专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2240204个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]材料分配系统-CN201911199126.5在审
  • 徐振益;李尚昇;李永尧 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-11-29 - 2020-06-09 - G03F7/42
  • 一种材料分配系统包括供应部和过滤器,该过滤器在该供应部的下游连接到该供应部。该材料分配系统包括储罐结构,该储罐结构在过滤器的下游连接到该过滤器;以及泵送装置,该泵送装置在该储罐结构的下游连接到该储罐结构。储罐结构为竖直布置的,使得材料从材料进入储罐结构的位置开始直到材料离开储罐结构为止以连续向下流进行流动。
  • 抗蚀剂材料分配系统
  • [发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
  • 赖韦翰;张庆裕 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-12-20 - 2022-06-21 - G03F1/56
  • 一种半导体装置的制作方法,包括:形成光致图案于可图案化层上。光致层包含负型光致材料。对光致层进行曝光工艺。对光致层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致层以显影光致图案。施加底漆材料至光致图案。底漆材料为设置用于使光致图案轮廓平直化,增加光致材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后,涂布收缩材料于光致图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致图案。以增大的光致图案作为掩模,图案化可图案化层。
  • 半导体装置制作方法
  • [发明专利]图案的形成方法-CN200580046147.3有效
  • 岩井武;岩下淳 - 东京应化工业株式会社
  • 2005-11-08 - 2008-01-02 - G03F7/26
  • 本发明的图案的形成方法,是包括下述工序(i)~(ii)的图案的形成方法:(i)使用正型组合物在基板上形成第1层,选择性地进行曝光,在该第1层上形成密图案的潜像部的工序;(ii)使用负型组合物在该第1层上形成第2层,选择性地进行曝光后,同时使第1层和第2层显像,使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序;该图案的形成方法的特征在于:作为所述负型组合物,使用在不溶解第1层的有机溶剂中溶解的负型组合物。
  • 抗蚀剂图案形成方法
  • [发明专利]组合物和半导体器件制造方法-CN201110287475.X无效
  • 有光晃二;松泽伸行;三田勲 - 索尼公司
  • 2011-09-26 - 2012-04-18 - G03F7/004
  • 本发明提供一种组合物,其含有在酸存在下交联的交联材料、酸增幅和溶剂。本发明还提供一种半导体器件制造方法,其包括:利用第一组合物在半导体基板上形成第一图形,第一图形能够供给酸;通过在第一图形上涂布第二组合物形成第二层,第二组合物含有在酸存在下交联的交联材料、酸增幅和溶剂;通过使酸从第一图形扩散到第二层而在第二层中形成交联部;以及除去第二层的未交联部分。根据本发明,能够使图形的开口微型化。
  • 抗蚀剂组合半导体器件制造方法
  • [发明专利]制造半导体器件的方法及图案形成方法-CN201010219713.9无效
  • 宫本宏之 - 索尼公司
  • 2010-06-29 - 2011-01-12 - H01L21/00
  • 制造半导体器件的方法包括:第一膜形成工艺,使用正型光致材料在处理的目标表面上形成第一膜;第一图案形成工艺,在曝光之后进行显影而形成第一图案,在曝光中曝光光照射到第一膜上;第二膜形成工艺,使用光致材料在形成有第一图案的处理的目标表面上形成第二膜;以及第二图案形成工艺,通过进行曝光并然后进行显影来形成第二图案,在曝光中曝光的光照射到第二膜上该方法还包括不溶解化处理工艺,用于使第一图案不溶解于第二图案形成工艺中使用的显影和光致材料的溶剂。
  • 制造半导体器件方法图案形成
  • [发明专利]用于制备光致图案的方法-CN201010517468.X无效
  • 畑光宏;桥本和彦 - 住友化学株式会社
  • 2010-10-19 - 2011-05-04 - G03F7/00
  • 本发明提供用于制备光致图案的方法,所述方法包括步骤(1)至(11):(1)在基底上涂覆第一光致组合物,接着进行干燥,由此形成第一光致膜,(2)预焙烘第一光致膜,(3)将预烘焙的第一光致膜曝光于辐射,(4)烘焙曝光的第一光致膜,(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致膜显影,由此形成第一光致图案,(6)在第一光致图案上形成涂层,(7)在涂层上涂覆第二光致组合物,接着进行干燥,由此形成第二光致膜,(8)预焙烘第二光致膜,(9)将预烘焙的第二光致膜曝光于辐射,(10)烘焙曝光的第二光致膜,和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致膜显影,由此形成第二光致图案
  • 用于制备光致抗蚀剂图案方法
  • [发明专利]膜的形成方法及-CN202210628366.8在审
  • 池田梢 - 富士胶片株式会社
  • 2022-06-06 - 2022-12-20 - H01L21/56
  • 本发明涉及膜的形成方法及膜,所述膜通过上述膜的形成方法形成。上述膜的形成方法使用了在常温下高粘度且因加热而上述粘度降低的,上述膜的形成方法能够形成膜厚为300μm以上且面内膜厚变动在10%以内的膜。上述膜的形成方法包括:工序A,在基材上赋予23℃下的粘度为1000mPa·s~30000mPa·s的,从而形成上述膜;工序B,对配置在由限制上述流出的限制部件包围的区域内的上述膜进行热处理;及工序C,隔着片材对配置在通过设置将上述膜调整为所期望厚度的调整部件而形成的区域内的、上述热处理后的上述膜进行热压。
  • 抗蚀剂膜形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top