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[发明专利]原子态等离子体形成装置及其应用-CN201910189788.8在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发
原子态等离子体微波等离子体反应单元分子态气体扰动等离子等离子体形成装置等离子体火球气压控制单元激发激发气体连通调控等离子体激发等离子体起辉微波能量耦合反应腔应用

[发明专利]原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法-CN201910189810.9在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
等离子体原子态等离子体火球半导体材料等离子体处理微波能量耦合激发气体气体扰动分子态激发等离子体激发调控应用

[发明专利]一种激发表面等离子体激元的结构、方法和电磁波探测隐身装置、方法-CN202210607593.2在审
发明人：刘汝兵;邱典庆;彭俊;刘震;林麒 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种激发表面等离子体激元的结构、方法和电磁波探测隐身装置、方法，该激发表面等离子体激元的结构和方法通过在金属表面布置若干周期间距排列的等离子体管，形成类似金属光栅的等离子体光栅结构，当等离子体管内形成等离子体，并且形成的等离子体使得入射电磁波满足波矢匹配的要求后，入射电磁波可以在金属表面激发形成表面等离子体激元，相比于现有的金属光栅激发表面等离子体激元的方案，利用等离子体管形成等离子体光栅可以使入射电磁波的频率在下降至微波波段时仍能够激发形成表面等离子体激元
一种激发表面等离子体结构方法电磁波探测隐身装置

[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法-CN200810134716.5有效
发明人：藤井一行;花崎稔;川原田元;滝正和;津田睦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：由于远程等离子体清洁与成膜时不同，並非适合于等离子体激发的条件，因此局部地激发等离子体本身就比较困难，而且，在使用光的方法中，存在着检测窗模糊这一CVD工艺中不可避免的问题，因而并不适合于量产步骤。用来解决这些问题的本案发明的概要是一种反复进行下述步骤的半导体集成电路装置的制造方法，即：在反应室内使用等离子体来激发反应气体以堆积所需的膜的步骤；以及向该反应室内导入在远程等离子体激发室内经过激发的清洁气体而在非等离子体激发环境下对该反应室进行远程等离子体清洁的步骤，其中，通过电容耦合型的等离子体激发系统，于反应室或用来进行反应室的排气的真空系统内生成局部等离子体，并对该等离子体的电气特性进行监控，以此检测出远程等离子体清洁的终点。
半导体集成电路装置制造方法

[发明专利]基于脊波导匹配的微波等离子体激发装置及尺寸确定方法-CN202110578881.5在审
发明人：肖玮;张正平;王凤霞;邓萍萍 -专利权人：贵州大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于脊波导匹配的微波等离子体激发装置及尺寸确定方法，它包括等离子体激发腔体（30），其特征在于：矩形波导喇叭（10）与脊波导匹配段（20）连接；脊波导匹配段（20）与等离子体激发腔体（30）连接；等离子体激发腔体（30）中心位置设置有垂直于离子体激发腔体（30）的石英管（60）；解决了现有技术的等离子体激发装置存在的对电场的增强有限、放电区域的电场聚焦不够，电场分布没有有效地集中于放电区域，需要较高的微波输入功率才能激发等离子体，对微波源的要求较高；（3）等离子体激发后无法有效散热，导致微波反射功率较大，进一步导致微波到等离子体的能量转化效率有限等技术问题。
基于波导匹配微波等离子体激发装置尺寸确定方法

[实用新型]基于脊波导匹配的微波等离子体激发装置-CN202121146033.9有效
发明人：肖玮;张正平;王凤霞;邓萍萍 -专利权人：贵州大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于脊波导匹配的微波等离子体激发装置，它包括等离子体激发腔体（30），矩形波导喇叭（10）与脊波导匹配段（20）连接；脊波导匹配段（20）与等离子体激发腔体（30）连接；等离子体激发腔体（30）中心位置设置有垂直于离子体激发腔体（30）的石英管（60）；解决了现有技术的等离子体激发装置存在的对电场的增强有限、放电区域的电场聚焦不够，电场分布没有有效地集中于放电区域，需要较高的微波输入功率才能激发等离子体，对微波源的要求较高；（3）等离子体激发后无法有效散热，导致微波反射功率较大，进一步导致微波到等离子体的能量转化效率有限等技术问题。
基于波导匹配微波等离子体激发装置

