“陶利”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果204个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种改善电泳漆二次涂覆的无取向硅钢绝缘涂液及制备方法与应用-CN202211311036.2有效
发明人：宋刚;陶利;王晓燕;万政武;郭小龙;曹阳;叶国明;杨佳欣 -专利权人：武汉钢铁有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C09D5/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于改善电泳漆二次涂覆的无取向硅钢绝缘涂液，由醋丙乳液、成膜助剂、流变剂、硼酸、多元醇、消泡剂、去离子水按质量比100∶(1～10)∶(2～7)∶(0.1～0.8)∶(0.1～1)：(0.1～0.5)：(60～150)组成。该绝缘涂液形成的涂层表面透明光滑，附着性和防锈性能优良，特别是在其上涂覆的电泳漆二次涂层具有良好的附着性，并且二次涂覆效果好。
一种改善电泳二次取向硅钢绝缘制备方法应用

[发明专利]一种具有自粘结性的高磁感取向硅钢极薄带的制备方法-CN202310731484.6在审
发明人：杨佳欣;申明辉;张宁国;郭小龙;李国保;李海波;陶利;杜玉泉;付刚;胡惊雷 -专利权人：武汉钢铁有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：一种具有自粘结性的高磁感取向硅钢极薄带的制备方法：母材选择；冷轧；退火；涂覆；待用。本发明不仅产品厚度在0.03～0.12mm，且使磁通密度B800为1.85～1.95T、损耗P1.5/400为7.50～16.50W/kg，T型剥离强度不低于0.50N/mm，并采用一次性冷轧，满足了电力电子行业设备中对于低损耗、高磁感中高频用极薄取向硅钢，及自粘接性能T型剥离强度不低于0.50N/mm需求。
一种具有粘结高磁感取向硅钢极薄带制备方法

[发明专利]一种采用沟道注入的碳化硅超结肖特基二极管及制造方法-CN202310484229.6在审
发明人：韩超;姚彤;袁昊;宋庆文;白博仪;陶利;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用沟道注入的碳化硅超结肖特基二极管及制造方法，方法包括：提供碳化硅外延片；在第一掺杂类型外延层上依次制备离子注入阻挡层和光刻胶；曝光并显影离子注入区域的光刻胶形成刻蚀窗口，以剩余光刻胶为掩膜刻蚀刻蚀窗口暴露出的离子注入阻挡层，形成离子注入窗口；去除剩余光刻胶；以剩余离子注入阻挡层为掩膜，在离子注入窗口暴露出的第一掺杂类型外延层沿着目标晶向沟道进行第二掺杂类型的离子注入，形成第二掺杂类型阱区和第一掺杂类型阱区；去除剩余离子注入阻挡层；再次制备第一掺杂类型外延层并重复上述步骤，得到第二掺杂类型深阱柱和第一掺杂类型深阱柱。本发明可以减少超结结构外延工艺次数，降低制造成本。
一种采用沟道注入碳化硅超结肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种雪崩型SiC-TVS器件及制备方法-CN202310442684.X在审
发明人：韩超;苑广安;汤晓燕;陶利;黄雨;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种雪崩型SiC‑TVS器件及制备方法，器件包括：SiC衬底层、设置于SiC衬底层的第二上表面上的SiC外延层、设置于第二掺杂区的上表面的第一电极、设置于SiC衬底层的下表面的第二电极，SiC衬底层具有第一上表面、位于第一上表面上方的第二上表面、以及位于第一上表面和第二上表面之间的Mesa侧壁，SiC外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第二掺杂区位于所述第一掺杂区之上。本发明通过控制Mesa刻蚀角度即可调整正斜角的角度，使之达到可最大化降低表面电场的优值，提高了本发明SiC‑TVS器件的击穿和钳位可靠性。
一种雪崩 sic tvs 器件制备方法

[发明专利]一种支架吊装机构及吊装系统-CN201810263450.8有效
发明人：邹永泉;郭昭赢;凌俊东;赵凯兵;陶利;范亚峰 -专利权人：中铁十一局集团第二工程有限公司;中铁十一局集团有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B66C23/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种支架吊装机构及吊装系统，属于建筑机械技术领域。其包括立柱、吊装组件以及工字钢梁，吊装组件包括连接构件、倒链、支撑构件以及拉力器；工字钢梁可移动地设置在立柱上；支撑构件通过连接构件可移动地安装在立柱上，倒链安装在立柱的一侧上，倒链与支撑构件传动连接，倒链能够带动支撑构件沿立柱的长度方向移动；拉力器安装在支撑构件上，拉力器与工字钢梁传动连接，拉力器能够将工字钢梁拉动到支撑构件上。该吊装系统，能有效控制杆件下落速度和空间高度，达到满足吊车正常作业的空间提供。
一种支架吊装机构系统

