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[发明专利]半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备-CN202210410373.0在审
发明人：陶珩;庞云玲;丛海;姜勇;尹志尧 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体处理腔、半导体处理设备及气相外延设备，解决了半导体处理领域工艺气体均匀性、红外辐射透过率和承压能力的技术问题，主要通过一承压壳体覆盖处理腔的上盖，并形成一密闭空间，使用一调压装置对密闭空间的气压进行调节，进而调整半导体处理腔的上盖上下表面承受的气压，来优化上盖的结构设计，以达到在半导体工艺过程中，为了实现对基片表面更高均匀性、更高质量的处理，可以对上盖进行更大范围的改进，来获得更优化的处理空间。
半导体处理设备外延

[发明专利]一种基片处理装置及腔室内衬-CN202210410374.5在审
发明人：庞云玲;姜勇;丛海 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片处理装置及腔室内衬，用于对基片进行工艺处理。所述基片处理装置包括腔室，所述腔室包括相互套叠设置的腔室内衬和位于腔室内衬外部的腔室外壳，所述腔室内衬整体呈长方体结构，包括设有一上内衬开口的内衬上壁和腔室底壁，以及位于所述内衬上壁和内衬底壁之间的两平行内衬侧壁，工艺过程中，所述腔室内衬在基片上方形成一方体状气体分布空间，所述方体状气体分布空间的横向宽度等于所述两平行内衬侧壁之间的距离且大于所述基片的直径。使得靠近内衬侧壁的工艺气体沿着内衬侧壁向下游传输，无需进行横向扩散以实现工艺气体的层流部分，进而提高基片不同径向区域的处理均匀性。
一种处理装置内衬

[发明专利]一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法-CN202310810203.6在审
发明人：赵晓辉;裴伟钦;蒋洪川;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法。是利用相似化学键能够形成键过渡这一特点:采用SiO2薄膜层作为填补层、采用Si3N4薄膜层作为缓冲层，依次设于C/SiC复合材料基底上后，三者具有相同Si元素，存在类似化学键，使其在各自界面处可形成键过渡，使整个绝缘层具有良好的附着力。阻挡层采用Al2O3薄膜层，绝缘层选择以Al2O3为主要成分材料制备且设于阻挡层之上，同样利用绝缘层材料与Al2O3化学成分相近这一特点，在界面处形成化学键合，提高绝缘层与Al2O3阻挡层之间的附着力。从而实现薄膜传感器在高温高压恶劣环境下的稳定性和可靠性的提升。
一种 sic 复合材料基底薄膜传感器用绝缘及其制备方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202310088366.8在审
发明人：石丸友纪;户田将也;高桥恒太;虎谷健一郎;松尾和展 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及能够缩短成膜时间的成膜装置和成膜方法。实施方式的成膜装置具备：包含侧壁的腔室；设在腔室上部的喷淋头；设在腔室中并用于保持基板的保持器；向喷淋头供给第1气体的第1气体供给管；设在第1气体供给管上的第1阀；设在腔室的除喷淋头以外的区域上的气体供给部；向气体供给部供给第2气体的第2气体供给管；设在第2气体供给管上的第2阀；从腔室排出气体的气体排出管；以及与气体排出管连接的排气装置。
装置方法

[发明专利]一种提高ALD膜厚均匀性的方法-CN202311221317.3在审
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松;张旭冉;贾建英 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于气相沉积技术领域，尤其涉及一种提高ALD膜厚均匀性的方法。本发明膜制备过程包括如下步骤：将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理；通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理；通入铝前驱体，沉积于硅片表面；通入惰性保护气吹扫；通入水前驱体，用于与铝前驱体反应；通入惰性保护气，用于吹扫掉多余的水前驱体；重复上述步骤数次。在通入铝前驱体或者水前驱体的同时，通入一定量的惰性保护气，如氮气，这样氮气和铝前驱体或者水前驱体进入后混合，能够把反应气体均匀分散开来，就能够解决大产能反应腔室中部分位置量少的现象。
一种提高 ald 均匀方法

