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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基底处理-CN201980013170.4有效
发明人： A·拉赫马特赫拉;A·J·达拉斯;S·K·桑塔格;B·G·豪瑟;D·B·莫拉维茨;V·K·卡普尔;M·P·格尔兹;D·L·图玛;W·E·达曼;M·J·克罗宁;M·J·马德森;S·S·拉贾瑞亚;C·S·克莱斯特;J·M·布洛克 -专利权人：唐纳森公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B01D39/16 文献下载
摘要：本技术涉及基底处理、经处理的基底和过滤器。经处理的基底可以具有经处理的表面，其限定未经处理的表面区域之间的图案和/或梯度。当所述表面浸入甲苯中时，对于50μL水滴，经处理的表面区域可具有比未经处理的表面区域更高的滚落角。可以通过例如将基底表面和/或纤维暴露于紫外线(UV)辐射来处理基底。UV辐射可以以不同的强度施加到表面上，这可以产生处理梯度。
基底处理

[发明专利]基底处理设备-CN202210991671.3在审
发明人：李雨林;姜姓佶;金旼亨;金寅成;朴硕永;安常秦;郑印惠;崔圭植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种基底处理设备。所述基底处理设备包括：第一组内表面至第四组内表面，分别至少部分地限定等离子体形成区域、气体供应区域、气体混合区域和基底处理区域，其中，基底处理设备被构造为在等离子体形成区域内形成等离子体，将处理气体从气体供应区域供应到等离子体形成区域，基于从等离子体形成区域供应的自由基的重组而在气体混合区域中形成蚀刻剂，并且基于基底处理区域内的蚀刻剂来处理基底；喷头，位于气体混合区域与基底处理区域之间，并且被构造为将蚀刻剂供应到基底处理区域；涂层，
基底处理设备

[发明专利]圆筒型溅射靶的制造方法-CN202080014649.2在审
发明人：冈野晋;大友健志 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明包括：基底处理工序，在圆筒型靶材的内周面和圆筒型衬管的外周面中的至少任一个部件上涂布基底处理接合材料来形成0.1mm以上且0.8mm以下的第一基底处理层；及接合工序，在基底处理工序之后，将圆筒型衬管插入到圆筒型靶材内，并将熔融状态的填充用接合材料填充于该圆筒型靶材与圆筒型衬管之间的间隙，在基底处理工序中，在第一基底处理层的至少表面上留下划伤，在接合工序中，在加热至第一基底处理层的至少表面成为半熔融状态之后，填充填充用接合材料
圆筒溅射制造方法

[发明专利]圆筒型溅射靶的制造方法-CN201980071856.9在审
发明人：冈野晋;大友健志 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的圆筒型溅射靶的制造方法具有：基底处理工序，将基底处理接合材料涂布于靶材的内周面和衬管的外周面中的至少任一个上来形成基底处理层；及接合工序，在基底处理工序之后，将衬管插入到靶材内，并且将填充用接合材料填充于所述靶材与衬管之间的间隙，在所述接合工序中，在靶材或衬管中的任一个或两个上沿着圆周方向设置能够配置成在间隙内沿径向突出的刮板，并且对基底处理层进行加热而使其表面成为至少半熔融状态，并利用刮板刮去形成于基底处理层的表面上的氧化膜
圆筒溅射制造方法

[发明专利]层压用水系基底处理剂和基底处理方法以及基底处理材料-CN201310145716.6有效
发明人：桥本大祐;渡边拓郎 -专利权人：昭和电工包装株式会社
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C09D105/08 文献下载
摘要：本发明提供层压用水系基底处理剂和基底处理方法以及基底处理材料。本发明涉及的层压用水系基底处理剂含有壳聚糖衍生物、分子内具有至少1个羧基的羧基化合物和水，壳聚糖衍生物/羧基化合物的含有质量比为1.0/0.5～1.0/3.0的范围。本发明的层压用水系基底处理剂可以形成耐HF性、耐电解质性和耐溶剂性优异，并且可以长期充分地确保在汽车用锂离子二次电池等的壳体用包装材料、极耳引线等所要求的更苛刻环境下的层压密合性的基底皮膜。
层压水系基底处理方法以及材料

[发明专利]基底位置检测方法、基底处理方法和基底处理装置-CN200810004753.4无效
发明人：成乐范 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2008-01-28 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明披露了基底位置检测方法、基底处理方法和基底处理装置，具体披露了一种对放置在支撑板上的基底的位置进行检测的方法，其中，通过测量支撑板的温度来检测放置在支撑板上的基底的位置。将基底放置在支撑板上之后，测量支撑板的温度并且将它与参考温度进行比较。如果测量温度处于参考温度范围之内，则判定基底是放置在支撑板上的适当位置处。另一方面，如果测量温度处于参考温度范围之外，则判定基底不在支撑板上的适当位置处。当基底不是放置在支撑板上的适当位置处时，就产生警报，或者中止对基底的处理。
基底位置检测方法处理装置

