶解的负型抗蚀剂组合物。
- 抗蚀剂图案形成方法
- [发明专利]制造半导体器件的方法及图案形成方法-CN201010219713.9无效
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宫本宏之
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索尼公司
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2010-06-29
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2011-01-12
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H01L21/00
- 制造半导体器件的方法包括:第一抗蚀剂膜形成工艺,使用正型光致抗蚀剂材料在处理的目标表面上形成第一抗蚀剂膜;第一抗蚀剂图案形成工艺,在曝光之后进行显影而形成第一抗蚀剂图案,在曝光中曝光光照射到第一抗蚀剂膜上;第二抗蚀剂膜形成工艺,使用光致抗蚀剂材料在形成有第一抗蚀剂图案的处理的目标表面上形成第二抗蚀剂膜;以及第二抗蚀剂图案形成工艺,通过进行曝光并然后进行显影来形成第二抗蚀剂图案,在曝光中曝光的光照射到第二抗蚀剂膜上该方法还包括不溶解化处理工艺,用于使第一抗蚀剂图案不溶解于第二抗蚀剂图案形成工艺中使用的显影剂和光致抗蚀剂材料的溶剂。
- 制造半导体器件方法图案形成
- [发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
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畑光宏;桥本和彦
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住友化学株式会社
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2010-10-19
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2011-05-04
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G03F7/00
- 本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法,所述方法包括步骤(1)至(11):(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物,接着进行干燥,由此形成第一光致抗蚀剂膜,(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜,(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射,(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜,(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影,由此形成第一光致抗蚀剂图案,(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层,(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物,接着进行干燥,由此形成第二光致抗蚀剂膜,(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜,(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射,(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜,和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影,由此形成第二光致抗蚀剂图案
- 用于制备光致抗蚀剂图案方法
- [发明专利]抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜-CN202210628366.8在审
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池田梢
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富士胶片株式会社
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2022-06-06
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2022-12-20
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H01L21/56
- 本发明涉及抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜,所述抗蚀剂膜通过上述抗蚀剂膜的形成方法形成。上述抗蚀剂膜的形成方法使用了在常温下高粘度且因加热而上述粘度降低的抗蚀剂,上述抗蚀剂膜的形成方法能够形成膜厚为300μm以上且面内膜厚变动在10%以内的抗蚀剂膜。上述抗蚀剂膜的形成方法包括:工序A,在基材上赋予23℃下的粘度为1000mPa·s~30000mPa·s的抗蚀剂,从而形成上述抗蚀剂膜;工序B,对配置在由限制上述抗蚀剂流出的限制部件包围的区域内的上述抗蚀剂膜进行热处理;及工序C,隔着片材对配置在通过设置将上述抗蚀剂膜调整为所期望厚度的调整部件而形成的区域内的、上述热处理后的上述抗蚀剂膜进行热压。
- 抗蚀剂膜形成方法
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