[发明专利]半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备-CN202210610330.7有效
发明人：伊藤正雄;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺设备的进气装置及半导体工艺设备，进气装置包括：进气圆筒和多个第一进气管，进气圆筒的侧壁内部具有第一环形空腔，进气圆筒的侧壁沿其周向开设有多个第一出气通孔，第一出气通孔的直径不大于预设值，多个第一进气管沿进气圆筒的周向等间隔设置于进气圆筒的侧壁的外表面的顶端，第一进气管沿进气圆筒的径向延伸，第一进气管的一端连通第一环形空腔，第一进气管的另一端用于通入第一工艺气体。实现避免侧向进气孔被反应物颗粒堵塞并提高侧向进气均匀性。
半导体工艺设备装置

[发明专利]沉积炉管内管、沉积炉管以及沉积方法-CN201911294112.1有效
发明人：刘秀娟;邓伟东 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种沉积炉管内管，内管管壁内具有至少一个气体流通区，气体流通区对应的管壁包括内壁和外壁；内壁不同相对高度上设置有若干层排气孔，使得气体流通区中的气体能通过排气孔进入沉积区中；一个高度层中的排气孔的总流通面积随其相对高度的升高而增大，使得单位时间内，不同高度层的排气孔的排气均匀；外壁或管壁的底部设置有与气体流通区连通的进气口。本发明还提供了一种包括上述内管的沉积炉管和使用这种炉管进行沉积的沉积方法。本发明提供的沉积炉管内管、沉积炉管和沉积方法能够改善晶圆上沉积膜厚度的均匀性。
沉积炉管以及方法

[实用新型]薄膜沉积装置-CN202321020771.8有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：无锡金源半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，公开了薄膜沉积装置，包括：基架、第一反应腔体和第二反应腔体。第一反应腔体设置在基架上，且第一反应腔体内部留有反应空腔，在反应空腔内可拆卸设置加热盘。第二反应腔体盖设在反应空腔上，第二反应腔体可开合设置在第一反应腔体上，第二反应腔体内设有喷淋板，喷淋板上开设有多个喷淋孔，喷淋孔适于朝向反应空腔内喷出反应气体对加热盘进行氟化处理，本实用新型通过向反应空腔内注入反应气体使加热盘表面形成氟化铝，氟化铝的化学性质非常稳定，能够有效防止加热盘与晶圆薄膜沉积的反应气体发生化学反应，防止加热盘消耗反应气体，同时可以延迟加热盘的使用寿命。
薄膜沉积装置

[实用新型]化学气相沉积设备-CN202321318607.5有效
发明人：徐振宇 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学气相沉积设备，包括沉积腔室、喷淋头及用于承载基板的载台，所述载台内设置有加热装置，载台边缘设置有若干缺口，在所述载台的缺口下方设置有用于对所述缺口处进行补偿加热的补偿加热器。使用本申请提供的化学气相沉积设备进行薄膜沉积时，可以根据需要，利用补偿加热器对缺口上方的基板区域进行温度补偿，可以提高基板表面的温度均匀性，由此有助于提高薄膜沉积均匀性。
化学沉积设备

[实用新型]一种化学气相沉积炉用导气装置-CN202321353900.5有效
发明人：许馨;邵海成;郭建刚;鲁政;周文;贺文强;贺耀廷 -专利权人：内蒙古栢特新材料科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学气相沉积炉用导气装置，涉及导气管道技术领域，包括连接管，所述连接管的中部外表面设置有螺纹，所述螺纹的外表面设置有两个转动环，两个所述转动环的一侧外表面均设置有四个连接杆，所述连接管的外表面设置有两个滑动环，两个所述滑动环的一端均设置有固定环。本实用新型的一种化学气相沉积炉用导气装置，设置的一号导气管、二号导气管、环形插入槽、橡胶垫与导气通道，可以使结构整体的密封性更好，避免在工作时出现泄漏的情况，设置的转动环、连接杆、滑动环、固定环、压块、弹簧与螺纹槽，可以更为便捷的对导气装置进行拆卸，避免出现故障时更换导气装置较慢而导致影响生产效率。
一种化学沉积炉用导气装置

