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- [发明专利]半导体器件-CN99105780.5无效
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铃木久满
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日本电气株式会社
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1999-04-15
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1999-10-20
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H01L29/72
- 提供一种包括自对准型多发射极双极晶体管的半导体器件,其中每个集电极－基极隔离长度可以被减小成与集电极－基极击穿电压相连所允许的最小值,在这种双极晶体管中,一个以上发射极/基极形成区和至少一个集电极引线区排列在单独的阵列中,而非本征基区通过基极引线电极连接到具有设置在单独阵列外部的接触栓塞的至少一个基极电极上。因此,可以将集电极电阻、集电极－基极电容和集电极－衬底电容最小化,还可将双极晶体管的元件尺寸最小化。
- 半导体器件
- [发明专利]绝缘栅型半导体装置-CN200410088700.7有效
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大月正人;百田圣自;胁本博树
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富士电机电子设备技术株式会社
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2004-11-15
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2005-05-25
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H01L29/739
- 本发明提供一种满足导通损耗和放射噪声双方的标准的绝缘栅型半导体装置，其解决方案如下；通过沟道(21)将p型基极层(20)分成多个p型基极区域(9、10、12)，而且使没有n型源极区(3)的p型基极区(10、12)之中的一部分的p型基极区域(12)和发射极(7)经分别设置在沟道(21)的终端部附近和活性区域内的栅电极流道(14)两侧的接触孔(11)电连接，此外，在用N1表示没有n型源极区(3)的p型基极区域(10、12)之中的、与发射极电连接的p型基极区域(12)的数，用N2表示与发射级绝缘的p型基极区域(10)的数时，N1和N2应当满足25≤{N1/(N1+N2)}×100≤75。
- 绝缘半导体装置
- [发明专利]一种RC-IGBT半导体装置-CN201910993731.3有效
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请求不公布姓名
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上海睿驱微电子科技有限公司
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2019-10-18
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2023-08-01
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H01L29/739
- 本发明公开了一种RC‑IGBT半导体装置，在一个衬底上形成有IGBT和FWD，IGBT具有p型基极层和n型漂移层和多个沟槽栅极结构，栅电极穿过p型基极层，p型基极层由栅电极分成多个间隔区域；在间隔区域中，p型基极层上表面设置有p+发射极区和n+发射极区，n+发射极及p型基极层的侧壁均与沟槽侧壁外表面相接触；FWD设置有形成在n型漂移层表面的多个虚拟沟道，以及在衬底上形成的n型漂移层；在n型漂移层上平行虚拟沟道方向设置有多段p型基区，所述p型基区将位于虚拟沟道之间的n型漂移层隔离出n‑漂移区，所述n‑漂移区上覆盖有肖特基势垒区。本发明实现低寄生电容，获得低集电极发射极饱和压降VCE(sat)和大短路电流安全工作区。
- 一种rcigbt半导体装置
- [发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN200810215305.9无效
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李相容
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东部高科股份有限公司
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2008-09-01
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2009-03-04
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H01L29/739
- 该绝缘栅双极晶体管包括：第一导电类型集电极离子注入区，位于衬底中；第二导电类型缓冲层，包括第一区段和第二区段缓冲层，并位于第一导电型集电极离子注入区上；第一导电类型基极区，位于第二导电类型缓冲层上；栅极，位于衬底上且在第一导电类型基极区一侧；第二导电类型发射极离子注入区，位于第一导电类型基极区中；绝缘层，位于栅极上；发射极电极，电连接至第二导电类型发射极离子注入区；及集电极电极，电连接至第一导电型集电极离子注入区该第一区段缓冲层可在基极区的一部分之下对准，且具有比靠近第一区段缓冲层的第二区段缓冲层更低密度的第二导电类型离子。本发明能够抑制寄生可控硅的闩锁。
- 绝缘双极晶体管及其制造方法
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