[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池制造装置

摘要

具备：使作为第2导电类型的半导体层的n型扩散层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置由半导体基板构成的基板(1S)，对成膜室(101)内进行真空排气而减压，将原料气体供给到成膜室(101)内，利用CVD法使防反射膜(3)从半导体基板的受光面侧成膜至半导体基板的侧面的工序。成膜的工序是托盘(100)具有在与半导体基板的抵接面具有开口并且贯通托盘(100)的贯通孔h，通过真空排气使贯通孔h内相对于成膜室(101)内的压力成为负压，从而使半导体基板紧贴于抵接面，使防反射膜(3)成膜于除了抵接面之外的半导体基板表面的工序。

主权项

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具备：使第2导电类型的半导体层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置所述半导体基板，对所述成膜室内进行真空排气而减压，将原料气体供给到所述成膜室内，利用CVD法使防反射膜从所述半导体基板的受光面侧成膜至所述半导体基板的侧面的工序，所述载置台具有贯通孔，该贯通孔在与所述半导体基板的抵接面具有开口并且贯通所述载置台，所述成膜的工序是通过所述真空排气使所述半导体基板紧贴于所述抵接面并使防反射膜成膜于除了所述抵接面之外的所述半导体基板表面的工序。