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[发明专利]使用机器学习控制沉积膜的浓度轮廓-CN202280018544.3在审
发明人：安东·V·巴里什尼科夫;阿尤特·阿尤丁;黄祖滨;程睿;杨毅;迪瓦卡尔·科德拉雅;文卡塔纳拉亚纳•尚卡拉穆尔提;克里希纳·尼塔拉;卡希克·贾纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：提供了用于使用机器学习控制沉积膜的浓度轮廓的方法及系统。将与在用于基板的沉积工艺期间待在基板表面上沉积的膜的目标浓度轮廓相关联的数据作为输入提供到经训练的机器学习模型。获得经训练的机器学习模型的一个或多个输出。由一个或多个输出决定识别沉积工艺设置的一个或多个集合的工艺配方数据。针对沉积工艺设置的每个集合，亦决定了沉积工艺设置的相应集合对应于待在基板上沉积的膜的目标浓度轮廓的信赖水平的指示。回应于识别具有满足信赖准则水平的信赖水平的沉积工艺设置的相应集合，根据沉积工艺设置的相应集合执行沉积工艺的一个或多个操作。
使用机器学习控制沉积浓度轮廓

[实用新型]沉积工具及接地带-CN202320940222.6有效
发明人：彭宣颖;李锦思;施江宪;吴志昌;董哲惟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本文所描述的一些实施例提供一种沉积工具，包括一接地构件，在基板平台的边缘环与抽吸盘构件之间。接地构件包括一接地带，具有变形区域。变形区域包括一凹陷边缘以减少沉积工具的操作期间接地带摩擦抽吸盘构件表面的可能性。接地带的材料性质可减少重复循环期间接地带的塑性变形。以此方式，可减少从抽吸盘构件的表面脱落的微粒量，以提升利用沉积工具制造半导体产物的产率。进一步地，可减少维修接地构件的频率，以减少沉积工具的停机时间且增加利用沉积工具制造半导体产物的生产量。
沉积工具接地

[发明专利]一种镀膜工艺的温控系统-CN202311104023.2在审
发明人：王飞 -专利权人：宿州顺风光电科技有限公司;无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种镀膜工艺的温控系统。本发明包括炉管，其外缠绕有外层加热丝，其内设置有与其平行设置且缠绕有内层加热丝的耐高温固定杆；温控装置，包括第一温控模块、第二温控模块、触发板模块、变压器模块、可控硅模块，所述外层加热丝和所述内层加热丝分别通过热电偶连接第一温控模块和第二温控模块，所述第一温控模块、第二温控模块与所述触发板模块相连，所述触发板模块分别连接所述变压器模块和所述可控硅模块，所述变压器模块连接所述电源模块；石墨舟，具有供所述耐高温固定杆穿过的空腔。通过对石墨舟进行内外层加热，可以有效均衡整个石墨舟的温度分布，提高镀膜均匀性和质量。
一种镀膜工艺温控系统

[发明专利]沉积状态监视方法和基片处理装置-CN202310347579.8在审
发明人：美浓谷惠太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供能够早期且容易地推测泵的沉积状态的沉积状态监视方法和基片处理装置。沉积状态监视方法监视沉积在与处理基片的基片处理装置的处理容器连接的泵的沉积物的沉积状态。沉积状态监视方法包括：获取使泵的旋转构造体旋转的电机的电流值的步骤；通过对处理容器供给处理气体，在电流值的时间变化中使衰减波形产生的步骤；获取构成衰减波形的多个波峰部的顶峰电流值和与多个波峰部相同数量的波谷部的谷底电流值的步骤；通过取获取到的多个波峰部的顶峰电流值与多个波谷部的谷底电流值的平均，来计算衰减波形收敛的推测收敛电流值的步骤；以及基于推测收敛电流值，来推测沉积物的沉积状态的步骤。
沉积状态监视方法处理装置

[发明专利]用于CVD设备的控温系统和半导体工艺设备-CN202310920973.6在审
发明人：李钦波;蒲泽鼐 -专利权人：拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种用于CVD设备的控温系统和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。用于CVD设备的控温系统包括供水设备、供水管路、回水管路和流量控制阀。供水设备具有一出口和进口。供水管路的一端与出口连接，另一端与换热流道的进液口连接，以输送换热介质。回水管路的一端与进口连接，另一端与换热流道的出液口连接，以将换热介质回收至供水设备。流量控制阀设置于回水管路，以调整流量。其能够实现稳定的控温。
用于 cvd 设备系统半导体工艺设备

