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[发明专利]维护方法、半导体装置的制造方法、记录介质及处理装置-CN202310260936.7在审
发明人：吉野晃生;原田幸一郎;油谷幸则;保井毅 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种对构成反应容器的金属构件的表面处理的破损进行修复的维护方法、半导体装置的制造方法、计算机可读取的记录介质以及基板处理装置。该维护方法具有如下工序：(a)对配置于反应容器内的基板供给改性气体，在预定温度进行对基板的改性处理的工序；和(b)在反应容器内没有基板的状态下向反应容器内供给含氧气体，在预定温度以上的温度对铝构件的表面的耐酸铝处理的破损进行氧化处理的工序，该铝构件构成反应容器的至少一部分。
维护方法半导体装置制造记录介质处理

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202211091663.X在审
发明人：森谷敦;油谷幸则;高野智;大桥直史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，即使在存在进行不同的处理的反应器的情况下，也能够抑制反应器间的对各处理的影响。该技术具有：第一容器，具备构成能够将基板搬入/搬出的搬入/搬出口的搬入/搬出部和收纳基板的处理室；第二容器，与第一容器相邻，经由搬入/搬出口能够与第一容器连通；盖体，能够将搬入/搬出口封闭；密封部件，配置于搬入/搬出部与盖体之间；以及控制部，能够进行控制，以在对基板在处理室进行处理的期间，在盖体将搬入/搬出口封闭的状态下，使第一容器内的压力比第二容器内的压力低，且在对基板进行处理后且使第一容器和第二容器连通前，使第一容器内的压力比第二容器内的压力高。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序-CN202010091897.9有效
发明人：吉野晃生;油谷幸则;八幡橘 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序，对于纵横尺寸比高的槽也能够均匀地处理槽的内部。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；基板载置部，其在处理室中支承基板；气体供给部，其向处理室供给气体；高频电力供给部，其供给规定频率的高频电力；第一谐振线圈，其以覆盖处理室的方式卷绕，并且由在供给了高频电力时在处理室中形成等离子体的第一导体构成；第二谐振线圈，其以覆盖处理室的方式卷绕，并且由在供给了高频电力时在处理室中形成等离子体的第二导体构成；和控制部，其以向第一谐振线圈供给电力的电力供给期间和向第二谐振线圈供给电力的电力供给期间不重叠的方式，控制高频电力供给部。
处理装置半导体器件制造方法记录介质程序

[发明专利]基板处理装置、温度测定单元及半导体器件的制造方法-CN201780015489.1有效
发明人： 油谷幸则;桧山真 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种无论基板的成膜状态如何均能够简便地提高基板的温度测定精度的技术。提供一种基板处理装置，具备：基板载置部，其具有载置面且在该载置面上载置基板；加热部，其对载置于载置面的基板进行加热；和能够弹性的温度传感器，其顶端构成温度检测部，温度传感器从载置面之下延伸至载置面之上，顶端从载置面突出。另外，提供一种半导体器件的制造方法，具备：将基板载置于基板载置部的载置面并使突出到载置面上的温度传感器的顶端与基板背面接触、以顶端与载置面相比被下压到下方的方式使温度传感器弹性变形的工序；对基板进行加热的工序；和使用温度传感器对基板的温度进行测定的工序。
处理装置温度测定单元半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202111096301.5在审
发明人： 油谷幸则;大桥直史;山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题为得到能够持续具有选择性的半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法具有：将处理室内的晶片(100)加热至第1温度并供给吸附抑制剂，使吸附抑制剂吸附于晶片的基底(100a)的吸附抑制剂供给工序；在吸附抑制剂供给工序之后，将晶片加热至比第1温度高的第2温度并供给处理气体，在晶片中的未吸附有吸附抑制剂的其他部位即基底(100b)上形成SiN膜的处理气体供给工序；和在处理气体供给工序之后，将晶片加热至比第2温度高的第3温度而除去吸附于晶片的基底的吸附抑制剂的吸附抑制剂除去工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、以及程序-CN201910871855.4有效
发明人： 油谷幸则;广濑义朗;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供能够选择性地对具有槽的基板进行处理的基板处理装置。基板处理装置具备：基板载置部，其被装备在处理室内，且具有载置具有多个槽的基板的基板载置面；气体供给部，其向上述处理室供给处理气体；排气部，其从上述处理室排出环境气；以及电磁波供给部，其从上述基板的侧方供给电磁波，以对上述槽的表面进行处理。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质-CN202110298653.2在审
发明人：大桥直史;八幡橘;油谷幸则;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质，防止歪斜的基板落下并稳定地进行输送。本发明提供如下技术，具有：处理室，其对基板进行处理；气体供给部，其向处理室内供给气体；基板载置部，其配置在处理室内且具有载置基板的基板载置面；以及臂，其支撑基板的下表面并向基板载置面输送该基板，臂构成为支撑基板的支撑部具有倾斜。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201710459088.7有效
发明人： 油谷幸则;桧山真;竹田刚;大桥直史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，存在半导体器件的生产率低的问题。提供一种技术，具有：处理衬底的处理容器，向处理容器供给气体的气体供给部，控制衬底的温度的温度控制部，和装置控制部，其以进行下述处理的方式进行控制：温度控制部将衬底维持在第一温度、并且气体供给部向处理容器供给气体，从而形成第一层的处理；及，温度控制部将衬底维持在不同于第一温度的第二温度、并且气体供给部向处理容器供给气体，从而形成不同于第一层的第二层的处理。通过本发明，即便在将不同的处理进行重复从而对膜进行处理的方法中，也能提高半导体器件的生产率。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置-CN201811120329.6在审
发明人： 油谷幸则;八幡橘;高崎唯史;大桥直史;松井俊;市村圭太 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，用于实现搬运机器人搬运基板的合理化。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；加热部，其将基板加热到规定温度；真空搬运室，其与处理室连接；搬运机器人，其设置于所述真空搬运室，能够搬运基板；装载锁定室，其与真空搬运室连接；存储装置，其分别存储多个与基板的处理内容有关的工序信息以及多个与工序信息对应的搬运机器人的搬运信息；控制部，其根据应用于基板的工序信息对应的搬运信息，控制搬运机器人来搬运基板。
基板搬运机器人搬运真空搬运室工序信息基板处理装置装载锁定室处理内容存储装置基板加热对基板加热部合理化存储应用

