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[发明专利]成膜装置-CN202110002323.4有效
发明人：西垣寿;铃木端生;吉村浩司;神戸优 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及零件剥离装置，可防止在电子零件上残留残渣，并从片材上剥离电子零件。将电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件投入成膜装置中。在此成膜装置中包括成膜处理部与剥离处理部。成膜处理部使成膜材料在所述电子零件上成膜。剥离处理部在利用成膜处理部的成膜后，将电子零件从保护片上剥下。此剥离处理部具有：载置台，支撑已被粘贴在所述保护片上的电子零件；夹头，握持保护片的端部，相对于所述载置台进行相对移动，并朝所述端部的相反端连续进行剥离；以及固定部，固定电子零件的位置。
装置

[发明专利]成膜装置及零件剥离装置-CN202111090638.5有效
发明人：西垣寿;铃木端生;吉村浩司;神戸优 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及零件剥离装置，可防止在电子零件上残留残渣，并从片材上剥离电子零件。将电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件投入成膜装置中。在此成膜装置中包括成膜处理部与剥离处理部。成膜处理部使成膜材料在所述电子零件上成膜。剥离处理部在利用成膜处理部的成膜后，将电子零件从保护片上剥下。此剥离处理部具有：载置台，支撑已被粘贴在所述保护片上的电子零件；夹头，握持保护片的端部，相对于所述载置台进行相对移动，并朝所述端部的相反端连续进行剥离；以及固定部，固定电子零件的位置。
装置零件剥离

[发明专利]成膜装置-CN201880078200.5在审
发明人：原岛正幸;中村充一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，上述成膜装置包括：收纳部，其具有收纳上述载置台的内部空间，上述处理气体能够被供给到上述内部空间并且被感应加热；以上述载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；和升降部，其为了在外部的上述被处理基片的输送装置与上述载置台之间交接上述被处理基片而使上述被处理基片升降，上述旋转轴部和/或上述升降部由热传导率在15W
装置

[发明专利]氧化物半导体膜及其成膜方法、半导体装置-CN202280019575.0在审
发明人：坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明为一种成膜方法，对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜，其特征在于包含下述工序：将所述原料溶液雾化或液滴化而生成雾；利用载气将所述雾搬送至成膜部；以及在所述成膜部中从喷嘴向基板上供给所述雾，在所述基板上进行热处理而进行成膜，且在将所述喷嘴的开口面的面积设为S[cm2]，将所述开口面内的点与所述基板的表面的距离中达到最长的距离设为H[cm]，将从所述喷嘴供给的所述载气的流量设为Q[由此，提供一种抑制异常成长而形成表面的平滑性良好的膜的成膜方法。
氧化物半导体及其方法装置

[实用新型]晶圆承载装置及成膜装置-CN202320441072.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：无锡先为科技有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种晶圆承载装置及成膜装置，其中晶圆承载装置包括：反应容器，其包括：腔体及盖体，腔体与盖体之间围绕形成反应室；基座，其可转动的设置于反应室内，且基座上开设有至少一个第一容纳槽；以及至少一个载盘，每个载盘可转动的布置于相应一个第一容纳槽内；其中，在第二容纳槽向基座正投影的投影区域内，载盘与第一容纳槽之间形成间隙，且间隙至少具有两个不同的高度，载盘采用碳化硅板制成。根据本申请，其通过将载盘采用单一的碳化硅板制成，从而使得基座与载盘之间的间隙存在差异时，载盘的承载面也具有较佳的温度均匀性，以降低载盘内不同区域之间温度差，有效的提高了成膜装置中晶圆镀膜的质量及成品率。
承载装置

[发明专利]金属被膜的成膜装置及其成膜方法-CN201480057154.2有效
发明人：平冈基记;柳本博;佐藤祐规 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：提供一种不管阳极的表面状态如何，都能够稳定地形成膜厚均匀的均质金属被膜的金属被膜的成膜装置及其成膜方法。成膜装置(1A)具备阳极(11)；配置于阳极(11)与成为阴极的基材(B)之间的固体电解质膜(13)；和对阳极(11)与基材(B)之间施加电压的电源部(14)。一种装置，使固体电解质膜(13)接触基材(B)的表面，对阳极(11)与基材(B)之间施加电压，由固体电解质膜(13)的内部所含有的金属离子在基材(B)的表面析出金属，由此形成包含金属的金属被膜(F)。成膜装置(1A)具备载置基材(B)的载置台(21)，载置台(21)具有吸引部(22)，吸引部(22)在形成金属被膜(F)时，从基材(B)侧吸引固体电解质膜(13)，使得固体电解质膜(13)贴合在基材(B
金属装置及其方法

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN202210926048.X在审
发明人：板谷秀治;大桥直史;越卷寿朗;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供一种检测基板的载置面的状态的技术。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行成膜处理；基板支承部，其设于所述处理室内，并且具有载置所述基板的多个载置面；以及检测部，其配置于所述处理室的外侧或内侧，以非接触的方式检测附着于所述载置面的成膜材料的状态
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]等离子体成膜装置和基板载置台-CN201710485227.3有效
发明人：今中雅士;中西敏雄;本多稔;小谷光司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够得到具有所希望的膜厚均匀性的膜的等离子体成膜装置和使用它的基板载置台。等离子体成膜装置包括：用于收纳基板的腔室；用于在腔室内载置基板的基板载置台；对腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；对腔室内进行排气的排气机构；和使腔室内生成等离子体的等离子体生成机构，基板载置台包括：比基板的直径小且具有载置面的载置台主体；配置在载置台主体的外侧的形成环状的调整部件，调整部件设置成可更换，并且作为调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件
等离子体装置基板载置台

