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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]图像传感器和图像捕捉设备-CN201420514114.3有效
发明人： S·王 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包括具有第一导电类型的基板。基板中的第一阱具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第一阱中的第二阱具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第二阱中的第一区域具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。第一区域中的第二区域具有第一导电类型并且利用第一导电类型的掺杂剂掺杂。第二阱中与第一区域相邻的第三区域具有相反的导电类型并且利用相反导电类型的掺杂剂掺杂。温度传感器位于第二区域和第三区域之间并且连接到第二区域和第三区域当中每一个。
图像传感器图像捕捉设备

[发明专利]绝缘栅薄膜晶体管及其控制系统-CN03136778.X有效
发明人：林丰;长谷川尚;吉田宜史;小山内润 -专利权人：精工电子有限公司;林丰
申请日： 2003-04-10 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：相反导电类型的第三半导体区设置在其与半导体薄膜接触的位置。在半导体薄膜中的载流子的量通过将相反导电类型的载流子从第三半导体区施加到半导体薄膜中被控制，或者通过从半导体薄膜向第三半导体区吸引相反导电类型的载流子被控制。
绝缘薄膜晶体管及其控制系统

[发明专利]带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管-CN96193819.6无效
发明人：约汉·亚当·埃德蒙德;康华双 -专利权人：克里公司
申请日： 1996-04-15 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管的双异质结构，包括：具有第一导电类型的铝镓氮层；具有相反导电类型的铝镓氮层；和在铝镓氮层之间的氮化镓有源层，氮化镓层用II族受主和IV族施主一起掺杂，其中一种掺杂剂的量足以使氮化镓层有明确导电类型，有源层与有相反导电类型的相邻铝镓氮层形成p-n结。
带有氮化有源双异质结发二极管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN98124901.9无效
发明人：高桥健一郎 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-11-13 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在扩展漏扩散层中漏扩散层的附近形成一反导电类型扩散层。反导电类型扩散层具有与扩展漏扩散层相反的导电类型。在基片上的漏扩散层与扩展漏扩散层之间形成一主栅区。在反导电类型扩散层和漏扩散层之间以及在扩展漏扩散层上形成次栅区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有下表面沟道电荷补偿区域的半导体器件及方法-CN200710106369.0有效
发明人：杜尚晖;戈登·M·格里瓦纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2007-05-28 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：电荷补偿沟道包括至少两个相反导电类型半导体层。沟道连接区域将沟道区电连接到至少两个相反导电类型半导体层中的一个。
具有表面沟道电荷补偿区域半导体器件方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN201180045445.6有效
发明人：吉见雅士;市川满;宇都俊彦;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序
光电转换装置制造方法

[发明专利]横向半导体功率组件-CN201680011532.2有效
发明人：穆罕默德·达维希;曾军;哈姆扎·耶勒马兹;理查·厄·布朗夏尔 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在本发明的第一教示中，横向传导路径由相反导电类型的区域横向侧接，相反导电类型的区域与隔离沟槽自对准，隔离沟槽界定通道的表面几何形状。在本发明的第四教示中，横向传导路径也由相反导电类型的附加区域覆盖。
横向半导体功率组件

[发明专利]具有槽电荷补偿区的半导体器件及方法-CN200710106465.5有效
发明人：杜尚晖;乔丹·M.·格里弗纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：电荷补偿槽包括至少两个相反导电类型的半导体层。沟道连接区将沟道区电连接到至少两个相反导电类型的半导体层中的一个。
具有电荷补偿半导体器件方法

[发明专利]具有栅极沟槽和掩埋的终端结构的功率半导体器件及相关方法-CN201780074972.7有效
发明人： D·J·里切特恩沃尔纳;E·R·万布鲁特;B·胡尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：与漂移区域的导电类型相反导电类型的屏蔽图案设置在器件的有源区域中的漂移区域的上部部分中，并且与漂移区域的导电类型相反导电类型的终端结构设置在器件的终端区域中的漂移区域的上部部分中。
具有栅极沟槽掩埋终端结构功率半导体器件相关方法

[发明专利]固态图像捕捉元件和电子信息设备-CN201010144014.2有效
发明人：永井谦一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的一种固态图像捕捉元件，包括：一种导电性类型半导体衬底；相反导电性类型阱区，其在所述一种导电性类型半导体衬底上形成；光电二极管部，其在所述相反导电性类型阱区上形成，由用于完全电荷转移的具有连续不同杂质浓度的多个一种导电性类型区构成；一种导电性漏极区，其能够从所述光电二极管部读出信号电荷；以及转移栅极，其在所述一种导电性漏极区与所述光电二极管部之间的衬底上形成。
固态图像捕捉元件电子信息设备

[发明专利]滤波器结构及其制造方法-CN200710110041.6无效
发明人：苏达哈玛·C.·沙斯特里;马克·A.·托马斯;瑞安·J·赫尔利;大卫·M.·海明格尔;闻叶廷 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：在一个实施例中，具有第一导电类型的阱区形成在具有相反导电类型的半导体基片内。所述阱区形成浮动电容器的一个极板和瞬态电压抑制器件的电极。
滤波器结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN02152674.5无效
发明人：上原正文;菊地修一;木绵正明 -专利权人：三洋电机株式会社;新潟三洋电子株式会社
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列步骤在某导电型的半导体衬底内形成第一相反导电型阱区域的步骤；在上述半导体衬底内形成其杂质浓度比上述第一相反导电型阱区域的杂质浓度高的第二相反导电型阱区域的步骤；在上述第一相反导电型阱区域上形成第一栅绝缘膜的步骤；在上述第二相反导电型阱区域上形成比上述第一栅绝缘膜薄的第二栅绝缘膜的步骤；以贯通上述第一和第二栅绝缘膜的条件向上述第一和第二相反导电型阱区域内注入第一某导电型杂质的步骤；以及以不贯通上述第一栅绝缘膜、贯通上述第二栅绝缘膜的条件，向上述第二相反导电型阱区域内注入第二某导电型杂质的离子注入步骤。
半导体装置制造方法

[发明专利]固态成像器件及其制造方法和固态成像系统-CN00134461.7无效
发明人：三井田高 -专利权人：伊诺太科株式会社
申请日： 2000-12-01 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种采用MOS图像传感器的固态成像器件，包括形成于一种导电类型的第一半导体层(12和32)中的相反导电类型的第二半导体层(15a)中的光电二极管，及形成于一种导电类型的第三半导体层(12)中相反导电类型的第四半导体层
固态成像器件及其制造方法系统

[发明专利]用于ESD保护的硅控整流管结构-CN201110112016.8有效
发明人：高翔;刘梅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于ESD保护的硅控整流管结构，其包括两个具有相反导电类型的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的交界区域表面设有具第一导电类型的第一扩散区，所述第一扩散区的掺杂浓度大于与其相接触的具有相同导电类型的阱区的掺杂浓度；在与所述第一扩散区具有相反导电类型的阱区中，设有与该阱区具有相同导电类型且掺杂浓度高于该阱区的第三阱区，所述第三阱区位于与所述第一扩散区相邻的隔离区下方。
用于 esd 保护整流管结构

[发明专利]固态图像捕获装置及其制造方法和电子信息装置-CN200810145151.0无效
发明人：武藤彰良 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在光接收部中，低浓度相反导电性层设置在单导电性衬底或单导电性层上，具有比低浓度相反导电性层更高的杂质浓度的高浓度相反导电性层设置在所述低浓度相反导电性层上，并且光电二极管由所述单导电性衬底或单导电性层与所述低浓度相反导电性层的
固态图像捕获装置及其制造方法电子信息

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