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[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201910684437.4有效
发明人：刘利书;冯宇翔 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括：体区，位于漂移区与发射极区之间，与所述漂移区、所述发射极区、发射极金属及栅极区接触；所述发射极金属，位于所述体区上方，与所述发射极区接触；所述发射极区，位于所述发射极金属与所述栅极区之间；其中，所述发射极区底部和所述体区之间的接触界面的宽度，小于所述发射极区顶部的宽度；所述栅极区，位于所述漂移区上方，与所述发射极区接触。
绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件-CN201610180420.1有效
发明人： C·耶格;R·巴布斯克;F·J·涅德诺斯塞德;H-J·舒尔策;A·维莱 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件。双极型半导体器件包括具有第一表面的半导体本体以及在半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，第一发射极区邻接第一表面，且包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型发射极区、第二掺杂类型的多个第二类型发射极区、第一掺杂类型的多个第三类型发射极区和包括复合中心的复合区，第一类型发射极区和第二类型发射极区从第一表面延伸进入半导体本体，第一类型发射极区比第二类型发射极区具有更高的掺杂浓度且从第一表面更深地延伸进入半导体本体，第三类型发射极区邻接第一类型发射极区和第二类型发射极区，复合区至少位于第一类型发射极区和第三类型发射极区中。
具有种类发射极双极型晶体管器件

[发明专利]沟槽栅IGBT器件和制作方法-CN202310275115.0在审
发明人：易坤;包涵 -专利权人：晶艺半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该器件具有基片、集电区、漂移区、载流子存储层、体区、发射区、栅区以及两个发射极沟槽结构。每个发射极沟槽结构包括填充在发射极沟槽中的发射极电介质和发射极导电材料，两个发射极沟槽从器件顶面垂直向下延伸进漂移区，两个发射极沟槽被体区横向隔开。两个发射极沟槽结构可有效改善空穴电流的流通路径，使得空穴电流可以从发射极沟槽底部和侧壁，以及经过两个发射极沟槽中间的载流子存储层和体区垂直向上流入发射极金属，从而减少了发射区下方区域的空穴电流，抑制了体区和发射区之间形成的
沟槽 igbt 器件制作方法

[发明专利]一种功率器件结构-CN202310809345.0在审
发明人：刘子泽;张杰 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该功率器件结构包括：衬底；设置于衬底一侧的条形沟槽元胞；设置于条形沟槽元胞远离衬底一侧的发射极金属层；发射极金属层包括发射极引线区和非发射极引线区；非发射极引线区环绕发射极引线区设置；发射极引线区与条形沟槽元胞在衬底上的正投影的交叠数量，小于非发射极引线区与条形沟槽元胞在衬底上的正投影的交叠数量。本发明实施例的技术方案可有效减小发射极引线区的电流集中效应，从而有利于防止发射极引线区因发热量过大而烧毁。
一种功率器件结构

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201910709134.3在审
发明人：刘利书;冯宇翔 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，绝缘栅双极型晶体管包括：体区，体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积；第一掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与发射极区、漂移区及发射极金属接触；第二掺杂区，位于发射极区与漂移区之间，且与发射极区、漂移区及栅极区接触；发射极金属，位于发射极区与第一掺杂区上方，且与栅极区接触；栅极区，位于发射极区、第二掺杂区及漂移区上方。
绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种新型绝缘栅双极性晶体管-CN202110873522.2在审
发明人：何艳静;詹欣斌;袁嵩;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型绝缘栅双极性晶体管，包括：集电极结构，包括：自下而上依次生长形成的集电极、P+集电极区以及N+缓冲区；N‑漂移区，位于N+缓冲区之上；表面结构，位于N‑漂移区之上，表面结构包括：两个沟槽栅极，沟槽栅极延伸至N‑漂移区；P基区以及浮空P基区，P基区位于沟槽栅极的内侧，浮空P基区位于沟槽栅极的外侧；沟槽发射极，位于P基区中；第一N+发射极以及P+发射极，位于沟槽栅极内侧；第一N+发射极和P+发射极依次交替设置在垂直于平面的z方向上；第二N+发射极，位于沟槽发射极的两侧；顶部发射极，覆盖P基区、浮空P基区、沟槽栅极、第一N+发射极和P+发射极、沟槽发射极以及第二N+发射极，且顶部发射极连接沟槽发射极。
一种新型绝缘极性晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管、智能功率器件及电子产品-CN202010784767.3在审
发明人：刘利书 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，具体涉及提供了一种绝缘栅双极型晶体管、智能功率器件及电子产品，包括漂移区、栅极结构、发射极、发射极源区以及与发射极源区接触的体区，于所述漂移区的顶层沿器件的垂直方向开设第一沟槽以及第二沟槽，所述栅极结构填充于所述第一沟槽，发射极填充于所述第二沟槽，其中，栅极结构与发射极之间设置发射极源区，第二沟槽的深度大于发射极源区的厚度。栅极结构与发射极金属之间形成横向电场，横向电场作用在发射极源区与体区的交界处形成载流子收集层，增强了载流子在交界处的收集、存储效果，从而减少了体区与发射极源区之间的电流，降低导通压降，降低闩锁效应发生几率
绝缘栅双极型晶体管智能功率器件电子产品

