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[发明专利]双模式倾斜充电装置及方法-CN201380051239.5在审
发明人：加布里埃尔·沃尔特 -专利权人：量子电镀光学系统有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提供一装置且将所述装置在第一模式中操作为发光晶体管及在第二模式中操作为高速电晶体管的方法，其包含以下步骤：在第二半导体类型的半导体射极区与集电极区之间提供第一导电性类型的半导体基极区；在所述基极区中提供量子大小区；在所述基极区中所述量子大小区与所述集电极区之间提供载流子跃迁区；相对于所述基极区及所述集电极区施加可控制偏置电压以控制至少所述载流子跃迁区中的载流子的耗尽；及相对于所述射极区、所述基极区及所述集电极区施加信号以取决于所述受控偏置信号而将所述装置操作为发光晶体管或高速电晶体管。
双模倾斜充电装置方法

[发明专利]横向双极型晶体管-CN202210997998.1在审
发明人：王海艇;A·德里克森;J·辛格;V·杰恩;A·克诺尔;A·马丁;J·R·霍尔特;Z·胡 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：一种结构包括：内基极，其包括位于半导体衬底的沟道区中的半导体材料；外基极，其竖直位于内基极上方；升高的集电极区，其位于半导体衬底上并横向连接到内基极；以及升高的发射极区，其位于半导体衬底上并横向连接到内基极
横向双极型晶体管

[实用新型]集成电路-CN202221220134.0有效
发明人： R·盖伊;A·马扎基 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：集成电路包括双极晶体，双极晶体管包括公共集电极区，所述公共集电极区包括掩埋半导体层和环形阱。阱区被环形阱围绕，并被掩埋半导体层所界定。第一基极区和第二基极区由阱区形成，并通过垂直栅结构彼此隔开。在第一基极区中注入第一发射极区，在第二基极区中注入第二发射极区。导体轨道电耦接第一发射极区和第二基极区，以将双极晶体管配置为达林顿型器件。双极晶体管的结构可以与非易失性存储器单元共集成地制造。
集成电路

[发明专利]欧姆接触基极与发射极短接的穿通型SiC-TVS器件及其制备方法-CN202310688461.1在审
发明人：韩超;黄雨;汤晓燕;苑广安;白博仪;陶利;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种欧姆接触基极与发射极短接的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区、嵌入在基区上表面交替分布的若干个发射区和若干个基极接触区，发射区与SiC衬底掺杂类型相同，与基区相反；基极接触区与基区掺杂类型相同，与SiC衬底相反；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基极接触区上表面的若干个基极短接组成本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区和基极接触区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。
欧姆接触基极发射极穿通型 sic tvs 器件及其制备方法

[发明专利]用于改善迁移率的具有应力材料的异质接面双极晶体管-CN201711291721.2有效
发明人：安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩;瑞纳塔·A·卡米罗-卡斯罗 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：该主动装置包括集极区、形成于该集极区上的基极区、及形成于该基极区上的射极区。隔离结构围绕该主动装置而形成在该衬底中。以压缩材料填充的沟槽形成于该衬底中，并且侧向地安置成相邻于该射极区与基极区。该沟槽至少部分地延伸入该基极区内。
用于改善迁移率具有应力材料异质接面双极晶体管

[发明专利]半导体装置-CN200480039854.5无效
发明人：九里伸治;宍户宽明;三川雅人;大岛宏介;栗山昌弘;北田瑞枝 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：与位于同一基极扩散区17a底面的埋入区44a相互间的距离Wm₁相比，位于不同基极扩散区17a底面的、相互相对的埋入区44a间的距离Wm₂设置得较小(Wm基极扩散区17a底面下出现雪崩击穿，雪崩电流不流过基极扩散区17a的源扩散区21正下方的高电阻部分，因此抗破坏性强。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202010572172.1在审
发明人：嘉屋旨哲;永久克己;下村彰宏;柳川洋;森和久 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：为了减小导通电阻同时抑制具有超级结结构的垂直MOSFET的特性变化的增加，垂直MOSFET包括具有n型漂移区的半导体衬底、在n型漂移区的表面上形成的p型基极区、以预定间隔布置在p型基极区下部的n型漂移区中的多个p型列区、底表面到达比p型基极区更深的位置并且布置在相邻p型列区之间的多个沟槽、在多个沟槽中形成的多个栅极电极、和在栅极电极的侧面上的p型基极区中形成的n型源极区。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810144320.9无效
发明人：尹汝祖 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在半导体衬底上可以形成n-阱区，在n-阱区上可以形成基极接触区。在n-阱上还可以形成发射极接触区、集电极接触区和p-基极区。发射极接触区和集电极接触区可以包括n-型离子，基极接触区和p-基极区可以包括p-型离子。因此，半导体器件可以包括n-沟道金属氧化物半导体晶体管和NPN双极晶体管。本发明可以改善双极晶体管的噪声特性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]高保持电压双极结器件-CN202310197258.4在审
发明人： P·马哈詹 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：所述器件包括基极、集电极和发射极端子。由于独特配置的发射极端子，实现了高保持电压。具体地，所述器件包括具有第一类型导电性的基极阱区。发射极端子包括邻近基极阱区(例如，在基极阱区内和/或在基极阱区上)的发射极接触区和辅助发射极区，所述发射极接触区具有第二类型导电性，所述辅助发射极区邻接所述发射极接触区并具有比所述基极阱区更高导电性水平的第一类型导电性实施例根据发射极接触区和辅助发射极区的形状而变化。实施例还根据用于将集电极端子与发射极端子隔离的结构以及由硅化物层覆盖的区域而变化。
保持电压双极结器件

