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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及方法-CN202110460017.5在审
发明人：李欣怡;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，第一功函数调整层包括n型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调整层上；第二功函数调整层，位于阻挡层上，第二功函数调整层包括p型功函数金属，该p型功函数金属与n型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调整层上。
半导体器件方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210864519.9在审
发明人：林宗达;许家玮;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在半导体部件的沟道区域上形成栅极介电层；在栅极介电层上沉积功函数调整层，功函数调整层包括第一功函数调整元素；通过原子层沉积在功函数调整层上沉积覆盖层，覆盖层由氧化物或氮化物形成；在覆盖层覆盖功函数调整层时执行退火工艺，退火工艺将第一功函数调整元素从功函数调整层驱动到栅极介电层中；去除覆盖层以暴露功函数调整层；以及在功函数调整层上沉积填充层。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体装置和用于制造其的方法-CN202210730199.8在审
发明人：朴星一;朴宰贤;崔道永;原田佳尚;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅电极包括：第一功函数调整膜和第二功函数调整膜，它们包围第一有源图案和第二有源图案上的高电介质膜；以及填充导电膜，其包围第一功函数调整膜和第二功函数调整膜。第一功函数调整膜和第二功函数调整膜包括第一功函数导电膜和第二功函数导电膜，它们中的每一个包括第一金属膜。第一功函数导电膜的第一金属膜的厚度大于第二功函数导电膜的第一金属膜的厚度。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN202011169638.X在审
发明人：李欣怡;洪正隆;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了用于调整半导体器件中的栅极电极的有效功函数的方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，一种半导体器件，包括：沟道区域，在半导体衬底之上；栅极电介质层，在沟道区域之上；以及栅极电极，在栅极电介质层之上，该栅极电极包括：第一功函数金属层，在栅极电介质层之上，该第一功函数金属层包括铝(Al)；第一功函数调整层，在第一功函数金属层之上，该第一功函数调整层包括铝钨(AlW)；以及填充材料，在第一功函数调整层之上。
半导体器件方法

[发明专利]晶体管结构及其制备方法-CN202310975923.8在审
发明人：倪振飞;俞华亮;王淑奇 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：提供衬底；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上形成第一功函数调整结构，第一功函数调整结构包括依序堆叠的第一扩散阻挡层、第一功函数调整层和第二扩散阻挡层；在第一功函数调整结构上形成第二功函数调整结构，包括：在第二扩散阻挡层上形成第二功函数调整层；利用射频薄膜沉积工艺在第二功函数调整层上形成第三扩散阻挡层；利用直流薄膜沉积工艺在第三扩散阻挡层上形成第四扩散阻挡层；以及在第二功函数调整结构上形成栅极层
晶体管结构及其制备方法

[发明专利]晶体管栅极结构及其形成方法-CN202310453813.5在审
发明人：李欣怡;陈智城;丘子轩;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；栅极电介质层，围绕第一纳米结构；第一p型功函数调整层，位于栅极电介质层上；电介质阻挡层，位于第一p型功函数调整层上；以及第二p型功函数调整层，位于电介质阻挡层上，电介质阻挡层比第一p型功函数调整层和第二p型功函数调整层薄。
晶体管栅极结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811506592.9有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在N型晶体管区和P型晶体管区的基底上形成栅介质层；在栅介质层上形成第一功函数层，用于调整P型晶体管的阈值电压；使P型晶体管区中的第一功函数层转变成第二功函数层，第二功函数层比第一功函数层更难被刻蚀，且用于调整P型晶体管的阈值电压；去除N型晶体管区中的第一功函数层；去除N型晶体管区中的第一功函数层后，形成覆盖N型晶体管区的第三功函数层，用于调整N型晶体管的阈值电压因为第二功函数层比第一功函数层更难被刻蚀，在刻蚀去除N型晶体管区中的第一功函数层时，P型晶体管区中的第二功函数层被误刻蚀的概率降低，有利于提高半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成电路结构及其制造方法-CN202210825459.X在审
发明人：李欣怡;董彦佃;陈智城;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，其中半导体区域暴露于沟槽；形成延伸进入沟槽内的栅极电介质层；以及在栅极电介质层上沉积功函数调整层功函数调整层包括铝和碳。该方法还包括：在功函数调整层之上沉积p型功函数层；以及执行平坦化工艺以去除p型功函数层、功函数调整层和栅极电介质层的多余部分，以形成栅极堆叠。
集成电路结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110779123.X在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该器件还包括第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，该第一功函数调整层包括第一n型功函数金属、铝和碳，该第一n型功函数金属的功函数值小于钛。该器件还包括粘合层，位于第一功函数调整层上。
半导体器件方法