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法-CN201610804113.6有效
发明人： 油谷幸则;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理装置、以及半导体器件的制造方法，能够抑制流体供给装置内的流体的温度因处理室的状况而发生变动。衬底处理装置具有：处理室，其处理衬底；流体供给部，其向处理室供给规定温度的流体；流体供给管，其从流体供给部向处理室供给流体；第一流体排出管，其从处理室向流体供给部排出流体；第二流体排出管，其设置有热交换部，从流体供给管向流体供给部排出流体；流路切换部，其设置在流体供给管与第二流体排出管的连接部；以及控制部，其与流体供给部和流路切换部连接。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[外观设计]基板温度测定单元-CN201630153768.2有效
发明人： 油谷幸则 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称为基板温度测定单元。2.本外观设计产品是在对基板进行处理的基板处理装置中，设置于被处理基板的载置部并用于测定被处理基板的温度的基板温度测定单元。本外观设计产品由板状部件构成，相对于该板状部件通过片状部件固定铠装热电偶而使用。3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4.指定立体图为最能表明设计要点的视图。
温度测定单元

[外观设计]基板温度测定单元-CN201630153484.3有效
发明人： 油谷幸则 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称为基板温度测定单元。2.本外观设计产品是在对基板进行处理的基板处理装置中，设置于被处理基板的载置部并用于测定被处理基板的温度的基板温度测定单元。本外观设计产品由板状部件和相对于该板状部件通过片状部件固定的铠装热电偶构成。3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4.指定立体图为最能表明设计要点的视图。
温度测定单元

[发明专利]衬底处理装置-CN201010135425.5有效
发明人： 油谷幸则;中岛诚世;岛田真一 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理装置，能够缩短处理后的晶片的冷却时间，并提高吞吐能力。热遮蔽板(50)具有向被保持在舟皿(38)上的晶片(14)吹出冷却气体(68)的冷却气体吹出部(70)，在该冷却气体吹出部(70)上，设有作为冷却气体(68)的吹出口的多个吹出孔(70a)。当晶片(14)在晶片移载装置(36a)和舟皿(38)之间进行交接时，热遮蔽板(50)退避到与其不发生干涉的位置(退避位置)，当对晶片(14)(以及舟皿(38))进行冷却时，为了吸收并阻断来自晶片(14)(以及舟皿(38))的放热，热遮蔽板(50)在晶片移载装置(36a)与舟皿(38)之间移动(冷却位置)。
衬底处理装置

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