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[发明专利]正性作用的可光成像底部抗反射涂层-CN200980161858.3无效
发明人： R·R·达梅尔;S·查克拉帕尼;M·帕德马纳班;宫崎真治;E·W·额;工藤隆范;A·D·迪奥赛斯;F·M·霍利亨 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及正性底部可光成像抗反射涂料组合物，其能在含水碱性显影剂中显影，其中该抗反射涂料组合物包含聚合物，该聚合物包含至少一种具有发色团的重复单元以及一种具有羟基和/或羧基的重复单元，结构(7)的乙烯基醚封端交联剂，还任选，光致酸产生剂和/或酸和/或热致酸产生剂，其中结构(7)是，其中W选自(C1-C30)直链、支链或者环状的烷基组成部分，取代的或者未被取代的(C3-C40)脂环烃组成部分以及取代的或者未被取代的(C3-C40)环烷基亚烷基组成部分；R选自C1-C10直链或者支链亚烷基以及n＞2。本发明还涉及使用上述组合物的方法。
作用成像底部反射涂层

[发明专利]使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法-CN200980156339.8有效
发明人： D·J·阿布达拉;R·R·达梅尔;高野祐辅;李晋;黑泽和则 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基材上形成任选的吸收性有机底层；b)在所述底层上方形成光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)在所述光致抗蚀剂图案上方由聚硅氮烷涂料组合物形成聚硅氮烷涂层，其中所述聚硅氮烷涂层比所述光致抗蚀剂图案厚，和进一步其中所述聚硅氮烷涂料组合物包含硅/氮聚合物和有机涂料溶剂；e)蚀刻所述聚硅氮烷涂层以除去所述聚硅氮烷涂层至少直到所述光致抗蚀剂的顶部的程度以致所述光致抗蚀剂图案露出；和f)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和在所述光致抗蚀剂下方的底层，从而在曾经存在所述光致抗蚀剂图案的位置的下方形成开口。本发明进一步涉及上述方法的产品和由使用上述方法制成的微电子器件。
使用聚硅氮烷形成色调图像硬掩模方法

[发明专利]用于在光致抗蚀剂图案上面涂覆的含水组合物-CN200980122674.6有效
发明人： M·迪亚加拉詹;曹毅;洪圣恩;R·R·达梅尔 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C09D133/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于涂覆光致抗蚀剂图案的水性涂料组合物，其包含含至少一种具有烷基氨基的单元的聚合物，其中该单元具有结构(1)，其中R₁-R₅独立地选自氢和C₁-C₆烷基，和W是C₁-C₆烷基。本发明还涉及使用本发明组合物使光致抗蚀剂层成像的方法。
用于光致抗蚀剂图案上面含水组合

[发明专利]包括图案硬化步骤的用于缩小光致抗蚀剂图案之间的尺寸的工艺-CN200980111594.0无效
发明人： D·J·阿卜杜拉;R·R·达梅尔;V·蒙里尔 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：一种在器件上形成光致抗蚀剂图案的工艺，其包括：a)在基材上由第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)使第一光致抗蚀剂成像式曝光；c)使第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包含至少2个氨基(NH2)的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，由此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括硬化的第一光致抗蚀剂图案的基材的区域上由第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)使第二光致抗蚀剂整片曝光；和g)使整片曝光的第二光致抗蚀剂显影以形成具有增加的尺寸和减小的间隔的光致抗蚀剂图案。
包括图案硬化步骤用于缩小光致抗蚀剂之间尺寸工艺

[发明专利]使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法-CN200980111624.8无效
发明人： R·R·达梅尔;D·J·阿布达拉;E·阿勒梅;M·帕德马纳本 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。
使用双重图案光致抗蚀剂图像成形方法

[发明专利]用于在光致抗蚀剂图案上面涂覆的含内酰胺的组合物-CN200880011377.X有效
发明人： M·迪亚加拉詹;R·R·达梅尔;曹毅;洪圣恩;康文兵;C·阿尼亚迪亚古 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2008-04-09 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C09D139/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于涂覆光致抗蚀剂图案的水性涂料组合物，其包含含结构(1)的内酰胺基团的聚合物，其中R₁独立地选自氢、C₁－C₄烷基、C₁－C₆烷基醇、羟基(OH)、胺(NH₂)、羧酸和酰胺(CONH₂)，表示与所述聚合物的连接部分，m＝1－6，n＝1－4。本发明还涉及制造微电子器件的方法。
用于光致抗蚀剂图案上面内酰胺组合

[发明专利]可用于光致抗蚀剂组合物中的聚合物和其的组合物-CN200880002430.X无效
发明人： M·帕德马纳班;S·查克拉帕尼;R·R·达梅尔 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C08F220/28 文献下载
摘要：本申请涉及具有右式的聚合物，其中R₃₀、R₃₁、R₃₂、R₃₃、R₄₀、R₄₁、R₄₂、jj、kk、mm和nn如本文中所述。该化合物可用于形成光致抗蚀剂组合物。
用于光致抗蚀剂组合中的聚合物