[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池制造装置-CN201680060879.6有效
发明人：横川政弘;川崎隆裕 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：具备：使作为第2导电类型的半导体层的n型扩散层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置由半导体基板构成的基板(1S)，对成膜室(101)内进行真空排气而减压，将原料气体供给到成膜室(101)内，利用CVD法使防反射膜(3)从半导体基板的受光面侧成膜至半导体基板的侧面的工序。成膜的工序是托盘(100)具有在与半导体基板的抵接面具有开口并且贯通托盘(100)的贯通孔h，通过真空排气使贯通孔h内相对于成膜室(101)内的压力成为负压，从而使半导体基板紧贴于抵接面，使防反射膜(3)成膜于除了抵接面之外的半导体基板表面的工序。
太阳能电池制造方法以及装置

[发明专利]一种镀膜方法、装置以及PECVD设备-CN201710981636.2有效
发明人：李广耀;袁广才;王东方;汪军;王明;刘宁;马睿 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀膜装置、方法以及PECVD设备，包括：镀膜腔室及位于所述镀膜腔室内用于承载和加热待镀膜基板的载板；所述载板的承载表面朝向所述镀膜腔室的进气口，所述载板的两端分别靠近所述镀膜腔室的出气口；所述载板中间设置有旋转轴，所述载板可绕所述旋转轴在预设转动角度范围内转动；所述载板上设置有加热装置，其中，所述加热装置，铺设在所述载板上，用于对所述待镀膜基板加热，从而解决了目前镀膜方式存在成膜均一性差的问题
一种镀膜方法装置以及 pecvd 设备

[发明专利]成膜装置、成膜方法、半导体制造装置及其所用的基座-CN200910207483.1无效
发明人：本间学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、成膜方法、半导体制造装置及其所用的基座。所公开的半导体制造装置包括：对基板进行规定处理的容器；基板输送臂，包括支承基板(W)的背面周缘部的爪部，能进入容器内或从容器内退出；基座，包括台阶部和用于载置基板的载置区域，该台阶部被设置成使爪部能移动到比载置区域的上表面低的位置
装置方法半导体制造及其所用基座

[发明专利]扩膜机构及分选机-CN202211701260.2在审
发明人：杨建;刘志维;汪迪;张先俊 -专利权人：深圳市华芯智能装备有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开一种扩膜机构及分选机，该扩膜机构包括主体、升降载板、载膜板、扩膜件、驱动组件以及锁紧件，其中锁紧件在张开位和锁紧位之间可转动切换的安装于所述升降载板。所述驱动组件驱动所述升降载板下降时，所述锁紧件切换至锁紧位，所述载膜板跟随所述升降载板下降。本发明提出的扩膜机构在将晶圆板装入该载膜板内进行扩膜时，无需人工通过其他紧固件将载膜板固定在升降载板上，提升了扩膜效率。且使得载膜板的安装拆卸更加简单，以便于根据不同型号的晶圆盘，适应性地替换该载膜板，整个扩膜机构的使用范围更广。
机构分选

[实用新型]扩膜机构及分选机-CN202223593641.1有效
发明人：刘志维;杨建;汪迪;张先俊 -专利权人：深圳市华芯智能装备有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开一种扩膜机构及分选机，该扩膜机构包括主体、升降载板、载膜板、扩膜件、驱动组件以及锁紧件，其中锁紧件在张开位和锁紧位之间可转动切换的安装于所述升降载板。所述驱动组件驱动所述升降载板下降时，所述锁紧件切换至锁紧位，所述载膜板跟随所述升降载板下降。本实用新型提出的扩膜机构在将晶圆板装入该载膜板内进行扩膜时，无需人工通过其他紧固件将载膜板固定在升降载板上，提升了扩膜效率。且使得载膜板的安装拆卸更加简单，以便于根据不同型号的晶圆盘，适应性地替换该载膜板，整个扩膜机构的使用范围更广。
机构分选

[发明专利]膜厚测定装置、成膜系统以及膜厚测定方法-CN202210122255.X在审
发明人：菊池祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种膜厚测定装置、成膜系统以及膜厚测定方法，用于抑制由于载置基板的载置台倾斜引起载置台上的基板的膜厚的测定结果产生偏差。测定在基板上形成的膜的厚度的膜厚测定装置具备：载置台，其用于载置基板；受光发光单元，其向所述载置台上的基板射出用于测定膜厚的光，并接收射出的所述光被所述载置台上的基板反射后的反射光；旋转机构，其使所述载置台旋转；朝向检测部，其检测所述载置台的朝向；以及控制部，其中，所述控制部基于所述朝向检测部的检测结果来控制所述旋转机构，以使载置基板时的所述载置台的朝向成为期望的朝向。
测定装置系统以及方法

[发明专利]一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置-CN201510527613.5在审
发明人：张孝勇;戚艳丽;商庆燕;李晶;常晓娜;杜媛婷;吴围 -专利权人：沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置，主要解决现有半导体基片在成膜后的工艺过程中基片表面存在颗粒增多等问题，本发明提供一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的工艺方法及装置，该工艺方法是在半导体基片成膜工艺后增加气体吹扫来降低颗粒的方法，所述方法为中低真空腔室内，在基片成膜后的工艺程序中，使载物台位于不同的位置同时进行气体吹扫，从而降低颗粒的工艺方法,一种半导体基片成膜工艺后降低颗粒的装置,该装置包括载物台，出气孔，回气孔。本发明的工艺方法及装置可有效地降低基片成膜后表面的颗粒，提高工艺性能和器件的成品率。
一种半导体基片成膜工艺降低颗粒方法装置