[发明专利]金属栅极及其形成方法-CN202011439817.0在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种方法，包括：在栅极电介质层之上沉积第一导电层；在第一导电层之上沉积第一功函数调整层；从第一导电层的第一区域之上选择性地去除第一功函数调整层；用掺杂剂掺杂第一功函数调整层；以及在掺杂第一功函数调整层之后，执行第一处理工艺以蚀刻第一导电层的第一区域和第一功函数调整层的第二区域。第一处理工艺以与蚀刻第一功函数调整层相比更大的速率蚀刻第一导电层。
金属栅极及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710181741.4有效
发明人：张守仁;凯特·乔治·爱得恩;于洪宇;劳斯·安妮;卫罗索·安那贝拉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心
申请日： 2007-10-23 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510012074.1有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成功函数层后，在所述功函数层上形成缓冲层，之后向覆盖有所述缓冲层的功函数层掺杂离子。在向所述功函数掺杂离子的过程中，所述缓冲层可阻挡所述离子，以减小掺杂入所述功函数层内的离子的量，以调节所述功函数层的功函数；而且通过调整所述缓冲层的材料，以及厚度的方式可调节所述缓冲层阻挡的离子的量，从而调节掺杂入所述功函数层内的离子的量，以调节所述功函数层的功函数，进而调节后续形成的半导体器件的阈值电压。相比于现有技术，上述技术方案可简化功函数层的功函数的调整工艺，进而可简化制备具有不同阈值电压的半导体器件工艺。
半导体器件形成方法

[发明专利]沟槽栅场效应晶体管及其制备方法-CN202210468148.2在审
发明人：许耀光;刘安淇;蔡建成;郑俊义 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：在栅极沟槽的不同高度位置的内表面上分别形成不同功函数的第一功函数层和第二功函数层，并将低功函数的第二功函数层形成在与源漏区相交叠的区域中，以改善晶体管器件的漏电流问题，并且第一功函数层和第二功函数层分别制备，有利于调整不同膜层的功函数。
沟槽场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]沟槽栅场效应晶体管-CN202221011470.4有效
发明人：许耀光;刘安淇;蔡建成;郑俊义 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：在栅极沟槽的不同高度位置的内表面上分别设置不同功函数的第一功函数层和第二功函数层，并将低功函数的第二功函数层形成在与源漏区相交叠的区域中，以改善晶体管器件的漏电流问题，并且第一功函数层和第二功函数层可分别制备，有利于调整不同膜层的功函数。
沟槽场效应晶体管

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201210492208.0有效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有介质层、位于介质层上的多晶硅层；对多晶硅层进行功函数调整，形成功函数多晶硅层，在沿栅长方向，所述功函数多晶硅层分为第一功函数区域和第二功函数区域，第二功函数区域位于第一功函数区域两侧，其中，当晶体管为NMOS晶体管时，第二功函数区域的功函数高于第一功函数区域的功函数，当晶体管为PMOS晶体管时，第二功函数区域的功函数低于第一功函数区域的功函数；去除功函数多晶硅层之外的多晶硅层部分，剩余的功函数多晶硅层作为栅极；在栅极两侧的半导体衬底上形成源极和漏极。
晶体管形成方法

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