[发明专利]IGBT半导体器件及其制作方法-CN202310275117.X在审
发明人：易坤;包涵 -专利权人：晶艺半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该IGBT半导体器件具有发射区、体接触区、体区、载流子存储层、沟槽栅区以及发射极沟槽结构。发射极沟槽结构包括填充在发射极沟槽中的发射极电介质和发射极导电材料，发射极沟槽从器件顶面垂直向下穿越体接触区、体区和载流子存储层并延伸进漂移区。发射极沟槽的延伸深度大于栅区沟槽的延伸深度。本发明可有效改善空穴电流的流通路径，使得空穴电流从参考地电位的发射极沟槽底部和侧壁垂直向上流入发射极金属，从而减少了发射区下方区域的空穴电流，抑制了PN结开启，显著提高了器件的抗短路能力、抗闩锁能力以及大电流关断能力
igbt 半导体器件及其制作方法

[发明专利]高频晶体管-CN201510208919.4有效
发明人：潘光燃;文燕;高振杰;马万里;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提出了一种高频晶体管，包括：多个并行的发射区窗口；多个并行的发射极金属，多个所述发射极金属中的每个所述发射极金属均覆盖在多个所述发射区窗口中的每个所述发射区窗口的上方，其中，多个所述发射极金属中的第一个发射极金属和最后一个发射极金属独立于其他发射极金属，且所述其他发射极金属均并行相连，其中，所述其他发射极金属为多个所述发射极金属中除所述第一个发射极金属和所述最后一个发射极金属之外的发射极金属。通过本发明的技术方案，可以确保线宽相同的相互平行的高频晶体管的发射区窗口在复制到晶圆后，多发射极高频晶体管内部不同位置的发射极可以产生一致的高频特性，以避免使多发射极高频晶体管产生较大噪音。
高频晶体管

[实用新型]一种IGBT芯片版图金属层-CN202021820854.1有效
发明人：郭乔;林泳浩;李伟聪 -专利权人：珠海市浩辰半导体有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IGBT芯片版图金属层，芯片版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点、发射极压焊点；所述终端区位于元胞区的外围，栅极压焊点、发射极压焊点位于元胞区内部；其特征在于，版图金属层包括发射极金属及栅极金属；所述发射极金属包括位于元胞区内部的第一发射极金属，以及位于元胞区与终端区连接过渡区的第二发射极金属；所述第二发射极金属在过渡区环绕构成等位环场板，并与第一发射极金属电连接；所述栅极金属环绕在第一发射极金属与第二发射极金属之间，并留有第一发射极金属与第二发射极金属电连接的通道。本实用新型能够满足发射极金属和栅极金属的设计要求，增加电流流通路径，改善电流均匀性，提高关断能力。
一种 igbt 芯片版图金属

