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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基底加工设备和基底加工方法-CN201910547053.8在审
发明人：森幸博 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基底加工设备的示例包括：台板；用于使所述台板旋转的驱动单元；仅面对所述台板的外边缘的一部分的电极；用于向所述电极供应高频功率的高频功率供应单元；以及用于向所述电极与所述台板之间的间隙供应气体的气体供应装置
电极台板高频功率气体供应装置供应单元供应气体基底加工驱动单元台板旋转外边缘

[发明专利]基底加工装置以及基底加工方法-CN201910132969.7在审
发明人：森幸博 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基底加工装置的示例包括：台板；外周缘环，其围绕所述台板，同时在所述台板的侧表面与所述外周缘环之间设置有间隙；供气单元，其构造为将气体从所述间隙的下侧供应至所述间隙的上侧；以及上电极，其设置在所述台板上方
台板基底加工装置外周缘供气单元基底加工侧表面电极

[发明专利]基底加工设备及加工基底的方法-CN201710984157.6有效
发明人：荒井宏贵;森幸博;野中裕弥 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基底加工设备，包括：设置在腔室中的台架；喷洒头，在所述喷洒头中形成有多个狭缝，并且所述喷洒头与所述台架相对；第一气体供给部，其经由所述多个狭缝将第一气体供给至所述台架与所述喷洒头之间的空间；以及第二气体供给部
基底加工设备方法

[发明专利]基底加工设备、存储介质以及基底加工方法-CN201910444402.3有效
发明人：和田隆;野口哲;安達渉;村松大輔 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：基底加工设备的示例包括：装置，其用于使基底经受加工；以及控制器，其用于通过随时间变化的第一修正值和第二修正值来修正控制所述装置的预定参数，由此计算修正后的参数，并且基于所述修正后的参数对所述装置进行控制
基底加工设备存储介质以及方法

[发明专利]基底加工方法-CN201910533674.0在审
发明人：堅固山裕子;吉田嵩志 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基底加工方法的示例包括：使放置在基座上的基底经受等离子体加工；向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述基底的电荷量；在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述基底的同时测量所述射频电极的自偏压
静电去除自偏压基底射频电极等离子体等离子体加工基底加工控制器电荷量顶表面加长测量施加

[发明专利]基底传送设备和基底加工设备-CN201310572302.1有效
发明人：沈亨基;金贤中;安珍荣;车恩熙 -专利权人： AP系统股份有限公司;三星显示有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基底传送设备以及一种基底加工设备，且更确切地说，涉及一种基底加工设备，其中当基底进行加工时，通过传送基底而使薄膜结晶于基底上。基底传送设备包含：通过空气轴承滑动的传送台；以及围绕空气轴承的吸收器，用来吸收从空气轴承喷射出之后折回的空气。
基底传送设备加工

[发明专利]制造方法及其所用设备-CN201280031693.X在审
发明人：科里·威廉·迈克尔·费伦;杰弗里·麦克法兰 -专利权人：瑞尼斯豪公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：一种使用机器在基底上的至少一个部件区域中制造至少一个部件的方法，所述机器具有相对于所述基底可相对移动的基底加工部，所述方法包括：至少在所述基底加工部和基底处在所述基底加工部能够加工在所述基底上的所述至少一个部件区域的位置关系时，通过读取由所述基底提供的至少第一计量标尺来测量所述基底加工部相对于所述基底的位置。
制造方法及其所用设备

[发明专利]一种柔性非对称电极的超快激光加工方法-CN202111446776.2在审
发明人：丁烨;杨立军;王联甫 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性非对称电极的超快激光加工方法，包括：固定第一电极基底至超快激光加工装置的工作台上；通过所述超快激光加工装置的超快激光器加工所述第一电极基底；固定第二电极基底至所述工作台上；通过所述超快激光器加工所述第二电极基底；组装所述第一电极基底和所述第二电极基底。本发明通过超快激光加工第一电极基底和第二电极基底，并通过组装第一电极基底和第二电极基底得到柔性非对称电极，发挥了激光加工质量高、精度高、效率高等优势，实现了柔性非对称电极加工的高质量、高精度、高效率；且通过先后分别加工第一电极基底和第二电极基底
一种柔性对称电极激光加工方法

[发明专利]一种太赫兹结环行器的制作方法-CN202110805941.2在审
发明人：周翠;马锋 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹结环行器的制作方法，包括提供待加工的金属基底；在所述待加工的金属基底上结合固定待加工的铁氧体件；对待加工的金属基底以及所述待加工的铁氧体件进行切削加工，得到加工后的金属基底以及加工后的铁氧体件；将加工后的金属基底与金属盖体进行装配，其中，所述加工后的铁氧体件位于所述加工后的金属基底与金属盖体之间。该方法能够解决加工太赫兹结环行器时，加工难度大的问题。
一种赫兹环行器制作方法

