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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造半导体器件的方法及图案形成方法-CN201010219713.9无效
  • 宫本宏之 - 索尼公司
  • 2010-06-29 - 2011-01-12 - H01L21/00
  • 本发明提供了一种制造半导体器件的方法及图案形成方法。制造半导体器件的方法包括：第一抗蚀剂膜形成工艺，使用正型光致抗蚀剂材料在处理的目标表面上形成第一抗蚀剂膜；第一抗蚀剂图案形成工艺，在曝光之后进行显影而形成第一抗蚀剂图案，在曝光中曝光光照射到第一抗蚀剂膜上；第二抗蚀剂膜形成工艺，使用光致抗蚀剂材料在形成有第一抗蚀剂图案的处理的目标表面上形成第二抗蚀剂膜；以及第二抗蚀剂图案形成工艺，通过进行曝光并然后进行显影来形成第二抗蚀剂图案，在曝光中曝光的光照射到第二抗蚀剂膜上。该方法还包括不溶解化处理工艺，用于使第一抗蚀剂图案不溶解于第二抗蚀剂图案形成工艺中使用的显影剂和光致抗蚀剂材料的溶剂。
  • 制造半导体器件方法图案形成
  •  1 
  • 共 3 条
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