[发明专利]具有清洁功能的高效裁剪装置-CN202310441278.1在审
发明人：陶利;杨雪峰;杜俊祥 -专利权人：江苏先进新材料有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B26D7/24 文献下载
摘要：本发明提供了具有清洁功能的高效裁剪装置，涉及裁剪装置技术领域，包括：底座、推送部分、裁剪部分、净化部分、辅助部分和防护部分。因滑动座上滑动连接有挡板，挡板位于切刀前侧，在使用过程中通过挡板可实现人员防护；所述挡板后端面焊接有一个辅助块，辅助块为矩形块状结构，当挡板开启时辅助块位于切刀座的下方，此时无法实现切割动作，那么也就实现了人员的保护，解决了目前在纸张裁切装置上虽然设置有防护板，但是部分工作人员在侥幸心理的影响下不关闭防护板就进行裁切，此时就容易导致工作人员受伤的现象发生；目前在裁切过车中细小的纸张碎屑容易漂浮在空中，如不及时清洁会影响工作人员的健康的问题。
具有清洁功能高效裁剪装置

[发明专利]一种能够实现快速响应的穿通型SiC-TVS器件及其制备方法-CN202310574169.7在审
发明人：韩超;汤晓燕;苑广安;黄雨;陶利;白博仪;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够实现快速响应的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区以及嵌入在基区上表面且彼此间隔的若干个发射区，发射区与SiC衬底具有相同的掺杂类型，发射区与基区具有相反的掺杂类型；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基区上表面的若干个基极短接组成，其中，若干个发射极与若干个基极交替接触设置；第二电极位于SiC衬底的下表面。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。
一种能够实现快速响应穿通型 sic tvs 器件及其制备方法

[实用新型]一种室内温湿度智能调控装置-CN202221802635.X有效
发明人：王伟;何景涛;汪敏华;吴浩东;李东;曹吾;冷兆云;蒋宣;陶利 -专利权人：江苏中安智慧科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： F24F6/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种室内温湿度智能调控装置，包括调控器本体、排放口、散热槽、电源导线、固定架、智能面板和摆动喷雾机构，本实用新型通过在调控器本体上端设置了摆动喷雾机构，伸缩缸进行伸缩运动，使固定框绕第一定位轴进行摆动，从而使固定框带动输送管进行扇形状摆动，同时喷雾管进行喷雾加湿，达到了能够增加喷雾加湿范围，增加加湿效率的优点；通过在摆动喷雾机构上端设置了定位框，通过固定环内侧的弹性块能够对排放管进行夹持固定，使得在输送管摆动时，排放管不会进行弯折，达到了能够对排放管平稳固定的优点。
一种室内温湿度智能调控装置

[发明专利]沿湖超深分节制作矩形多功能雨水泵站施工方法-CN202310417414.3在审
发明人：李瑞峰;蒋礼兵;王剑锋;陈德军;甄亮;陈超;陶利;张涛 -专利权人：中铁上海工程局集团有限公司;镇江市给排水管理处;上海隧道工程有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： E03B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种沿湖超深分节制作矩形多功能雨水泵站施工方法，包括步骤：开挖初始基坑、施工外部锚固体系、安装模板并初步固定、安装第二安全网、安装模板对拉螺杆、安装模板背楞、安装模板对撑体系、安装第一安全网、安装斜撑、浇筑沉井节段并开挖基坑。本发明的有益效果是：利用悬挑模板体系制作雨水泵站沉井节段，而不依赖传统的落地支架作为模板防护，通过底部预埋件搭设体系、顶部对拉体系、对撑体系、背楞体系、外部锚固体系，双重安全网防护体系等多重模板加固与防护体系实现模板稳固，支撑结构简单，构件可简易装拆。
沿湖超深分节制作矩形多功能雨水泵站施工方法

[发明专利]浅覆土超大口径超长曲线顶管施工方法-CN202310417352.6在审
发明人：蒋礼兵;张杰;王剑锋;李瑞峰;甄亮;陈德军;张涛;陶利 -专利权人：镇江市给排水管理处;中铁上海工程局集团有限公司;上海隧道工程有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： E21D9/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅覆土超大口径超长曲线顶管施工方法，包括长距离顶管排泥体系、浅覆土可移配重结构、浅覆土注浆体系、曲线预调装置和移动式撑架；包括步骤：浅覆土段泥浆施工、浅覆土段配重施工、曲线段顶管调整施工、水下管节接缝处施工。本发明的有益效果是：出了长距离顶管排泥体系和浅覆土注浆体系，解决了长距离泥浆沉淀难题，实现了注浆压力精准控制；提出了浅覆土可移配重结构，通过在顶管底部设置环板，避免了因受压对顶管管节的破坏，避免顶管在浅覆土段上浮，抗浮效果佳；研发了曲线预调装置，结构设计合理，实现了顶管在曲线段快速定位，操作简单。
浅覆土超大口径超长曲线施工方法

[发明专利]欧姆接触基极与发射极短接的穿通型SiC-TVS器件及其制备方法-CN202310688461.1在审
发明人：韩超;黄雨;汤晓燕;苑广安;白博仪;陶利;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种欧姆接触基极与发射极短接的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区、嵌入在基区上表面交替分布的若干个发射区和若干个基极接触区，发射区与SiC衬底掺杂类型相同，与基区相反；基极接触区与基区掺杂类型相同，与SiC衬底相反；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基极接触区上表面的若干个基极短接组成。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区和基极接触区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。
欧姆接触基极发射极穿通型 sic tvs 器件及其制备方法