[发明专利]三维结构存储元件的制造装置-CN201510007521.4有效
发明人：赵星吉;金海元;禹相浩;申承祐;张吉淳;吴完锡 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维结构存储元件的制造装置，所述装置包括：用于实行基底加工的腔室；基底支撑台，其设置于所述腔室内并用于放置所述基底，并通过升降而转换至所述基底出入于所述腔室内部的解除位置和对所述基底进行加工的加工位置；环形边，当所述基底支撑台处于所述解除位置时，所述环形边位于所述基底的上部，并且所述环形边具有当所述基底支撑台转换至所述加工位置时，对位于所述基底支撑台上部的所述基底的边缘部施压的施压面。
基底基底支撑台环形边存储元件加工位置解除位置三维结构制造装置基底加工基底支撑腔室内部边缘部施压面转换腔室施压升降室内加工

[发明专利]一种低压液路集成块及其加工工艺-CN201811261914.8有效
发明人：范佳杰;陈一文;张忠华;刘自豪;马梦君;翟进生;范向伟;高彩琴;邵国胜 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： F17D1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压液路集成块及其加工工艺，该液路集成块包括下层基底、中间层基底和上层基底，下层基底的上表面、中间层基底正反面和上层基底的下表面均设有半个流道沟槽，中间层基底分别与下层基底和上层基底键合，互为镜像的流道沟槽键合后形成密封流道；该加工工艺为：选取用于制作集成块的下层基底、中间层基底和上层基底，利用数控精密铣削技术将下层基底的上表面、中间层基底正反面和上层基底下表面铣出半个流道沟槽，将互为镜像的流道沟槽键合后形成密封流道，形成集成块；该加工工艺避开了微小孔在集成块上无法加工的难题，为低压液路集成块的加工提供了方法，为液路系统设计的微型化、模块化提供了可能。
一种低压集成块及其加工工艺

[发明专利]加工腔-CN200980120185.7有效
发明人： J·韦查尔特 -专利权人： OC欧瑞康巴尔斯公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：提供了一种用于处理基底的加工设备，其包括用于装载基底的装载腔、用于加工基底的加工腔、使加工腔与装载腔隔开的密封面，以及用于使基底从装载腔垂直地移动至加工腔的器件，且还提供了用于处理基底的方法。装载腔定位在加工设备的下部和上部中的一个中，而加工腔定位在加工设备的下部和上部中的另一个中。本发明的加工设备和方法将通过减少用于装载基底的运动的数目而容易维护和降低成本。
加工

[发明专利]用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法-CN201710137464.0有效
发明人：伊安·J·布朗;华莱士·P·普林茨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法。用于加工基底的装置和方法。该方法包括将基底设置在基底加工系统的加工室内。所述基底包括在基底的工作表面上的含碳材料的层。该方法还包括在基底加工系统的蒸气处理区中接收过氧化氢蒸气，通过在蒸气处理区中处理过氧化氢蒸气来产生羟基自由基蒸气，以及将羟基自由基蒸气和剩余的过氧化氢蒸气引导至基底的工作表面，使含碳材料被化学改性。
用于基底羟基自由基加工系统方法

[发明专利]用于提供前进的基底的局部速度变化的设备和方法-CN201080013866.6无效
发明人： N.A.吉尔 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： B65H20/02 文献下载
摘要：本文所讨论的方法和设备提供了前进的基底(102)的局部速度变化。局部速度改变设备的实施方案可包括分别定位在加工工位(108)的上游和下游的第一(110)和第二基底导向件(112)。所述基底导向件可利用引导构件(124、154)的轨道运动来改变在加工工位的上游和下游基底导向件内部的基底长度。在基底导向件内部基底长度上的变化导致在基底导向件中间基底的局部速度变化。基底导向件之间的协调允许基底通过加工工位的局部速度变化而不影响在第一基底导向件上游和第二基底导向件下游的基底速度。
用于提供前进基底局部速度变化设备方法

[实用新型]基底表面颗粒检测装置及加工机台-CN201820134165.1有效
发明人：唐磊;黄志凯;颜廷彪 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基底表面颗粒检测装置及加工机台，所述基底表面颗粒检测装置包括承片台、激光发射器和光探测器；本实用新型相当于在原有的加工机台中增加一用于检测基底背面和/或正面上的颗粒污染情况的基底表面颗粒检测装置，能够对承片台所夹持的基底的背面和/或正面上所携带的颗粒进行检测，即能够在基底加工的相应工序中及时发现颗粒污染，以防止颗粒污染加工机台以及避免颗粒引起加工缺陷。
颗粒检测装置基底表面加工机台颗粒污染本实用新型承片台激光发射器光探测器基底背面基底加工加工缺陷原有的检测基底夹持背面携带发现

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