[发明专利]电感耦合等离子体激发用天线及组件和等离子体处理装置-CN202210121035.5在审
发明人：齐藤武尚;山泽阳平;中岛俊希;仓科大辅;藤原直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种电感耦合等离子体激发用天线、电感耦合等离子体激发用天线组件和等离子体处理装置。该电感耦合等离子体激发用天线包括：多个线圈单元；和导电性板，其与所述多个线圈单元连接，具有中央开口部和至少一个板端子。根据本发明，在使用电感耦合等离子体激发用天线激发等离子体时，提高该天线的磁场生成效率，并且提高磁场强度的周向均匀性。
电感耦合等离子体激发天线组件处理装置

[实用新型]微波等离子体薄膜沉积装置-CN202020534442.5有效
发明人：王群;卫博;唐章宏;王明连;金鑫;李永卿 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体激发装置技术领域，公开了一种微波等离子体薄膜沉积装置，包括反应体、等离子体激发锥体、薄膜沉积基台和多层微波源组件，反应体内设有微波谐振腔；每层微波源组件均包括多个微波激励源，多个微波激励源沿反应体的周向分布于反应体的侧壁；等离子体激发锥体和薄膜沉积基台分别设置于反应体的两端，等离子体激发锥体的尖部朝向微波谐振腔内；等离子体激发锥体内设有进气流道，进气流道贯通至等离子体激发锥体的尖部。该微波等离子体薄膜沉积装置在薄膜沉积基台上有大面积的高场强区域分布，从而在高场强作用下激发出大面积的等离子体区域，利于实现沉积大面积薄膜。
微波等离子体薄膜沉积装置

[发明专利]一种微波耦合等离子体激发光源-CN201810542204.6在审
发明人：宋大千;曹彦波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波耦合等离子体激发光源，通过外导体、微波天线、内导体、中管、内管、中心管、标样入口、内层炬气体入口、中层炬气体入口以及外层炬气体入口的设置分别产生内层等离子体、中层等离子体与外层等离子体；内、中、外三层等离子体共同形成三层复合的、由微波耦合产生的三重复合层流微波耦合等离子体，因此提高了激发能力；并且由于激发光源为等离子体，只要微波源的输出功率稳定，并且腔室流出的气流也处于层流稳定状态，就能够从根本上实现等离子体炬焰本身的稳定；在此基础上，本发明提供的微波耦合等离子体激发光源结构简单、使用方便，在保证激发光源激发能力和稳定性的情况下大大降低了成本。
等离子体微波耦合等离子体激发气体入口激发光源层流内层光源中层等离子体炬焰光源结构三层复合输出功率微波天线内导体外导体微波源中心管激发标样内管腔室三层流出复合保证

[发明专利]一种等离子体浓度确定方法、装置、电子设备及消毒装置-CN202210441788.4在审
发明人：李泽民;聂李慧;胡露;封宗瑜;马明宇;张述文 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体浓度确定方法、装置、电子设备及消毒装置，其中等离子体放电系统包括空气电容、空气电阻、介质阻挡电容和测试电容，空气电容和空气电阻并联后与介质阻挡电阻和测试电容串联，等离子体浓度确定方法包括：获取等离子体未激发状态下单个周期内每个时刻测试电容的第一电量；获取等离子体激发状态下单个周期内每个时刻测试电容的第二电量；根据第一电量和第二电量，得到单个周期内由等离子体激发所致的激发总电量；根据激发总电量得到预设时间段内等离子体激发状态下产生的等离子的浓度相对于现有的等离子体浓度方法，本发明的方案可大幅减少等离子浓度评估计算的时间、人员和仪器资源的投入，具备巨大的应用优势。
一种等离子体浓度确定方法装置电子设备消毒

[发明专利]一种微波等离子体的温度控制方法及设备-CN201711076959.3在审
发明人：刘程;张贵新;黄诗洋;谢宏;邓磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及微波等离子体领域，提供一种微波等离子体的温度控制方法及设备。其中微波等离子体的温度控制方法包括如下步骤调节微波功率，在微波激发区产生微波等离子体；在微波激发区吹入工作气体，微波等离子体羽流伸出激发区；调整工作气体的组分配比，选择合适的温度区域；选择微波等离子体羽流的不同位置以解决现有技术中采用功率调节等离子体温度出现的不稳定情况。
一种微波等离子体温度控制方法设备