[发明专利]光伏太阳能电池及其制造方法-CN201280007154.2无效
发明人： B·泰德格斯曼;F·克莱芒;A·沃尔夫;D·比罗 -专利权人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及用于将入射电磁辐射转化成电能的光伏太阳能电池，包括：至少一个在硅衬底内形成的基极掺杂型基极区；至少一个发射极掺杂型发射极区，该发射极掺杂型是与基极掺杂型相反的掺杂型；至少一个金属基极接触结构，该基极接触结构与基极区导电相连，和至少一个金属发射极接触结构，该发射极接触结构与发射极区导电相连，其中基极区和发射极区如此布置，在基极区和发射极区之间至少部分形成pn结。重要的是，在基极旁路区内该基极接触结构与发射极区重叠，并且在该重叠区内形成在基极接触结构和发射极区之间的二极管型半导体触点，该半导体触点呈金属-半导体触点形式或呈金属-绝缘子-半导体触点形式，和/或在发射极旁路区内该发射极接触结构与基极区重叠，并且在该重叠区内形成在发射极接触结构和基极区之间的二极管型半导体触点，该半导体触点呈金属-半导体触点或者金属-绝缘子-半导体触点形式。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]高保持电压双极结器件-CN202310197258.4在审
发明人： P·马哈詹 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请涉及高保持电压双极结器件，所公开的半导体结构实施例包括被配置为具有高保持电压的双极结器件。所述器件包括基极、集电极和发射极端子。由于独特配置的发射极端子，实现了高保持电压。具体地，所述器件包括具有第一类型导电性的基极阱区。发射极端子包括邻近基极阱区(例如，在基极阱区内和/或在基极阱区上)的发射极接触区和辅助发射极区，所述发射极接触区具有第二类型导电性，所述辅助发射极区邻接所述发射极接触区并具有比所述基极阱区更高导电性水平的第一类型导电性实施例根据发射极接触区和辅助发射极区的形状而变化。实施例还根据用于将集电极端子与发射极端子隔离的结构以及由硅化物层覆盖的区域而变化。
保持电压双极结器件

[发明专利]一种快速开关IGBT结构-CN201910079030.9在审
发明人：孙茂友;宋李梅;周丽哲 -专利权人：江苏矽导集成科技有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速开关IGBT结构，包括从下至上层叠设置的集电极、P++集电极区、N+缓冲区、N‑漂移区、栅结构及顶部金属层，栅结构包括栅介质层、第一栅电极和第二栅电极，顶部金属层包括发射极和辅助电极，N‑漂移区上部设有第一P型基区和第二P型基区，第一P型基区上部设有第一P+发射极区和N+发射极区，第一P+发射极区和N+发射极区与发射极连接，第一P型基区和N+发射极区与第一栅电极对应，第二P型基区上部设有第二P+发射极区，第二P+发射极区与辅助电极连接，第二P型基区与第二栅电极或第一栅电极对应，辅助电极与发射极之间连接电感L1，发射极与外部端子之间连接电感L2，电感L1和电感L2构成互感。
发射极区栅电极辅助电极发射极电感顶部金属层快速开关连接电感漂移区栅结构发射极连接层叠设置集电极区外部端子栅介质层缓冲区集电极互感瞬态

[实用新型]一种分裂栅IGBT结构-CN201920141788.6有效
发明人：孙茂友;宋李梅;周丽哲 -专利权人：江苏矽导集成科技有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分裂栅IGBT结构，包括从下至上层叠设置的集电极、P++集电极区、N+缓冲区、N‑漂移区、栅结构及顶部金属层，栅结构包括栅介质层、第一栅电极和第二栅电极，顶部金属层包括发射极和辅助电极，N‑漂移区上部设有第一P型基区和第二P型基区，第一P型基区上部设有第一P+发射极区和N+发射极区，第一P+发射极区和N+发射极区与发射极连接，第一P型基区和N+发射极区与第一栅电极对应，第二P型基区上部设有第二P+发射极区，第二P+发射极区与辅助电极连接，第二P型基区与第二栅电极或第一栅电极对应，辅助电极与发射极之间连接电感L1，发射极与外部端子之间连接电感L2，电感L1和电感L2构成互感。
发射极区栅电极辅助电极发射极电感顶部金属层连接电感分裂栅漂移区栅结构本实用新型发射极连接层叠设置集电极区外部端子栅介质层缓冲区集电极互感瞬态

[发明专利]功率器件及功率器件制备方法-CN202010160130.7在审
发明人：李东升;章剑锋 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件及功率器件制备方法，功率器件包括：外延层，外延层包括位于第二表面至第一表面之间预定厚度的漂移区，漂移区被配置为第一导电类型，外延层与厚度方向相垂直的横向上具有多个原胞结构；各原胞结构包括：冗余发射极沟槽，两个冗余发射极沟槽相互间隔设置，冗余发射极沟槽由第一表面延伸至漂移区，冗余发射极设置于冗余发射极沟槽；栅极沟槽，设置于两个冗余发射极沟槽之间，栅极沟槽由第一表面延伸至漂移区，栅极设置于栅极沟槽；体区，位于两个冗余发射极沟槽之间，体区被配置为第二导电类型；浮空区，位于各冗余发射极沟槽背向栅极沟槽一侧，浮空区被配置为第二导电类型，其中，浮空区的深度大于冗余发射极沟槽的深度。
功率器件制备方法

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