[发明专利]硅基抗反射涂料组合物-CN200880006441.5有效
发明人：张汝志;W·金;D·阿布达拉;卢炳宏;M·内瑟;R·R·达梅尔;A·卡凯纳恩 -专利权人： AZ电子材料美国公司;布拉格内有限公司
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：提供了一种聚合物，其包含具有至少一个Si-OH基团和至少一个Si-OR基团的硅氧烷聚合物，其中R是任选地具有反应性官能团的缩合稳定基团，其中所述硅氧烷聚合物，当被放入溶剂中时，在40℃老化一周之后由GPC测定的重均分子量增量小于或等于50％。
硅基抗反射涂料组合

[发明专利]具有多个抗反射涂层的光致抗蚀剂的成像方法-CN200680008827.0无效
发明人： D·J·阿卜杜拉;M·O·奈塞尔;R·R·达梅尔;G·帕夫洛夫斯基;J·比亚福尔;A·R·罗马诺;金羽圭 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：光致抗蚀剂的成像方法，包括以下步骤：a)在基材上形成多个有机抗反射涂层的堆叠体；b)在该多个有机抗反射涂层的堆叠体的顶层上形成光致抗蚀剂的涂层；c)用曝光设备将该光致抗蚀剂成像曝光；和d)用显影剂将该涂层显影。
具有多个抗反射涂层光致抗蚀剂成像方法

[发明专利]包含光活性化合物混合物的用于深紫外平版印刷的光刻胶组合物-CN03813607.4有效
发明人： M·帕德玛纳班;工藤隆范;李相昊;R·R·达梅尔;D·M·拉曼 -专利权人： AZ电子材料日本株式会社
申请日： 2003-06-11 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型光刻胶组合物，该光刻胶组合物可以采用碱性水溶液显影，并能够在深紫外中的曝光波长下成像。本发明也涉及将该新型光刻胶成像的方法以及新型光酸产生剂。
包含活性化合物混合物用于深紫平版印刷光刻组合

[发明专利]正性光刻胶组合物的热处理方法-CN97192771.5无效
发明人： R·R·达梅尔;卢炳宏;M·A·斯巴克;O·阿利勒 -专利权人：克拉里安特国际有限公司
申请日： 1997-02-27 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：描述了用于重氮萘醌磺酸酯-酚醛清漆正性光刻胶的快速软烘烤方法，该方法提供了显著的优点。该方法优选在底抗反射涂层上使用比抗蚀剂普通软烘烤较高的温度(≥130℃)和很短的烘烤时间(≤30秒)。它明显地提高了光刻胶的分辨能力、工艺宽容度、热变形温度、抗蚀剂附着力和抗等离子体蚀刻性。如果使用了低反射率的基质或抗反射涂层，在不引起严重的驻波效应的情况下，在光刻工艺中也不需要后曝光烘烤步骤。
光刻组合热处理方法

[发明专利]正性光刻胶组合物的热处理方法-CN97192770.7无效
发明人： R·R·达梅尔;卢炳宏;M·A·斯巴克;O·阿利勒 -专利权人：克拉里安特国际有限公司
申请日： 1997-02-27 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：描述了对于重氮萘醌磺酸酯-酚醛清漆正性光刻胶的快速后曝光烘烤(快速PEB)方法，该方法提供了显著的优点。该方法优选在底抗反射涂层上使用比抗蚀剂普通后曝光烘烤(PEB)较高的温度(≥130℃)和很短的烘烤时间(≤30秒)。它明显地提高了光刻胶的分辨能力、工艺宽容度、热变形温度、抗蚀剂附着力和抗等离子蚀刻性。
光刻组合热处理方法

[发明专利]负作用化学放大的光刻胶组合物-CN01811264.1有效
发明人：徐平永;盧炳宏;R·R·达梅尔 -专利权人：科莱恩金融(BVI)有限公司
申请日： 2001-05-22 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：一种化学放大的、副作用的、辐射敏感性光刻胶组合物，该组合物可在碱性介质中显影，该光刻胶包括：a)含有环键合羟基的酚类成膜聚合物粘合剂树脂；b)在曝露于辐射时形成酸的光酸产生剂，数量足以引发成膜粘合剂树脂的交联；c)在曝露于来自步骤b)通过曝露于辐射而产生的酸时形成正碳离子的交联剂，和该交联剂包括醚化氨基塑料聚合物或低聚物；d)在曝露于来自步骤b)通过曝露于辐射而产生的酸时形成正碳离子的第二交联剂，和该第二交联剂包括：1)羟基取代或2)羟基C1－C4烷基取代的C1－C12烷基酚，其中来自步骤c)和d)的交联剂总量是有效交联量；和e)光刻胶溶剂，和采用这样光刻胶组合物生产微电子器件的方法。
作用化学放大光刻组合

[发明专利]光刻胶组合物用的水性抗反射涂料-CN97197298.2无效
发明人： D·L·杜拉姆;I·麦克库洛克;R·R·达梅尔;卢炳宏;康鸣;D·N·坎纳;丁术季 -专利权人：克拉里安特国际有限公司
申请日： 1997-08-15 - 公布日： 1999-09-08 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型抗反射涂料水溶液及其用于光至平版印刷的方法。抗反射涂料水溶液包括一种新型聚合物和水，其中抗反射涂料的新型聚合物包括含有至少一种在大约180－450nm有吸收的单元，至少一种含有交联基团的单元，和至少一种由亲水乙烯基单体或能够变成亲水乙烯基单体衍生的单元。
光刻组合水性反射涂料

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