[发明专利]一种特种气体安全控制方法和半导体工艺设备-CN202210905961.1有效
发明人：刘畅;荣延栋;胡云龙;刘旭 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种特种气体安全控制方法和一种半导体工艺设备，该方法包括：获取腔室的压力值；在压力值大于预设压力阈值的情况下，当需打开第二气体阀门和第三气体阀门时，控制第一电路断开，第二电路和第三电路接通，使第一气体阀门关闭、第二气体阀门和第三气体阀门打开；当需打开第一气体阀门时，控制第一电路闭合，第二电路和第三电路断开，使第一气体阀门打开、第二气体阀门和第三气体阀门关闭。通过将阀门互锁加入电路设计中，使第一气体分别与第二气体、第三气体阀门不会同时开启，从而避免了软件控制失效的风险，防止特种气体之间发生化学反应生成副产物，造成硬件的损坏和人员的伤害，杜绝安全隐患，保护系统和人员安全。
一种特种气体安全控制方法半导体工艺设备

[发明专利]一种制备高质量超薄薄膜的引发式化学气相沉积设备-CN202310821508.7在审
发明人：刘通 -专利权人：埃纳膜（北京）科技有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高质量超薄薄膜的引发式化学气相沉积设备，涉及高分子薄膜材料制备技术领域，包括反应腔、供参与反应气体进入反应腔内的进气系统、控制反应压力的压力控制系统、实时监控薄膜沉积厚度的激光干涉系统，反应腔由上盖板、腔体本体和下底座三部分组成，均带有加热装置，且可分别拆卸维护；下底座上配置有可水平旋转的样品台，样品台配置水冷和电热温控系统；进气系统由多条单体气源管阀系统和引发剂气源管阀系统组成；本发明能够实时监控薄膜厚度，有效控制薄膜质量和均匀性，能够最大限度的热解引发剂，并保证单体与引发剂的充分混合，使单体反应更完全，避免试剂浪费和成本的增加。
一种制备质量超薄薄膜引发化学沉积设备

[发明专利]质量流量计的流量控制方法及计算机可读存储介质-CN202310821236.0在审
发明人：牛沛泽;李慧 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供了质量流量计的流量控制方法及计算机可读存储介质。该质量流量计的流量控制方法包括：设置质量流量计的初始流量为第一流量；在将晶圆从传输腔室传输到第一反应腔室的过程中，将所述质量流量计的流量由所述第一流量提升到第二流量；传片完成后，关闭所述传输腔室与所述第一反应腔室之间的真空阀门；将所述质量流量计的流量由所述第二流量降低到所述第一流量；所述传输腔室接收到打开所述传输腔室与第二反应腔室之间的真空阀门的指令后，判断传输腔室的压力是否符合传片压力范围；如果符合传片压力范围，则打开所述传输腔室与所述第二反应腔室之间的真空阀门。
质量流量计流量控制方法计算机可读存储介质

[发明专利]一种腔室预热方法-CN202310793010.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：广东利元亨智能装备股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请涉及加热工艺技术领域，特别涉及一种腔室预热方法。通过对腔室进行加热，并对腔室实际温度进行实时监测，缩短预热时间，腔室实际温度升高一定数值后再开启外冷水路和主冷水路，缩短预热时间的同时减少能耗。通过延迟开启外冷水路和主冷水路，可有效缩短腔室的预热时间，同时减少腔室的实际加热温度与所需的工艺温度之间的偏差，提高腔室预热的温度准确性，避免多次试产，并且避免冷却和加热同步进行造成能源浪费的问题。
一种预热方法

[实用新型]冷却循环装置及半导体外延设备-CN202321364188.9有效
发明人：郑锦;姚铖;张帅 -专利权人：南京原磊纳米材料有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种冷却循环装置及半导体外延设备，包括至少一组循环组件，循环组件包括热交换组件和至少一个气体驱动组件。半导体外延设备的加热器的放置腔、热交换组件以及气体驱动组件依次连通并形成闭合回路，气体驱动组件驱动放置腔中的高温气体经过热交换组件进行降温，降温得到低温气体，低温气体回流至放置腔中以对其内部的加热器冷却降温。由于高温气体可在闭合回路内降温并循环，因此在不将高温气体排至加工车间的前提下实现了对加热器的冷却降温。即，在不影响加工车间环境条件的前提下，完成了对加热器的冷却降温工作，延长其使用寿命。
冷却循环装置半导体外延设备

