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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基底处理装置和方法-CN200810000424.2有效
发明人：白仁赫 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2008-01-04 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种基底处理装置，它包括提供了用于进行基底处理过程的处理空间的处理室、其上保持着基底的基底保持部件以及安装在处理室的上侧处的气体分配板。所述气体分配板包括多个不对称形成的气体注入流动通道，用于将等离子体和处理气体分配给处理空间。根据本发明，在处理室内的不均匀空间中提供了均匀的等离子体密度，从而能均匀地处理基底。
基底处理装置方法

[发明专利]接近销、基底处理装置及在基底处理装置中处理基底的方法-CN201780002294.3在审
发明人：张卫帅;张心杰;杨大伟;汪翰林;李荣;胡彬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种用于在基底处理装置中支撑基底(8)的接近销(10)，包括销头部(1)和支撑垫部(6)。所述销头部(2)构造为在所述基底处理装置中支撑所述基底(8)，并且包括第一端(E1)和与第一端(E1)相对的第二端(E2)。所述第一端(E1)构造为与放置在所述接近销(10)上的所述基底(8)接触。
基底处理装置基底第一端支撑垫中支撑

[发明专利]基底处理工具-CN201280022639.9有效
发明人： U.吉尔克里斯特;R.T.卡夫尼;J.克里什纳萨米;M.德鲁;J.T.穆拉 -专利权人：布鲁克斯自动化公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基底处理设备包括框架、连接到框架上的第一SCARA臂，其包括构造成沿第一径向轴线延伸和收缩的末端执行器；连接到框架上的第二SCARA臂，其包括构造成沿第二径向轴线延伸和收缩的末端执行器，SCARA臂具有公共肩部旋转轴线臂沿相应的径向轴线独立地延伸，且使各个SCARA臂围绕公共肩部旋转轴线旋转，其中第一径向轴线相对于第二径向轴线成角，且相应的臂的末端执行器与相应的径向轴线对准，其中各个末端执行器构造成用以保持至少一个基底
基底处理工具

[发明专利]基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法-CN201910524933.3在审
发明人：姜姓佶;朴珉燮;金锟埈;白在职;申载振;郑印惠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。
处理腔室等离子体产生器基底处理设备信号源装置处理材料等离子体晶体材料层正弦波信号发明构思非正弦波器件损坏蚀刻表面支撑基光滑

[实用新型]路面防护不良沟槽基底处理装置-CN202120458939.8有效
发明人：杜明辉;王耀弘;晋圣斌;张文俊;卫李江 -专利权人：山西临汾市政工程集团股份有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： E02F5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了路面防护不良沟槽基底处理装置，涉及公路施工技术领域，具体为路面防护不良沟槽基底处理装置，包括挖槽机和输送机，所述挖槽机包括滑轨和底座，所述底座的下方固定连接有滚轮安装块，所述底座的下方固定连接有移动安装块该路面防护不良沟槽基底处理装置，通过滑轨的设置，使该路面防护不良沟槽基底处理装置具备了挖槽时保持直线的效果，通过辅助块、转杆、转动液压杆、驱动电机、驱动齿轮、传动带、调节块和调节液压杆的配合设置，在使用的过程中可以保证沟槽深度一致
路面防护不良沟槽基底处理装置

[发明专利]基底对准设备和基底处理设备-CN200910159687.2无效
发明人：长谷川雅己;金子一秋 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将基底与参考点对准的基底对准设备，该基底对准设备包括：多个柱，其构造成绕与其相应的轴向方向平行的旋转轴线旋转；驱动机构，其构造成将多个柱沿相同方向同步地旋转通过相同的角度；检测器，其构造成检测基底从参考点偏离的位置偏差的量；以及支撑销，其位于多个柱的上表面上且同时与多个柱的相应的旋转轴线间隔开，并且构造成支撑基底，其中基于由检测器检测到的位置偏差的量，通过由驱动机构使多个柱沿相同方向同步地旋转通过相同的角度，而使基底对准
基底对准设备处理

[发明专利]样品处理系统及方法-CN201780087503.9有效
发明人： E·埃尔根;S·康罗伊;R·E·奥斯特布罗克;C·奇鲁比尼 -专利权人：罗氏血液诊断股份有限公司;豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B01L3/02 文献下载
摘要：本公开文本的特征在于用于在基底上制备样品的方法、流体输送平台及设备，该基底包括：基底处理器，其被配置为在第一位置与第二位置之间移动基底；以及平台，其被定位成使得当该基底处于该第二位置时，该平台面向该基底，其中该平台包括流体输送区域，该流体输送区域具有由亲水性材料形成的第二表面和由疏水性材料形成的第一表面，该亲水性材料的水接触角为40度或更小，该第一表面在该基底处于该第二位置时面向该基底，该疏水性材料的水接触角为
样品处理系统方法