[发明专利]可适应大小植物种植的海岸盐碱地修复治理用种植设备-CN202211609703.5有效
发明人：余郁华;王姣平;韩志文;陶利;李秋斌;廖桂梅;刘超其;王亮 -专利权人：珠海市风景园林集团有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： A01G23/04 文献下载
摘要：可适应大小植物种植的海岸盐碱地修复治理用种植设备，属于盐碱地种植修复技术领域技术领域，为解决现有的钻头钻坑的直径范围不便于调整，则需要携带多种不同直径的钻头才能满足不同树木移植所需的坑位大小的问题；本发明通过将钻头组件拆卸，可调整破碎盘与第二连接盘的径向距离，通过启动第一伸缩气缸使第一滑块滑动至第一滑槽内，使部分插板滑动至第一连接盘下方并组合成近似圆形，圆形的直径与多组破碎盘形成的直径对应，钻头组件在钻坑的过程中钻出的泥土位于插板和螺旋提料轴之间，部分泥土会直接运输出坑外，剩余泥土由钻头组件顶部与插板的共同作用带出，实现了可调直径的挖坑，且可将坑内泥土转运出坑外，适用于不同大小树木的移植。
适应大小植物种植海岸盐碱地修复治理设备

[发明专利]预应力管桩拔除施工方法-CN202310361552.4在审
发明人：蒋礼兵;王剑锋;岳立章;王新泉;甄亮;程士洋;陶利;侯雨;张涛 -专利权人：镇江市给排水管理处;上海隧道工程有限公司;中铁上海工程局集团有限公司;浙大城市学院
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： E02D9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种预应力管桩拔除施工方法，包括步骤：定制钢套筒、钢套筒打设、泥浆沉淀循环利用、预应力管桩拔除、桩孔回填压密注浆。本发明的有益效果是：采用定制化钢套筒底部加固技术，采用倒三角肋板对钢套筒底部进行加固，起到加固钢套筒的效果同时作为破土辅助装置；在底部采用高压水管和高压气管形成高压水气幕液化土体，解决了钢套筒打设困难的问题；采用三级沉淀池处置循环利用泥浆技术，预应力管桩拔除后填充料由三级沉淀池处置循环后泥浆固体物加工制成，节约了施工成本；采用钢套管遇障碍物处置技术，通过钻机和钻孔导向架配合解决钢套管打设过程中遇障碍物阻碍施工的问题。
预应力拔除施工方法

[发明专利]挡水墙混凝土墙体结构及其严重渗漏水裂缝堵漏方法-CN201810332993.0有效
发明人：贾尚华;王彦杰;王琰;陶利;金志新;韦坤;韩建勇 -专利权人：上海公路桥梁（集团）有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： E02B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种挡水墙混凝土墙体结构及其严重渗漏水裂缝堵漏方法，挡水墙混凝土墙体结构包括混凝土墙体，混凝土墙体上具有严重裂缝；严重渗漏水裂缝堵漏方法包括以下步骤：S1、在混凝土墙体的背水面上钻若干个第一斜排孔和若干个第二斜排孔；S2、抽水装置连接于第一斜排孔，使用抽水装置并抽取第一斜排孔内的水；S3、在若干个第二斜排孔内注入第二堵漏剂；S4、在若干个第一斜排孔内注入第一堵漏剂；S5、在混凝土墙体的背水面中位于严重裂缝的位置上敷设有防水层。本发明在混凝土墙体的背水面对严重裂缝进行堵漏，堵漏方式操作简单。同时，在严重裂缝的两侧部位注入堵漏剂以及在严重裂缝的外侧敷设防水层，堵漏效果非常好。
挡水墙混凝土墙体结构及其严重渗漏水裂缝堵漏方法

[发明专利]一种Mesa沟槽终端耦合U型平面结的雪崩型SiC-TVS器件-CN202310171593.7在审
发明人：韩超;苑广安;汤晓燕;宋庆文;王东;吴勇;陶利;黄雨 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mesa沟槽终端耦合U型平面结的雪崩型SiC‑TVS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、负电极和正电极，SiC衬底的两侧呈对称的台阶状，SiC衬底包括第一上表面、第二上表面和位于第一上表面与第二上表面之间的Mesa侧边，SiC外延层位于第二上表面上，SiC外延层的两侧分别位于第一上表面与第二上表面102之间的侧壁延长线上，SiC外延层包括N‑区、U型平面PN结和P+区，其中，P+区通过离子注入的方式形成在SiC外延层上表面内部，U型平面PN结位于P+区与N‑区之间。本发明通过设计SiC‑TVS器件的两侧呈Mesa沟槽耦合U型平面PN结，有效降低了器件的表面电场，使得雪崩击穿发生在SiC‑TVS器件内部，解决了击穿不稳定的问题，保障了SiC‑TVS的击穿和钳位可靠性。
一种 mesa 沟槽终端耦合平面雪崩 sic tvs 器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
下一页»
尾页
共 204 条