[发明专利]一种等离子体通道引导的脉冲激光沉积方法-CN202211504194.X在审
发明人：曾和平;胡梦云;乔蔚 -专利权人：重庆华谱信息技术有限公司;重庆华谱量子科技有限公司;重庆华谱新能源有限公司;重庆勐禾生物科技有限公司;云南华谱量子材料有限公司;上海朗研光电科技有限公司;广东朗研科技有限公司;华东师范大学重庆研究院;华东师范大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及脉冲激光沉积技术领域，公开了一种等离子体通道引导的脉冲激光沉积方法，首先发射一束等离子体光栅对靶材料进行激发，然后用多束等离子体光栅与前述等离子体光栅耦合拼接成一条更长的等离子体光栅通道，对靶材料蒸汽进行引导，并对靶材料颗粒产生连续激发，在基片上沉淀形成薄膜。本发明使用等离子体通道对等离子体进行引导与解离，有助于引导等离子体具备更好的方向性，有助于形成更小的靶材料粒子，能够使更多等离子体处于激发态。
一种等离子体通道引导脉冲激光沉积方法

[发明专利]可调的远程分解-CN201680047101.1有效
发明人： S·朴;K·D·沙茨;S·郑;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-06-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：蚀刻工艺是气相蚀刻，该气相蚀刻使用在与等离子体流出物组合之前于任何等离子体中并未被激发的氧化前驱物，所述等离子体流出物是在来自惰性前驱物的远程等离子体中形成。等离子体流出物可在无等离子体远程腔室区域和/或在无等离子体基板处理区域中与氧化前驱物组合。等离子体流出物的组合激发氧化前驱物并且从该图案化基板的暴露部分移除材料。蚀刻速率是可控制的且可选择的，这是通过调整氧化前驱物的流率或是未被激发/等离子体激发的流率比例来达成的。
可调远程分解

[实用新型]一种微波耦合等离子体激发光源-CN201820824376.8有效
发明人：宋大千;曹彦波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波耦合等离子体激发光源，通过外导体、微波天线、内导体、中管、内管、中心管、标样入口、内层炬气体入口、中层炬气体入口以及外层炬气体入口的设置分别产生内层等离子体、中层等离子体与外层等离子体；内、中、外三层等离子体共同形成三层复合的、由微波耦合产生的三重复合层流微波耦合等离子体，因此提高了激发能力；并且由于激发光源为等离子体，只要微波源的输出功率稳定，并且腔室流出的气流也处于层流稳定状态，就能够从根本上实现等离子体炬焰本身的稳定；在此基础上，本实用新型提供的微波耦合等离子体激发光源结构简单、使用方便，在保证激发光源激发能力和稳定性的情况下大大降低了成本。
等离子体微波耦合等离子体激发气体入口本实用新型激发光源层流内层光源中层等离子体炬焰光源结构三层复合输出功率微波天线内导体外导体微波源中心管激发标样内管腔室三层流出复合保证

[发明专利]一种等离子体晶格耦合的超快激光脉冲沉积方法与装置-CN202211505267.7在审
发明人：曾和平;胡梦云;乔蔚 -专利权人：重庆华谱信息技术有限公司;重庆华谱智能装备有限公司;重庆华谱量子科技有限公司;重庆华谱科学仪器有限公司;云南华谱量子材料有限公司;上海朗研光电科技有限公司;广东朗研科技有限公司;华东师范大学重庆研究院;华东师范大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及脉冲激光沉积技术领域，公开了一种超快激光脉冲沉积方法与装置，先将一束发射的飞秒脉冲经过分束、时域同步，并耦合形成等离子体光栅或晶格，对靶材料进行一次激发；再令多束脉冲激光先后与等离子体光栅或晶格形成多次耦合，对靶材料进行多次激发，在基板上沉淀与反应形成薄膜。本发明使用后脉冲对等离子体光栅或晶格进行耦合，不但提高了等离子体光栅或晶格内的等离子体密度和光功率密度，还通过多级级联再生有效地延长等离子体激发的时间，克服超快脉冲激光激发的等离子体持续时间短的缺陷，增强等离子体激发与消融的效果并显著改善成膜质量以及成膜效率
一种等离子体晶格耦合激光脉冲沉积方法装置

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