[发明专利]半导体基底处理装置、方法和介质-CN200710096488.2无效
发明人：金明云;韩文炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体基底处理装置。所述半导体基底处理装置能够将具有相同频率的RF能量提供到上电极和下电极，以产生不同程度的均匀性，并且控制RF能量的能量比，从而提高半导体基底的处理均匀性。所述装置包括：真空室，用于容纳半导体基底；上电极和下电极，置于所述真空室中；RF能量供应器，用于将具有相同频率的RF能量提供到上电极和下电极；控制器，用于控制从RF能量供应器供应到上电极和下电极的RF能量的能量比
半导体基底处理装置方法介质

[发明专利]气体供应单元和基底处理系统-CN201610884328.3有效
发明人：郑淑真;李钟喆;郑珉和;申宰哲;李仁善;崔釿奎;安重镒;李承翰;许真弼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上
气体供应单元基底处理系统

[实用新型]基底固定组件-CN201120104130.1有效
发明人：王文彦 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基底固定组件，属于基底处理技术领域，其可解决现有的基底固定组件易造成基底污染、支撑件和压制件不能紧密对合、需要清洗操作的问题。本实用新型的基底固定组件包括：用于承载基底的支撑件；用于压住位于所述支撑件上的基底的压制件，所述压制件上在对应用于放置基底的位置处设有开口，所述开口在所述支撑件上表面的投影位于所述用于放置基底的位置内部本实用新型的基底固定组件可用于在等离子体刻蚀等基底处理工艺中固定基底。
基底固定组件

[发明专利]基底处理装置和方法-CN201210421238.2有效
发明人：柳寅喆 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基底处理装置和方法。所述装置包括：支承基底的基底支承构件；喷嘴臂，其具有把光致抗蚀剂液排放到上述基底上的多个光致抗蚀剂液喷嘴；和等待口，安装在上述喷嘴臂中的多个喷嘴在该等待口中等待执行各个处理过程，该等待口设置在上述基底支承构件的侧面部分在该基底处理装置中，光致抗蚀剂液喷嘴和有机溶剂喷嘴可装在一根喷嘴臂中成为一个整体，从而减少了处理时间。
基底处理装置方法

[发明专利]基底处理装置及离子注入器的调整方法-CN202111563376.X在审
发明人：温炫博;陈松辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本公开提供一种基底处理装置及离子注入器的调整方法。该基底处理装置包含一离子注入器以及一处理器，该处理器与该离子注入器相关联。该离子注入器经配置以使用一离子束将多个离子注入到一基底中。该处理器经配置以监控该离子束的一初始注入轮廓并调整该离子注入器，以依据该初始离子轮廓以及一预期离子轮廓提供具有该预期注入轮廓的该离子束。
基底处理装置离子注入调整方法

[发明专利]兼作底漆的水性涂装基底处理剂、表面处理金属材料及预涂金属材料-CN200910167006.7无效
发明人：山本茂树;山口英宏;武政典克 -专利权人：日本帕卡濑精株式会社
申请日： 2009-08-12 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C09D175/04 文献下载
摘要：本发明提供兼作底漆的水性涂装基底处理剂、表面处理金属材料及预涂金属材料。本发明提供具有优良的涂膜加工粘附性、耐腐蚀性、耐化学药品性及耐硬币刮擦性的预涂金属材料用兼作底漆的水性涂装基底处理剂及单涂层型预涂金属材料等。所述预涂金属材料用兼作底漆的水性涂装基底处理剂中，含有水性聚氨酯树脂(A)、水性环氧树脂(B)、有机化合物(C)和交联剂(D)，以固体成分质量比记，(B)/(A)为1/50～10/1，(C)/[(A)+
底漆水性基底处理表面金属材料

[发明专利]基底处理装置及其制造方法-CN200810170063.6有效
发明人：张成豪;姜秉万 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基底处理装置以及一种制造基底处理装置的方法。加工设备的加工单元得到模块化，并且得到模块化的加工单元可拆除地被布置在主框架中。根据这一特征，可以减少制造加工设备所需的作业时间和工作量。
基底处理装置及其制造方法

[发明专利]喷墨基底用处理剂-CN201310590570.6在审
发明人：吉冈敬裕;藤城光一;今野高志 -专利权人：新日铁住金化学株式会社
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供通过喷墨印刷法能够以相当于光刻法的精度进行规定的图案形成的喷墨印刷用基底处理剂。本发明的喷墨基底用处理剂是预先对喷墨印刷中使用的基材实施表面处理的喷墨基底用处理剂，其至少含有粘合剂树脂(A)、含氟低聚物(B)、光致产酸剂(C)及溶剂(D)，作为含氟低聚物(B)含有以通式(1)的含氟单体为必须成分聚合而成的共聚物，通过该基底处理剂形成的树脂层通过介由图案掩模的光照射或介由图案掩模的光照射和加热，能够进行亲疏液图案形成。
喷墨基底用处

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