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[发明专利]制造方法及其所用设备-CN201280031693.X在审
发明人：科里·威廉·迈克尔·费伦;杰弗里·麦克法兰 -专利权人：瑞尼斯豪公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：一种使用机器在基底上的至少一个部件区域中制造至少一个部件的方法，所述机器具有相对于所述基底可相对移动的基底加工部，所述方法包括：至少在所述基底加工部和基底处在所述基底加工部能够加工在所述基底上的所述至少一个部件区域的位置关系时，通过读取由所述基底提供的至少第一计量标尺来测量所述基底加工部相对于所述基底的位置。
制造方法及其所用设备

[发明专利]形成具有(200)晶体织构的氮化钛膜的方法-CN201910682793.2在审
发明人：坎达巴拉·N·塔皮利 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请设计形成具有(200)晶体织构的氮化钛膜的方法，描述了基底加工方法，其用于形成可以用于超导金属化或功函数调整应用的氮化钛材料。所述基底处理方法包括：通过气相沉积在基底上沉积至少一个单层的第一氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处理第一氮化钛膜，其中所述第一氮化钛膜是多晶的并且所述处理使第一氮化钛膜的(200)晶体织构增加。所述方法还包括：通过气相沉积在经处理的至少一个单层的第一氮化钛膜上沉积至少一个单层的第二氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处理至少一个单层的第二氮化钛膜。
氮化钛膜单层等离子体激发含氢气体晶体织构气相沉积沉积氮化钛材料功函数调整超导金属基底处理基底加工多晶基底申请应用

[发明专利]铝合金材料及其制造方法-CN201811240913.5在审
发明人：松尾准二;大平重男;森永均;玉井一诚 -专利权人： M-TECH株式会社;福吉米株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C25D11/16 文献下载
摘要：铝合金材料，其具备：包含铝合金的基材(12)，其为凹凸结构，具有通过对该凹凸结构的被处理面进行基底处理而形成的粗糙化面(122)；和在粗糙化面(122)上形成的阳极氧化被膜(14)。
铝合金材料凹凸结构粗糙化制造阳极氧化被膜被处理面基底处理铝合金被膜基材色调陶瓷

[发明专利]等离子体装置及其工作方法-CN201810834842.5在审
发明人：徐翼丰;曾德强;盖晨光;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体装置及其工作方法，等离子体装置包括：腔室；耦合于腔室的等离子体发生单元，用于产生等离子体；位于所述腔室内的基座，基座固定于腔室底部，且所述基座用于承载待处理基底；耦合于腔室的等离子体偏置单元，用于驱动等离子体在腔室内向基座表面运动；第一电极，固设于腔室的部分内侧壁表面，且所述第一电极顶部表面高于基底的顶部表面，且第一电极被施加直流正电压。利用所述等离子体装置有利于降低等离子体沿平行于基座表面方向上对待处理基底处理程度的差异。
等离子体腔室等离子体装置第一电极顶部表面基座表面耦合基底等离子体发生单元室内内侧壁表面直流正电压基底处理偏置单元固设平行承载施加驱动

[发明专利]用于对基底进行多重图案化的方法-CN201910013080.7在审
发明人：和田敏治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及用于对基底进行多图案多重图案化的方法。公开了用于提供基底处理中的蚀刻选择性的方法。更具体地，提供了对包含不同材料的多种暴露结构的等离子体处理。所述等离子体处理将优先提高暴露结构中的至少两种之间的蚀刻选择性。在一个实施方案中，将多种暴露结构用作多重图案化基底工艺的一部分。在一个实施方案中，暴露结构可以包括有机平坦化层和旋涂金属层。等离子体处理可以包括使用氮气和氢气形成的等离子体以及由这种等离子体发射真空紫外(VUV)波长辐射。
用于基底进行多重图案方法

[发明专利]衬底处理系统、衬底处理装置和衬底处理装置的显示方法-CN201110241576.3有效
发明人：浅井一秀 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底处理系统、衬底处理装置和衬底处理装置的显示方法，该衬底处理系统能够检测衬底处理装置的每个部件的条件的任何改变。在包括用于处理衬底的衬底处理装置和与之连接的群组管理装置的衬底处理系统中，衬底处理装置被配置成：获取监视数据，该监视数据至少表示衬底处理装置的每个部件的条件；聚集多个监视数据以生成监视数据的最大值、平均值和最小值中的至少一个值群组管理装置被配置成从衬底处理装置接收包数据并且在群组管理装置中可读取地存储包数据。
衬底处理系统装置显示方法

