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[实用新型]75欧姆—300欧姆匹配器-CN92234615.1无效
发明人：方昆泉 -专利权人：方昆泉
申请日： 1992-09-30 - 公布日： 1993-09-08 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本实用新型关于75欧姆—300欧姆匹配器，尤指一种省略作为导接75欧姆输入及300欧姆输出导线的媒介物PC板的匹配器者；其特点为该匹配器的套管被分成两半，且其中各半的内壁面分别具有对向设置的榫柱及榫孔，而于300欧姆导线上则具贯穿孔，如此该套管可以直接固着该300欧姆导线，而省却原有的PC板，符合实用功效。
75 欧姆 300 配器

[发明专利]GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法-CN200810116040.7无效
发明人：颜廷静;苏艳梅;王国东;种明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上；一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上；一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。
gan 基日盲型紫外探测器及其制作方法

[发明专利]AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法-CN201510967933.2有效
发明人：赵德刚;李晓静;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种AlxGa1‑xN基紫外探测器及制备方法，该AlxGa1‑xN基紫外探测器，包括一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积
al sub ga 紫外探测器制备方法

[实用新型]75欧姆—300欧姆匹配器接头-CN91226150.1无效
发明人：许连财;方崑泉 -专利权人：许连财
申请日： 1991-10-11 - 公布日： 1992-04-15 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种75欧姆～300欧姆匹配器接头，特别是指一种可将PC板完全固定的铝合金的匹配器接头。这种匹配器主要由接头、PC板、300欧姆导线等构成，其特征在于在该铝合金接头的较大环围颈部的一侧壁上有一突柱，可利用其突柱与PC板的负极导线用焊锡焊接，该突柱还可顶靠PC板，使PC板牢固地固定住，故PC
75 欧姆 300 配器接头

[实用新型]75欧姆-300欧姆匹配器套管-CN91226149.8无效
发明人：许连财;方崑泉 -专利权人：许连财;方崑泉
申请日： 1991-10-11 - 公布日： 1992-04-08 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：这种匹配器主要由接头、PC板、300欧姆导线及套管构成，其特征在于该套管由塑胶材料一体成型，一端为透空状，套接于接头的较大环围处，另一端为一体成型的侧壁面，且在侧壁面上有一线槽使300欧姆导线穿过，该线槽两端为圆弧状，中间为长条形，以此来固定300欧姆导线。
75 欧姆 300 配器套管

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件-CN202111630323.5在审
发明人：许生根;李哲锋;訾彤彤 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件，在P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区之间引入欧姆接触介质层，通过欧姆接触介质层将P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区进行隔离，隔离后可以有效的防止P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区沿着沟槽方向的扩散，从而可以消除P+型欧姆接触区与N+型欧姆接触区之间距离不能太小的限制，降低阈值电压变化的风险，提升器件的导通电流和RBSOA能力。同时，由于欧姆接触介质层的存在，设计上不需要考虑器件的P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区扩散对IGBT沟道宽度的影响，降低了设计难度和风险，能够解决现有技术中P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区的间距对IGBT
一种沟槽 igbt 器件

[发明专利]III‑V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法-CN201510390605.0有效
发明人：彭挺;陈汝钦 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种III‑V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法。该方法包括在外延层上形成掩膜层，并采用光刻工艺在掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域；对露出在欧姆接触区域内的外延层进行铟离子注入；在欧姆接触区域和非欧姆接触区域上沉积与外延层采用的半导体材料的功函数对应的欧姆接触金属层；采用湿法工艺剥离非欧姆接触区域上的掩膜层以及欧姆接触金属层；加热晶圆，使欧姆接触区域内的外延层、至少部分铟离子以及欧姆接触金属层形成合金化合物，进而实现欧姆接触。通过上述方式，本发明能够降低III‑V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻。
iii 化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法

[发明专利]像素结构与其制造方法-CN201410202925.4无效
发明人：徐文义;陈茂松;黄国有 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与漏极。栅极介电层覆盖栅极。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层、透明导电部与源极依序置于源极硅欧姆接触层上。漏极辅助欧姆接触层置于漏极硅欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。
像素结构与其制造方法

[发明专利]提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法-CN200610111261.6无效
发明人：赵德刚;杨辉;梁骏吾;李向阳;龚海梅 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种提高GaN基pin结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层上面的中间；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层制作在有源层上；P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在P型欧姆接触层上面；一N型欧姆接触电极，该欧姆电极为点状结构或环形结构，制作在N型欧姆接触层上面
提高 gan pin 结构性能紫外探测器制作方法

[发明专利]氮化镓基紫外-红外双色探测器及制作方法-CN201010034282.9无效
发明人：邓懿;赵德刚 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种氮化镓基紫外-红外双色探测器，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一紫外吸收层，该紫外吸收层制作在欧姆接触层上的一侧，该紫外吸收层的面积小于欧姆接触层的面积，在欧姆接触层的另一侧形成一台面；一红外吸收层，该红外吸收层制作在紫外吸收层上；一第一欧姆电极，该第一欧姆电极制作在红外吸收层上；一第二欧姆电极，该第二欧姆电极制作在欧姆接触层上的台面上。
氮化紫外红外探测器制作方法

[发明专利]PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法-CN200410074363.6无效
发明人：赵德刚;杨辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种PIN结构氮化镓基紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上，并且该有源层的面积小于N型欧姆接触层；一窗口层，该窗口层制作在有源层上；一N型欧姆电极，该N型欧姆电极制作在N型欧姆接触层上；一P型欧姆电极，该P型欧姆电极制作在窗口层上。
pin 结构氮化紫外探测器及其制作方法

[发明专利]欧姆合金触点区域密封层-CN202080063775.7在审
发明人： P·J·杜瓦尔;J·P·贝当古;J·W·麦克利蒙兹;P·M·奥尔康;P·C·巴拉斯二世;M·S·戴维斯 -专利权人：雷声公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：形成欧姆触点密封层，所述欧姆触点密封层被设置在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处；在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处形成欧姆触点密封层；并将带有欧姆触点的半导体利用化学蚀刻剂处理。
欧姆合金触点区域密封

[发明专利]欧姆接触-CN201710935866.5在审
发明人：奥罗拉·康斯坦特;彼得·科庞 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：用于氮化镓(GaN)装置的欧姆接触的实施方式可包括与GaN装置直接耦接的包括铝第一层；具有异质结构的GaN，所述异质结构具有未掺杂GaN沟道和半绝缘氮化铝镓(AlGaN)屏障，所有前述项均可操作地与基底耦接其中钝化层耦接在所述AlGaN屏障与所述欧姆接触的所述第一层之间。其中所述钝化层围绕所述欧姆接触。
欧姆接触

[外观设计]灯罩（欧姆）-CN201930231503.3有效
发明人：李国智 -专利权人：中山市智道政灯饰有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：灯罩（欧姆）。2.本外观设计产品的用途：灯饰配件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
外观设计灯罩灯饰配件图片

[外观设计]欧姆卡-CN202130338515.3有效
发明人：史国财 -专利权人：史国财
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：欧姆卡。2.本外观设计产品的用途：用于固定水管。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
欧姆

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