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[发明专利]栅控横向双极结/异质结晶体管-CN202011072209.0有效
发明人： M·杨;J·辛格;A·马丁;J·J·埃利斯-莫纳甘 -专利权人：格芯公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：该结构包括：发射极区；集电极区；基极区，其位于发射极区和集电极区的相对侧；以及栅极结构，其由主体区和支脚区组成，主体区位于发射极区和集电极区的相对侧上的基极区之间，并且支脚区将基极区与发射极区和集电极区两者隔离
横向双极结结晶体

[发明专利]功率半导体器件及其应用-CN202210320695.6在审
发明人：袁朝城;夏经华;张安平 -专利权人：松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其应用，其中器件包括：基体、源极以及漏极，基体具有相对的第一表面和第二表面，基体内设有基极区、源区、沟道区、阱区以及终端区，终端区包括第一掺杂区以及第二掺杂区，第一掺杂区、基极区、源区以及沟道区的一侧表面与基体的第一表面平齐，源极设置在第一掺杂区、基极区、源区以及基体的第一表面上基体的材料的功函数小于源极的材料的功函数。通过结合第一掺杂区与基极区之间的基体与源极形成的肖特基接触、第一掺杂区和基极区构成了JBS继流二极管，缩小了器件的尺寸，该器件兼具高终端效率、高电流密度、高导通特性、耐高压以及低漏电特性，使其在第一和第三象限中具有良好的工作性能和开关动态性能
功率半导体器件及其应用

[实用新型]双极结型晶体管-CN201420234777.X有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种双极结型晶体管，包括：衬底，所述衬底具有第一面以及与所述第一面相对的第二面；发射极区，位于所述衬底中，所述发射极区面向所述第一面；集电极区，位于所述衬底中，并至少围绕所述发射极的相邻两面，所述集电极区面向所述第一面；以及基极区，位于所述衬底中，并位于所述发射极区与集电极区之间，所述基极区面向所述第一面，所述基极区至少具有一导通所述发射极区与集电极区的基极区开口。在本实用新型提供的双极结型晶体管中，所述基极区开口的设置使得所述发射极区与集电极区之间的距离更近，使得所述发射极区与集电极区之间导通更容易，有利于降低所述发射极区与集电极区的导通电压，并有利于节约面积。
双极结型晶体管

[发明专利]具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法-CN201410838171.1在审
发明人：王进泽;杨香;颜伟;刘胜北;赵继聪;何志;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法，所述结构在N+衬底上形成有N-漂移区，在该N-漂移区的上方形成有P型基极区和JFET区，所述JFET区由所述P型基极区环绕；所述P型基极区的内部形成有P+区和N+区；所述JFET区上方形成有栅介质层；在所述栅介质层与所述P型基极区之间，围绕所述JFET区形成有N-导电沟道层。且在JFET区与N-漂移区连接处形成N电流扩散层，其宽度与N-漂移层宽度相同。本发明能够降低沟道电阻和漂移区电阻，从而降低VDMOSFET结构的导通电阻。
具有特征通电 sic vdmosfet 结构及其制造方法

[发明专利]使半导体元件免受静电损坏的保护二极管-CN96106697.0无效
发明人： S·柳濑 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-05-31 - 公布日： 1997-01-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：在P型半导体衬底表面有选择地形成场氧化物层，将半导体衬底表面隔成二个元件形成区。在包括元件形成区的半导体衬底表面形成N-型外延层。在一个元件形成区表面形成N+集电极扩散区。在另一个元件形成区表面形成浅结P型基极区。在P型基极表面形成N型发射极区。在N+型集电极扩散区表面形成N+型集电极接触区。在P型基极中未生成高浓度杂质。形成与P型基极区和N+型发射区接触的接地电极。集电极电极连接N+型集电极接触区。
半导体元件免受静电损坏保护二极管