[发明专利]用于制造柔性电路板的衬底处理设备和衬底处理方法-CN202080090921.5在审
发明人：洪承珉;崔藙根 -专利权人：普罗科技有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造柔性电路板的衬底处理设备和衬底处理方法，且更具体地说，涉及一种用于制造柔性电路板的衬底处理设备和衬底处理方法，衬底处理设备和衬底处理方法能够在无需使用掩模进行光刻工艺的情况下制造具有细线宽的柔性电路板根据本发明，用于制造柔性电路板的衬底处理设备和衬底处理方法具有能够以低成本有效制造具有细线宽的柔性电路板的优势。
用于制造柔性电路板衬底处理设备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202010520475.9在审
发明人：桥本良知;松岗树 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。使在衬底上形成的膜成为低介电常数膜并抑制基底氧化。半导体器件的制造方法包括：(a)向在表面露出氮化膜及导电性的含金属元素膜中的至少任一基底的衬底供给不含氧化气体的第1处理气体，从而以第1厚度在基底上形成含有硅、碳及氮而不含氧的第1膜的工序，和(b)向衬底供给含有氧化气体的第2处理气体从而在第1膜上以比第1厚度厚的第2厚度形成含有硅、氧及氮的第2膜的工序，在(b)中，来自于从第1膜的表面朝向基底扩散的氧化气体的氧原子由第1膜吸收，使第1膜改质。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[实用新型]用于黄土隧道基底处理的液压高频可控装置-CN201821067787.3有效
发明人：刘俊平;米维军;苗学云;赵永虎;李剑波;孔宪斌;于介;李强;王石磊;陈明 -专利权人：中铁西北科学研究院有限公司;银西铁路有限公司;中铁第一勘察设计院集团有限公司;中铁十九局集团有限公司;中铁十二局集团有限公司;中国铁路总公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： E02D3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于黄土隧道基底处理的液压高频可控装置，包括成孔器和方环形的基件，基件的内孔中设有两块夹片；其中一块夹片与基件固接，基件相对设置的两个侧壁上分别安装有液压缸和搭接件，液压缸活塞杆伸入基件的内孔中该液压高频可控装置通过快速压入挤密成孔器或预制桩的方式处理基底，具有适宜于小空间作业；振动可控，保证隧道施工安全、成桩速度快，减小工序交叉影响等特点。
基件夹片可控装置液压缸活塞杆基底处理相对设置成孔器侧壁固接内孔黄土隧道本实用新型液压激振器方式处理挤密成孔隧道施工轴线方向搭接件方环形小空间液压缸预制桩成桩基底减小可控伸入压入安全保证

[发明专利]基底处理装置、器件制造系统、以及器件制造方法-CN201280063563.4有效
发明人：加藤正纪 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：基底处理装置(1011)，具备：第1支承构件(1021)，以在照明区域(IR)与投影区域(PA)中的一方区域中沿着以既定曲率弯曲成圆筒面状的第1面(p1001)的方式支承第1物体(M)与第2物体(P)中的一方
基底处理装置器件制造系统以及方法

[发明专利]一种电子封装用碳化硅粉体的制备方法-CN202111267610.4有效
发明人：黄威;徐天兵;刘峰;黄叶任;韩平;左立杰 -专利权人：连云港市沃鑫高新材料有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C01B32/963 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅技术领域，具体涉及一种电子封装用碳化硅粉体的制备方法，以活性氧化铝为基底，通过吸附沉积与气相沉积，得到碳化硅基氧化铝，经去基底处理，得到碳化硅粉体。
一种电子封装碳化硅制备方法

[发明专利]具有含圆化边缘的电极的静电夹头-CN200410054627.1无效
发明人：罗曼斯瓦麦·卡迪克;麦可雪尼·M·强;库玛·H·亚娜达;诺贝克许·海米得 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：该静电夹头用以保持基底处理设备的处理室中的基底。
具有含圆化边缘电极静电夹头

[实用新型]基底校正装置-CN201120086248.6有效
发明人：周贺;刘还平;潘梦霄;常有军 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基底校正装置，属于基底处理技术领域，其可解决现有的基底校正装置不能既保证校正操作容易进行又避免基底滑动的问题。本实用新型的基底校正装置包括：第一支撑单元，顶端具有用于接触基底的第一接触部，所述第一接触部与基底间具有第一静摩擦系数；第二支撑单元，顶端具有用于接触基底的第二接触部，所述第二接触部与基底间具有小于所述第一静摩擦系数的第二静摩擦系数；用于驱动所述第一支撑单元进行升降，或驱动所述第一支撑单元和第二支撑单元进行升降的驱动单元；用于调整支撑在所述第二支撑单元上的基底的位置的校正单元。
基底校正装置

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201910738427.4在审
发明人：山角宥贵;中山雅则;舟木克典;上田立志;坪田康寿;高见荣子;竹岛雄一郎;井川博登 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。要解决的课题为在使用等离子体对在衬底上形成的膜进行改性时，在该膜的厚度方向的广范围内对膜的质量进行调整。半导体器件的制造方法包括下述工序：(a)将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底具有基底以及形成于基底上的含有硅的第一膜；(b)将含有氦的改性气体等离子体化，生成氦的活性种的工序；及(c)将包含氦的活性种的改性气体供给到衬底的表面，对第一膜、及基底之中构成与第一膜的界面的界面层分别进行改性的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202111096301.5在审
发明人：油谷幸则;大桥直史;山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题为得到能够持续具有选择性的半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法具有：将处理室内的晶片(100)加热至第1温度并供给吸附抑制剂，使吸附抑制剂吸附于晶片的基底(100a)的吸附抑制剂供给工序；在吸附抑制剂供给工序之后，将晶片加热至比第1温度高的第2温度并供给处理气体，在晶片中的未吸附有吸附抑制剂的其他部位即基底(100b)上形成SiN膜的处理气体供给工序；和在处理气体供给工序之后，将晶片加热至比第2温度高的第3温度而除去吸附于晶片的基底的吸附抑制剂的吸附抑制剂除去工序
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质