[发明专利]一种建立生长室内气体平衡流场的方法-CN202010959614.8有效
发明人：王肖珩;肖志河;周翔;乔元哲;陈大鹏 -专利权人：北京环境特性研究所;中国长峰机电技术研究设计院;北京遥感设备研究所
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种建立生长室内气体平衡流场的方法，其特征在于，所述方法为：通过控制生长室容积、生长室温度、载气流速和源化合物浓度而建立生长室内气体平衡流场。本发明从生长室容积、生长室温度、载气流速和源化合物浓度这四个方面入手来建立生长室内气体平衡流场，从而确定最适合薄膜均匀稳定生长的平衡流场条件，优化工艺参数制备出透过性高、纯度高、致密性好的薄膜。
一种建立生长室内气体平衡方法

[实用新型]一种管式炉控温设备-CN202222240856.9有效
发明人：张恒;张伟洋;李会滨 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请提供了一种管式炉控温设备，涉及机械领域，解决目前炉口区域温度下降，导致炉内硅电池片气相沉积均匀性较差的问题。所述控温设备包括管式炉和加热装置；所述管式炉具有炉口；其中，所述加热装置设置在所述管式炉靠近所述炉口的一端。
一种管式炉控温设备

[发明专利]一种薄膜沉积方法和半导体工艺设备-CN202310737419.4在审
发明人：张士勇;吕秋雨;李俊红;孙薇;赵茹;邓浩;孟令玉 -专利权人：拓荆科技(上海)有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备。该薄膜沉积方法包括以下步骤：获取待加工晶圆表面沟槽的高宽比，其中，所述待加工晶圆放置于晶圆托盘上，所述晶圆托盘上方设有喷淋板以喷淋工艺气体到所述待加工晶圆表面；根据所述沟槽的高宽比，确定所述晶圆托盘到所述喷淋板之间的间隙高度；以及在所述间隙高度下，以其对应的沉积速率在所述待加工晶圆表面进行薄膜沉积。通过执行这些步骤，该薄膜沉积方法能够对晶圆表面多种高宽比的沟槽，进行相应的不同间隙高度的薄膜沉积，从而提升生成薄膜的均一性，并且还能够对多种高宽比的沟槽进行不同沉积速率的沉积填充，从而避免沉积填充不充分而导致沟槽中产生气泡或孔洞。
一种薄膜沉积方法半导体工艺设备

[发明专利]化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备-CN202310761233.2在审
发明人：厉冰峰 -专利权人：盛吉盛半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备，该化学气相沉积设备的抽气控制方法包括：当化学气相沉积工艺进入抽气阶段时，控制化学气相沉积设备的节流阀开启预设开度；控制抽气泵抽取化学气相沉积设备的反应腔室内的气体；每达到预设条件时，控制增大节流阀的开度，直至节流阀完全开启。本发明解决了气相沉积工艺在抽气阶段易在晶圆表面附着颗粒物，导致晶圆缺陷，降低晶圆良率的问题。
化学沉积设备控制方法装置介质

[发明专利]一种薄膜测厚与修整设备、镀膜系统及薄膜制备方法-CN202210102121.1有效
发明人：李国强 -专利权人：河源市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜测厚与修整设备、PVD镀膜系统及薄膜制备方法。所述薄膜测厚与修整设备，包括载片装置、测厚装置、修膜装置、传送装置和PLC控制装置；载片装置包括具有载片腔的第一壳体，载片腔中放置用于容置晶片的载片器；测厚装置包括X射线荧光测量装置和激光共焦显微测量装置；修膜装置包括具有修膜腔的第四壳体；修膜腔中分别设有修膜载片台以及用于对晶片表面进行清理和修平处理的聚焦离子束装置；传送装置包括具有传送腔的第五壳体；传送腔中设有用于取放晶片的机械手；PLC控制装置分别与前述装置连接。采用本发明的薄膜测厚与修整设备、镀膜系统及薄膜制备方法，可以获得薄膜厚度均匀性≤0.1％的4‑8英寸晶片。
一种薄膜修整设备镀膜系统制备方法

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