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[发明专利]自对准锗硅异质结双极型三极管器件及其制造方法-CN201310390404.1有效
发明人：周正良;陈曦;潘嘉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准锗硅异质结双极型三极管器件，集电区包括位于有源区中的第一离子注入区、第二离子注入区和第三离子注入区；本征基区由形成于有源区上的锗硅外延层组成，外基区多晶硅在本征基区两侧且被氧化硅保护层包围，其位于浅槽场氧上方并与浅槽场氧接触，表面不低于有源区硅表面且低于锗硅外延层的表面，氧化硅保护层底部与浅槽场氧接触且表面高于锗硅外延层的表面；发射区由基区上部的N型发射极多晶硅组成。本发明可拉开发射极多晶硅和外基区多晶硅的间距以及选择性集电极离子注入区和外基区多晶硅的间距，降低发射极‑基极电容、基极一集电极电容和基极电阻，提高器件的特征频率及其它射频特性。
对准锗硅异质结双极型三极管器件及其制造方法

[实用新型]高可靠性垂直功率MOS器件-CN202020573471.2有效
发明人：陈译;陆佳顺;杨洁雯 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高可靠性垂直功率MOS器件，包括：位于硅片下表面的重掺杂N型漏极区和位于硅片上表面的中掺杂P型基极区，所述重掺杂N型漏极区和中掺杂P型基极区之间具有一轻掺杂N型漂移区，一位于中掺杂P型基极区中沟槽延伸至轻掺杂N型漂移区下；沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述第二N型源极部和栅极部与沟槽之间填充有第一氧化硅层，所述第二N型源极部和栅极部之间通过第二氧化硅层隔离，所述沟槽底部具有一位于轻掺杂本发明高可靠性垂直功率MOS器件可提高轻掺杂N型漂移区的掺杂浓度，增加耐压的情况下，将关断时将导通电阻降低，且改善了器件可靠性。
可靠性垂直功率 mos 器件

[发明专利]金属氧化物半导体混成静态感应半导体闸流管-CN92112889.4无效
发明人：西泽润一;铃木壮兵卫 -专利权人：财团法人半导体研究振兴会
申请日： 1992-11-09 - 公布日： 1999-07-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：Ｓ１闸流管单元具有高杂质浓度第一导电类型的阴极区、高杂质浓度第二导电类型的栅极区和低杂质浓度第一导电型的沟道区。ＭＯＳ管具有与阴极区相同的漏极区，一在沟道区附近形成的第二导电型的阱或基极以及高杂质浓度第一导电型的源极区。在阱或基极上形成源极区。稳压元件含第二导电型的第一半导体区和第一导电型的第二半导体区，二者都具高杂质浓度。
金属氧化物半导体混成静态感应流管

[发明专利]引入外延层场阑区的半导体器件-CN201810685695.X在审
发明人：张磊;卡西克·帕德马纳班;管灵鹏;王健;陈凌兵;维母·亚兹;薛宏勇;李文军;马督儿·博德 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种半导体器件包括一个具有基极区的半导体本体，半导体本体中引入一个场阑区，其中基极区和场阑区都利用外延工艺制成。另外，外延层场阑区由改良掺杂结构构成，实现了半导体器件改良的软切换性能。在一些实施例中，形成在场阑区中的改良掺杂结构包括变化的、不稳定的掺杂水平。在一些实施例中，改良掺杂结构包括延长分级掺杂结构、多步进平板掺杂结构或多尖峰掺杂结构中的一个。本发明所述的外延层场阑区允许使用复杂的场阑区掺杂结构，以获得半导体器件所需的软切换性能。
掺杂场阑半导体器件外延层改良半导体本体基极区软切换外延工艺允许使用尖峰引入步进分级

[发明专利]一种低关断损耗的SOI LIGBT-CN202310309447.6在审
发明人：陈兴欢;夏云;陈万军;孙瑞泽;刘超 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明将SOI LIGBT的耐压层设置为由N型漂移区(3)和P型漂移区(4)横向排列的形式，形成NP横向排列漂移区，从而NP横向排列漂移区使器件内部形成了肖克来二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型漂移区，集电极：P型漂移区)和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区)构成，从而实现了更低的关断损耗。
一种低关断损耗 soi ligbt

[实用新型]高反压功率晶体管-CN201320510580.X有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：高反压功率晶体管，在长宽为4140μm×4140μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。
高反压功率晶体管

[发明专利]半导体装置-CN202111280920.X在审
发明人：山路将晴 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：该半导体装置具备：第二导电型的阱区，其设置于第一导电型的半导体层的表面层；第二导电型的耐压区，其包围阱区的周围，该耐压区的杂质浓度低于阱区的杂质浓度；第一导电型的基极区，其包围耐压区的周围；电平移位器的第二导电型的载体供给区，其设置于基极区的表面层；以及电平移位器的载体接收区，其设置于阱区或耐压区的表面层，其中，载体接收区由将第一导电型的区与第二导电型的区以彼此相接的方式设置来得到的第一通用接触区构成。
半导体装置

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管的制造方法-CN201310346631.4有效
发明人：王根毅;王德俊;日格尔格;吴宗宪 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其包括提供具有正面和反面的晶圆，其中晶圆包括有第一导电类型的半导体衬底、基于半导体衬底在晶圆的正面侧形成的第二导电类型的基极层以及从基极层的正面贯穿基极层至所述半导体衬底的多个沟槽；通过沟槽向位于基极层下方的半导体衬底注入第一导电类型杂质以在沟槽的底部外侧形成第一导电类型注入区；进行高温推阱使得相邻的两个沟槽的底部外侧形成的注入区杂质扩散并相融合以在基极层下方形成第一导电类型扩散层
一种绝缘双极晶体管制造方法