[实用新型]一种用于原子层沉积加工的上下料装置-CN202320943094.0有效
发明人：邵银峰;黄亚洲;吕俊彦;谷蓝翔;杨东方 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种用于原子层沉积加工的上下料装置，涉及原子层沉积加工技术领域，能够降低人工和时间成本，生产过程中也避免了手动操作导致高温烫伤的问题，提高了生产安全性。本实用新型中，反应装置部分，包括：进气端密封法兰1、加热装置2、压力表3、密封圈4、密封端盖5、推杆13、样品槽14、待沉积样品15、反应腔体16、气动阀Ⅱ17和气动阀Ⅰ18；机械臂部分中，由手臂36、关节37、手臂28、关节29、手臂110、关节111和腰部12组成三关节机械臂，所述机械臂部分固定连接密封端盖5，推杆13的一端连接密封端盖5且另一端连接样品槽14。
一种用于原子沉积加工上下装置

[发明专利]处理设备、镀膜设备、调整件及处理方法-CN202310878200.6在审
发明人：康旭;严大;张鹏;施述鹏 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请涉及一种处理设备、镀膜设备、调整件及处理方法，包括出气结构及匀气板，出气结构具有贴合位，贴合位具有第一气孔，匀气板具有第二气孔，匀气板贴合于贴合位，且第二气孔与第一气孔连通。本申请的处理设备，可以实现向壳体内部的反应腔均匀送气，在处理设备作为镀膜设备时，实现对基片的均匀镀膜。
处理设备镀膜调整方法

[发明专利]成膜装置、成膜方法、氧化镓膜及层叠体-CN202280019526.7在审
发明人：坂爪崇寛;桥上洋 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的成膜装置对经雾化的原料溶液进行热处理而在基板上进行成膜，所述成膜装置包括：雾化部，将所述原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，供给载气，所述载气搬送所述雾化部中所产生的所述雾；成膜部，在内部包括载置所述基板的载置部，将由所述载气搬送的所述雾供给至所述基板上；以及排气部，从所述成膜部排出废气，且在所述成膜部内的所述载置部的上方进而包括：喷嘴，向所述基板上供给所述雾；以及顶板，将从所述喷嘴供给的所述雾进行整流。由此，提供一种能够应用雾CVD法、能够形成膜厚的面内均一性优异的膜的成膜装置、及成膜方法。
装置方法氧化层叠

[发明专利]一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置-CN202210349977.9在审
发明人：周楚秦;张海龙;庞云玲;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置，该纵长形反应腔体包含：纵长方向延伸的顶壁、底壁和侧壁围绕而成的腔体，腔体两端分别为进气开口和排气开口；腔体内部空间包括进气区域、排气区域和反应区域，各区域沿纵长方向排列；反应区域下方的底壁上设置有延伸管，旋转轴从延伸管伸入反应区域以支撑托盘和基片，使得基片在反应区域中旋转；反应腔体两个侧壁内表面竖直且互相平行；顶壁在反应区域向上拱起，使得基片上沿纵长方向上分布的多个点到顶壁的距离不同。其优点是：该纵长形反应腔体的顶壁在反应区域处向上拱起，以使其具有较高的机械强度，从而具有更强的承压能力，同时基片上方的气体流场较为稳定，保证了薄膜沉积的均匀性。
一种纵长形反应及其化学沉积装置

[发明专利]原子层沉积装置和原子层沉积方法-CN202210319589.6在审
发明人：周向前 -专利权人：前微科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积装置和原子层沉积方法，原子层沉积装置包括第一反应床主体、第二反应床主体、一对第一高压装置、一对第二高压装置和一对工作装置，第一反应床主体和第二反应床主体沿第一方向相对间隔设置，待加工件可操作地位于第一反应床主体和第二反应床主体之间，且可操作地沿第二方向移动；第一高压装置和第二高压装置分别具有第一出气口和第二出气口，各第一出气口和各第二出气口沿第一方向相对设置；工作装置具有目标气体出口，一对工作装置的两个目标气体出口沿第一方向相对间隔设置。通过第一高压装置和第二高压装置所喷射出的气体能够沿夹持住待加工件，因此第一高压装置和第二高压装置不用与待加工件直接接触污染待加工件。
原子沉积装置方法

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