[发明专利]避免热逸溃的双极晶体管-CN03804551.6无效
发明人：本诚和彦;内田和男;加藤修一;森崎弘;野崎真次;一户隆久 -专利权人：明科有限公司
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种双极晶体管，包括一个集电极区(5)，一个连接集电极区(5)的基极区(6)，一个连接基极区(6)的发射极区(8)，一个发射极电极(13)，一个基极电极(7)，至少一个颗粒状金属－介电材料的第一、第二电阻层第一电阻层(12)置于发射极区(8)和发射电极(8)之间，第二电阻层(16)置于基极区(6)和基极电极(7)之间。颗粒状金属－介电材料的电阻通过金属颗粒和介电基质的体积比来大范围调节。
避免热逸溃双极晶体管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210112626.6在审
发明人：高际和美;澄田仁志 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置具备：第一导电型的半导体层(1)；第二导电型的阱区(2)，其设置于半导体层的上部；第二导电型的基极区(4a、4b)，其设置于阱区的上部；第一导电型的载体供给区(6a、6b)，其设置于基极区的上部；第一导电型的漂移区(3)，其设置于阱区的上部，与基极区分离设置；第一导电型的载体接收区(5)，其设置于漂移区的上部；栅极电极(11a、11b)，其隔着栅极绝缘膜(12)设置于阱区的夹在基极区与漂移区之间的上表面；以及第二导电型的击穿防止区(9a、9b)，其设置于阱区的上部，杂质浓度与基极区的杂质浓度不同。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有环绕式外基极的晶体管-CN202211279237.9在审
发明人：蔡新树;陈学深;V·杰恩;J·J·派卡里克;张建幸;张永富;J·R·霍尔特;刘奇志;K·J·施泰因 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有环绕式外基极的晶体管和制造方法。该结构包括：衬底；集电极区，其位于衬底内；发射极区，其位于衬底上方并且包括基于单晶硅的材料；内基极，其位于发射极区下方并且包括半导体材料；以及外基极，其围绕发射极并且位于内基极上方。
具有环绕基极晶体管

[发明专利]无母线背接触式太阳能电池及其太阳能模块和制造方法-CN201380075512.8在审
发明人：吉绍·黑恩;贝恩德·拉比;费利克斯·布克 -专利权人：康斯坦茨大学
申请日： 2013-02-14 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：半导体基板(3)的基板背面(5)具有多个线状的发射极区(15)和基极区(17)，它们与同样为线状的发射极金属触点(7)和基极金属触点(9)电接触，发射极金属触点(7)相互间以及基极金属触点(9)相互间不通过与其垂直地延伸的并且与基板背面每个发射极金属触点(7)和每个基极金属触点(9)沿着与其接触的发射极区(15)和基极区(17)具有多个中断部(29、31)，该中断部显著短于邻接的发射极金属触点(7)或基极金属触点(9)的非中断区域。用于太阳能电池互连的第一和第二金属线(19、21)可以穿过这些中断部(29、31)，从而横跨发射极区(15)和基极区(17)而不产生短路。
母线接触太阳能电池及其太阳能模块制造方法

[发明专利]借助掩埋击穿晶闸管装置的单向ESD保护-CN201910601854.8在审
发明人：叶夫根尼·尼科洛夫·斯特凡诺夫 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护装置包括：基板；第一和第二发射极区，所述第一和第二发射极区安置在所述基板中，在所述基板的一侧上彼此横向间隔开，并且具有相反导电类型；以及第一和第二基极区，所述第一和第二基极区具有相反导电类型所述第一基极区包括在所述第二基极区下方延伸的掩埋掺杂层。所述掩埋掺杂层和所述第二基极区中的每一个包括掺杂剂浓度分布的相应不均一性。在所述相应不均一性处所述掩埋掺杂层与所述第二基极区之间的间隔为所述晶闸管布置建立击穿触发电压。
基极区掩埋掺杂层发射极区基板相反导电类型不均一性晶闸管静电放电保护装置彼此横向间隔触发电压浓度分布掺杂剂安置击穿延伸

[发明专利]关断型功率半导体器件及其制造方法-CN201680066270.X有效
发明人： M.阿尔诺德;U.维穆拉帕蒂 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明涉及一种关断型功率半导体器件，该器件包含多个晶闸管单元，各个晶闸管单元包含：阴极区；基极层；漂移层；阳极层；栅极电极，布置成横向于与基极层接触的阴极区；阴极电极；以及阳极电极。多个晶闸管单元的基极层与栅极电极之间的交界面以及阴极区与阴极电极之间的交界面为扁平且共面的。另外，基极层包括栅极阱区，栅极阱区从它与栅极电极的接触部延伸至深度，深度是阴极区的深度的至少一半，其中，对于任何深度，该深度处的栅极阱区的最小掺杂浓度是该深度处且横向位置处的位于阴极区与栅极阱区之间的基极层的掺杂浓度的1.5倍，其中，在到与第一主侧平行的平面上的正交投影中，该横向位置具有从阴极区起2µm的距离。
阴极区基极层阱区晶闸管单元栅极电极补偿区传导性类型掺杂阴极电极交界面功率半导体器件横向位置处横向位置阳极电极正交投影换向型晶闸管漂移层阳极层邻接关断平行延伸