[发明专利]具有在基极区与发射极区之间的偏置结构的双极结晶体管-CN202110002780.3在审
发明人： A·萨多夫尼科夫;N·拉沃洛格达;G·马图尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请题为“具有在基极区与发射极区之间的偏置结构的双极结晶体管”。在所描述的示例中，双极结晶体管(100)包括衬底。发射极区(114)、基极区(112)和集电极区(110)均形成在衬底(120)中。栅极型结构(102)在基极区(112)与发射极区(114)之间形成在衬底上。触点(130)耦合到栅极型结构(102)，并且触点适于耦合到DC电压(VCC)的源。
具有基极发射极之间偏置结构结晶体

[发明专利]在碳化硅中具有改进的击穿电压的双极结晶体管-CN201280004474.2无效
发明人：马丁·多梅杰;安德烈·康斯坦丁诺夫;卡里纳·扎林格;克里斯特·古梅柳斯;马茨·雷马克 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：所述SiC BJT含有集电区（220），基极区（240）和发射区（260）。另外，表面钝化层沉积于用于接触所述发射区的发射极接触点和用于接触所述基极区的基极接触点之间。所沉积的表面钝化层促使在所述基极区的非本征部分内的表面钝化层之下形成耗尽区。另外，所述SiC BJT在所沉积的表面钝化层处包括栅极排布的表面。所述表面栅极构造成相对于所述基极区中的电位向所沉积的表面钝化层施加负电位。本发明是有利的，因为其提供了改进阻塞容量的SiC BJTs。
碳化硅具有改进击穿电压结晶体

[发明专利]具有对称击穿电压的瞬时电压抑制器-CN201010174319.8有效
发明人：管灵鹏;马督儿·博德;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直瞬时电压抑制器(TVS)器件，包括一个第一导电类型的重掺杂的半导体衬底、一个形成在衬底上具有第一厚度的第一导电类型的外延层，一个形成在外延层中、位于外延层的中间区域的第二导电类型的基极区此基极区和外延层在基极区的两边提供一个基本对称的垂直掺杂结构。在一个实施例中，通过高能植入，形成此基极区。在另一个实施例中，将此基极区作为一个掩埋层。选取合适的外延层和基极区的掺杂浓度，将瞬时电压抑制器(TVS)器件配置成一个基于穿通二极管的瞬时电压抑制器(TVS)或一个雪崩模式瞬时电压抑制器(TVS)。
具有对称击穿电压瞬时抑制器

[发明专利]自对准外延生长的双极型晶体管-CN200580036080.5无效
发明人：彼得·马格涅;韦伯·范诺尔特;约翰·唐克斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：公开了一种形成自对准双极型晶体管的方法，所述方法包括：使用第一双极型掩模在双极型区中限定双极型有源区和场区，双极型区和CMOS区由隔离区分开，其中，限定双极型有源区包括；将双极型有源区刻蚀到预定深度；将SiGe型基极层沉积到双极型有源区和场区中；以及在双极型有源区内的SiGe型基极层上形成内部隔板；在双极型有源区中的内部隔板之间形成发射极区，其中，形成发射极区包括；用掺杂硅填充发射极区；使用第二双极型掩模限定非本征基极区，由于第二双极型掩模提供的掩模保护作用，去除SiGe型基极层中的材料；对CMOS区内的集电极区进行注入；以及对于有源晶体管区的非本征基极区、发射极区和集电极区的每一个，限定至少一个接触区。
对准外延生长双极型晶体管

[发明专利]异质结双极晶体管和异质结双极晶体管的形成方法-CN202211422411.0在审
发明人：潘林;杨磊;袁海旭;何鹏 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种异质结双极晶体管和异质结双极晶体管的形成方法，异质结双极晶体管包括：衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间；位于第一区上和第二区上的基座，所述基座在第二方向上依次包括：集电极层、位于集电极层上的基极层以及位于基极层上的发射极层；位于第一区发射极层上的发射极金属层以及位于发射极金属层上的第一连接层；位于第二区上的基极金属层，所述基极金属层贯穿所述发射极层与基极层接触；位于衬底第三区上的集电极金属层以及位于集电极金属层上的第二连接层；所述第一连接层、第二连接层与基极金属层的相同。
异质结双极晶体管形成方法