[发明专利]圆筒型溅射靶及其制造方法-CN201880012802.0在审
发明人：三岛昭史;加藤慎司 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种圆筒型溅射靶及其制造方法，本发明的圆筒型溅射靶的制造方法包括：基底处理工序，在作为圆筒型靶(2)的接合面的内周面和作为圆筒型衬管(3)的接合面的外周面中的至少一方涂布基底处理接合材料以形成基底处理层(11)；及接合工序，在基底处理工序之后，将填充用接合材料填充到圆筒型靶(2)与插入到该圆筒型靶内的衬管(3)之间的间隙并进行固化，基底处理接合材料的熔点或固相线温度超过填充用接合材料的熔点或固相线温度
圆筒型基底处理接合材料溅射靶填充熔点接合固相线衬管制造接合工序温度超过内周面外周面固化

[发明专利]一种可拼接式低温低湿可视密封液滴撞击实验装置-CN202310180719.7在审
发明人：赵松川;张浩杰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01M10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可拼接式低温低湿可视密封液滴撞击实验装置，包括环境制冷及除湿装置，用于对密封箱体进行除湿，并对放置在密封箱体内的基底进行降温；环境制冷及除湿装置内设置有基底处理系统，基底处理系统用于对基底每次撞击后的液滴残留物进行处理；基底处理系统的上方设置有液滴控制及发生装置，液滴控制及发生装置用于稳定的生成液滴并控制液滴的撞击速度和液滴温度；基底处理系统的一侧设置有数据采集系统和辅助系统，数据采集系统用于监控和采集基底处理系统获得的实验数据本发明提高了实验效率，降低了时间和经济成本，用最少的时间成本满足获取更大过冷度的低温的基底的需求。
一种拼接低温低湿可视密封撞击实验装置

[发明专利]基底处理设备-CN201711267739.9在审
发明人：辻直人;村主拓也;池户洋三 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基底处理设备包括：下电极；上电极；第一交流电源，其连接至所述上电极，并且以第一频率供给交流电力；第二交流电源，其连接至所述上电极，并且以低于所述第一频率的第二频率供给交流电力；内电极，其设置在所述下电极中
交流电力滤波电路内电极电极基底处理设备交流电源低阻抗下电极直流电源

[发明专利]基底处理设备-CN201911155349.1在审
发明人：林熙成;金永权 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：提供了一种基底处理设备。所述基底处理设备可以包括：台，具有由彼此交叉的第一方向和第二方向限定的平面；销，布置在限定于台中的开口中并沿着与所述平面交叉的第三方向延伸；以及衬套部，位于台的下方。
基底处理设备

[发明专利]基底处理方法-CN201910732965.2在审
发明人：金善铁;李甲洙;李根泳;林弘泽;玄政祐;韩东勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种基底处理方法。在该基底处理方法中，在第一温度下执行清洗工艺，以去除通过沉积工艺沉积在腔室内的累积层的一部分(步骤1)。在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺(步骤2)。
基底处理方法

[发明专利]基底处理方法-CN202010999688.4在审
发明人：姜熙成;闵允基;林完奎;吴锡宰;曹成日 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种基底处理方法，其能够实现形成在阶梯结构上的薄膜的整个厚度范围中的均匀的蚀刻选择性，该方法包括：通过执行多个循环而在基底上形成薄膜，该循环包括形成至少一层以及在第一处理条件下将等离子体施加到该至少一层；以及在不同于第一处理条件的第二处理条件下将等离子体施加到薄膜。
基底处理方法

[发明专利]基底处理方法-CN202111048371.3在审
发明人：王献伟 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基底处理方法，包括下列步骤。提供一静电吸盘(electrostatic chuck，ESC)结构，并将一第一基底放置在静电吸盘结构上。在清理制作工艺中，第一基底在一垂直方向上覆盖静电吸盘结构的上表面。
基底处理方法

[发明专利]基底处理设备-CN202111430290.X在审
发明人：陈家富 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供一种基底处理设备，包含一控制器以及至少一输入/输出腔室。该至少一输入/输出腔室包括一装载锁定装置，其具有一基座、一导轨、一平台以及一光学测量模块，其中该导轨连接到该基座。
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN202210977734.X在审
发明人： V.W.曾;C.W.苏 -专利权人：博鲁可斯自动化美国有限责任公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B25J9/04 文献下载
摘要：一种基底处理设备，包括：框架(106)；具有末端执行器(110E)并且构造成沿第一轴线延伸和缩回的第一SCARA式臂(110)；具有末端执行器(120E)并且构造成沿第二轴线延伸和缩回的第二SCARA式臂
基底处理设备

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