[发明专利]一种饱和状态下双极晶体管结温的实时测量方法-CN201610918317.2有效
发明人：郭春生;丁嫣;姜舶洋;苏雅;冯士维 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供恒定的基极电压和恒定的集电极电流，使双极晶体管工作在饱和区条件下，测出基极电流Ibe和集电极电流Ice，计算出总功率P＝Vbe*Ibe+Vce*Ice，Vbe为基极电压，Vce为集电极电压；利用数值分析中的插值计算做出电流、功率和温度对应关系的结温库，根据测量的基极电流和总功率即可在结温库中得出对应的结温。测出双极晶体管工作在饱和区时的结温，测量方法简单准确，利用插值计算做出结温库后，只需测出基极电流和计算出总功率，在结温库中就可以找到对应的结温。
一种饱和状态双极晶体管实时测量方法

[发明专利]一种碳化硅双极结型晶体管-CN201710217341.8有效
发明人：张有润;王文;郭飞;钟晓康;刘程嗣;刘凯;刘影;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：包括从下至上依次层叠设置的集电极7、N⁺衬底6、N^‑集电区5和P型基区4，P型基区4上表面一端具有上表面设置发射极1的N⁺发射区3，另一端具有上表面设置基极2的第一二次外延P+区10，第一二次外延P+区10和N⁺发射区3之间的P型基区4上层具有第二二次外延P+区9，第一二次外延P+区10、第二二次外延P+区9和N⁺发射区3之间通过介质层8隔离，介质层8沿N⁺发射区3上表面向远离基极2的一侧延伸并与发射极1连接，介质层8沿第一二次外延P+区10上表面向远离发射极1的一侧延伸并与基极2连接。
一种碳化硅双极结型晶体管

[发明专利]利用改进的NPN双极晶体管基极接入电阻的方法和器件-CN200680019342.1无效
发明人：谭博成;彼得·戴克勒;西塞罗·西尔韦拉·沃谢 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及一种结构，此结构包括依然共用共同的DTI区和单个大片基极多晶硅的多个短发射极。这种结构允许基极电流向4个方向(即2维)而不是仅2个方向上流动。因而大大减小了晶体管基极电阻，这对于使NPN晶体管获得更好的RF特性和高频噪声特性是至关重要的。
利用改进 npn 双极晶体管基极接入电阻方法器件

[发明专利]一种适用于狭窄基坑的坑底抗隆起稳定性分析方法-CN201811140798.4有效
发明人：陈艳平;邬龙刚;霍文斌;李巍;陈伟;王华;陈海斌;刘光明;饶欣频;王健;金学锋;胡智敏 -专利权人：广东省建筑设计研究院
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： E02D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于狭窄基坑的坑底抗隆起稳定性分析方法，该方法包含：(1)对于基坑采用支护桩和内支撑支护，通过以最下层支点为圆心的圆弧滑动稳定性分析，当对向侧支护桩位于滑动圆弧范围内时，则可以判断为狭窄基坑；(2)根据普朗德尔地基极限承载力计算的基本原理，提出主动区、被动区、扇形平衡区的几何参数，通过摩尔应力圆求解主动区和被动区的应力状态，再通过扇形区的平衡条件推导出狭窄基坑条件下的地基极限承载力计算公式；(3)计算出坑底抗隆起稳定性安全系数。本发明的方法通过结合狭窄基坑的实际条件，推导了该条件下的地基极限承载力计算公式，开创了一种符合实际条件的新的计算方法，新算法安全系数得以提高，可以节约大量工程费用。
基坑狭窄极限承载力稳定性分析隆起地基安全系数计算公式实际条件被动区支护桩主动区推导圆心工程费用几何参数平衡条件应力状态圆弧滑动支护内支撑平衡区扇形区新算法最下层滑动求解对向节约

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711203694.9有效
发明人：大须贺祐喜;原田博文 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具备：衬底；漏极区，其被设置在衬底的背面侧；基极层，其设置于漏极区与衬底正面之间；沟槽，其从衬底正面到达漏极区；栅绝缘膜，其覆盖从沟槽的底面至第一高度的沟槽内侧；栅电极，其隔着栅绝缘膜而在沟槽内被埋至与该沟槽相同的高度；绝缘膜，其在沟槽内被埋至高于第一高度的第二高度；源电极，其被埋入沟槽内的剩余部分中；基极接触区，其被设置为距衬底的正面比第二高度浅；源极区，其一个侧面与源电极相接触，上表面与基极接触区的底面的一部分相接触
半导体装置及其制造方法

[发明专利]过电压保护装置及其制备工艺-CN200410028243.2有效
发明人：曾清秋 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 2004-03-08 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：本发明提供一种过电压保护装置及其制备工艺，该保护装置至少包括：一基板；一基极区，设置于该基板上；多个射极区，设置于该基极区上；及一电压极限区，设置于该基极区外侧。
过电压保护装置及其制备工艺

[发明专利]使用防护区域的静电放电保护设备和方法-CN201710177516.7有效
发明人：赖大伟 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：SCR电路包括具有连接到节点的第一发射极、第一基极和第一集电极的第一双极PNP晶体管。第二双极NPN晶体管具有与第一基极共享第一区域的第二集电极，与第一集电极共享第二区域的第二基极，以及电连接到参考电压的发射极。防护区域被配置且布置成响应于ESD事件通过阻碍在第二区域中的电流延迟SCR电路的触发。
使用防护区域静电放电保护设备方法