[发明专利]双极晶体管及其制造方法-CN200810087505.0无效
发明人：金南柱 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：所述双极晶体管可包括在衬底中形成的集电极区、在包括所述集电极区的所述衬底上形成的外延层、在所述外延层中形成的基极区、在所述基极区中形成的发射极区、在延伸通过所述发射极区、基极区、外延层并且延伸到所述集电极区中的沟槽的侧壁上形成的氧化物层
双极晶体管及其制造方法

[发明专利]太阳能电池-CN201210381388.5无效
发明人：金英水;金东燮;李斗烈;金永镇;朴映相;牟灿滨;李成喆 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基底，所述硅基底包括用于接收光的前表面和与前表面相对的后表面；发射极扩散区，位于后表面上并且用与硅基底的极性相反的第一极性掺杂；基极扩散区，位于基底的后表面上并且用与硅基底的极性相同的第二极性掺杂；以及绝缘间隙，位于发射极扩散区和基极扩散区之间，其中，基极扩散区具有闭合的多边形形状，其中，绝缘间隙与基极扩散区相邻。
太阳能电池

[发明专利]具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管-CN200580038284.2有效
发明人：玛瓦恩·H.·卡特;弗朗索瓦·帕杰蒂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种双极晶体管及制作晶体管的方法，其中晶体管包括基片(10)中的集电极(12)、位于集电极上的内基极(14)、与内基极相邻的外基极、位于内基极上的发射极(130)。从横切面看，外基极包括与内基极相邻的外基极注入区(82、172、192)。晶体管通过对基极上方的基片上发射极下部构图形成发射极基座(50)而形成。在不受发射极基座保护的区域内形成外基极。随后，形成发射极、相关联的分隔件(180)和硅化物区(220)。硅化物、外基极和发射极都彼此自对准。
具有对准硅化物基极双极晶体管

[发明专利]发光半导体方法和装置-CN201410346118.X在审
发明人：加布里埃尔·沃尔特;米尔顿·冯;尼克·小霍伦亚克;田汉威;吴曹新 -专利权人：伊利诺斯大学理事会;量子电镀光学系统有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01S5/062 文献下载
摘要：一种用于产生表示高频电输入信号分量的高频光学信号分量的方法，其包括以下步骤：提供半导体晶体管结构，半导体晶体管结构包含位于第二半导体类型的半导体射极与集极区之间的第一半导体类型的基极区；在基极区中提供至少一个展现量子大小效应的区；提供分别与射极、基极和集极区耦合的射极、基极和集极电极；相对于射极、基极和集极电极施加包含高频电信号分量的电信号以通过量子大小区的辅助从基极区产生输出自发光发射，输出自发光发射包含表示高频电信号分量的高频光学信号分量；为基极与射极电极之间的区中的光发射提供光学腔；以及响应于高频电信号分量而缩放光学腔的横向尺寸以控制光发射的速度。
发光半导体方法装置

[发明专利]沟槽限定硅锗静电放电二极管网络-CN01130313.1有效
发明人：查兰·J·布伦南;道格拉斯·B·赫什伯格;李满九;尼古拉斯·T·施米特;斯蒂文·H·沃尔德曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-11-20 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：第一二极管结构元件具有在衬底中的第二掺杂型的集电极区、在集电极区上的第一掺杂型的SiGe基极层、和在SiGe基极层上的第二掺杂型的发射极,其中SiGe基极层包括基极接触区。最好集电极区中的SiGe基极层是SiGe外延层,并且发射极的第二掺杂型扩散进SiGe基极层中。多个隔离区设置成与二极管元件的集电极区相邻并在二极管元件的SiGe基极层的一部分下面。
沟槽限定静电放电二极管网络