[发明专利]制造半导体器件的方法及图案形成方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法及图案形成方法。制造半导体器件的方法包括：第一抗蚀剂膜形成工艺，使用正型光致抗蚀剂材料在处理的目标表面上形成第一抗蚀剂膜；第一抗蚀剂图案形成工艺，在曝光之后进行显影而形成第一抗蚀剂图案，在曝光中曝光光照射到第一抗蚀剂膜上；第二抗蚀剂膜形成工艺，使用光致抗蚀剂材料在形成有第一抗蚀剂图案的处理的目标表面上形成第二抗蚀剂膜；以及第二抗蚀剂图案形成工艺，通过进行曝光并然后进行显影来形成第二抗蚀剂图案，在曝光中曝光的光照射到第二抗蚀剂膜上。该方法还包括不溶解化处理工艺，用于使第一抗蚀剂图案不溶解于第二抗蚀剂图案形成工艺中使用的显影剂和光致抗蚀剂材料的溶剂。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：第一抗蚀剂膜形成工艺，使用正型光致抗蚀剂材料在处理的目标表面上形成第一抗蚀剂膜；第一抗蚀剂图案形成工艺，通过在曝光之后进行显影而形成第一抗蚀剂图案，在该曝光中曝光光照射到所述第一抗蚀剂膜上；第二抗蚀剂膜形成工艺，使用光致抗蚀剂材料在形成有所述第一抗蚀剂图案的所述处理的目标表面上形成第二抗蚀剂膜；以及第二抗蚀剂图案形成工艺，通过进行曝光然后进行显影来形成第二抗蚀剂图案，在该曝光中曝光光照射到所述第二抗蚀剂膜上，其中，该方法还包括在所述第二抗蚀剂膜形成工艺之前的不溶解化处理工艺，该不溶解化处理工艺使所述第一抗蚀剂图案不溶解于在所述第二抗蚀剂图案形成工艺的显影中使用的显影剂以及在所述第二抗蚀剂膜形成工艺中使用的光致抗蚀剂材料的溶剂，并且在所述不溶解化处理工艺中，所述第一抗蚀剂图案的不溶解化处理通过顺次进行再曝光步骤和加热处理步骤来进行，该再曝光步骤进行再曝光，在该再曝光步骤中将与在所述第一抗蚀剂图案形成工艺的曝光中照射的曝光光具有相同波长的光照射到所述第一抗蚀剂图案上，该加热处理步骤进行加热处理以加热经受了再曝光工艺的所述第一抗蚀剂图案。