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[发明专利]一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用-CN201610042189.X有效
发明人：谢一兵;田芳 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01G11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括氮化钼纳米膜、氮化钛纳米管阵列和氮化钛纳米膜；所述氮化钼纳米膜作为表面层，氮化钛纳米管阵列作为中间层，氮化钛纳米膜作为基底层，氮化钼纳米膜完全覆盖在氮化钛纳米管阵列的表面，氮化钛纳米管阵列垂直生长在氮化钛纳米膜的表面，形成一体化结构的氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料；所述氮化钼纳米膜具有微孔膜结构，氮化钛纳米管阵列具有管壁相连的长纳米管或者管壁独立的短纳米管结构，氮化钛纳米膜具有凹坑膜结构。
一种氮化纳米阵列复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有复合涂层的刀具-CN201610639237.3在审
发明人：张宗超;韩琦;杨建光;蒋盼盼;唐红岩;黄金宝 -专利权人：北京沃尔德金刚石工具股份有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有复合涂层的刀具，除包括刀具本体，还包括钛铝氮化合物膜层，和，钛铝氮化合物与钛碳氮化合物组成的第一混合物膜层；所述钛铝氮化合物膜层和所述第一混合物膜层层叠设置于所述刀具本体的表面；所述钛铝氮化合物膜层和所述第一混合物膜层均为纳米级膜层因第一混合物膜层为钛铝氮化合物和钛碳氮化合物的混合物，所以既具有钛铝氮化合物的耐高温特性，又具有钛碳氮化合物低摩擦系数的特性；同时，第一混合物膜层中的钛铝氮化合物又和钛铝氮化合物膜层具有较好的结合特性，
一种具有复合涂层刀具

[发明专利]形成具有(200)晶体织构的氮化钛膜的方法-CN201910682793.2在审
发明人：坎达巴拉·N·塔皮利 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请设计形成具有(200)晶体织构的氮化钛膜的方法，描述了基底加工方法，其用于形成可以用于超导金属化或功函数调整应用的氮化钛材料。所述基底处理方法包括：通过气相沉积在基底上沉积至少一个单层的第一氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处理第一氮化钛膜，其中所述第一氮化钛膜是多晶的并且所述处理使第一氮化钛膜的(200)晶体织构增加。所述方法还包括：通过气相沉积在经处理的至少一个单层的第一氮化钛膜上沉积至少一个单层的第二氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处理至少一个单层的第二氮化钛膜。
氮化钛膜单层等离子体激发含氢气体晶体织构气相沉积沉积氮化钛材料功函数调整超导金属基底处理基底加工多晶基底申请应用

[发明专利]氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置-CN202210472341.3在审
发明人：高桥毅;洪锡亨;樋口健介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置，用于形成电阻率低的氮化钛膜。在该方法中，交替地重复实施对收容在处理容器内的基板供给原料气体的操作和对所述基板供给反应气体的操作来形成所述氮化钛膜，其中，所述原料气体含有含氯和钛的钛化合物，所述反应气体含有含氮且与所述钛化合物进行反应来形成氮化钛的氮化合物在将所述处理容器内的压力的条件设定成使所述氮化钛膜的电阻率成为57μΩ·cm以下的处于2.7kPa～12.6kPa的范围内的条件下，实施形成所述氮化钛膜的工序。
氮化方法装置

[发明专利]用于28纳米及以下技术节点的接触孔结构中氮化钛膜的形成方法-CN201910231239.2有效
发明人：李一斌;鲍宇;张书强 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于28纳米及以下技术节点的接触孔结构中氮化钛膜的形成方法，包括：在接触孔开口处的衬底上进行氮化钛的第一次淀积并进行第一次处理，形成氮化钛初始层；在氮化钛初始层上进行氮化钛的第二次淀积并进行第二次处理，形成氮化钛主体层，氮化钛初始层的厚度比氮化钛主体层的厚度小，且氮化钛初始层和氮化钛主体层的厚度之和与接触孔结构中所需的氮化钛膜厚度相同。本发明改变了两次氮化钛淀积的厚度以及对淀积氮化钛进行处理的时间，使第一次形成的氮化钛膜比第二次形成的氮化钛膜薄，可以减轻第一次等离子体处理负荷，降低处理过程中的排气，从而获得膜质阻值符合要求、填充能力增强、成膜连续性良好的阻挡层。
用于 28 纳米以下技术节点接触结构氮化形成方法

[实用新型]氮化钛玻璃窗膜及包含该玻璃窗膜的汽车侧后挡窗玻璃-CN201721320607.3有效
发明人：施庆元 -专利权人：广东鑫瑞新材料科技有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化钛玻璃窗膜及包含该玻璃窗膜的汽车侧后挡窗玻璃，所述氮化钛玻璃窗膜，包括依次连接的防刮层、氮化钛磁控基膜、复合层、原色膜层、安装层，其中所述氮化钛磁控基膜包括聚酯薄膜和氮化钛溅射层，所述汽车侧后挡窗玻璃包括所述氮化钛玻璃窗膜和汽车玻璃。本实用新型所述的氮化钛玻璃窗膜，所述氮化钛玻璃窗膜在强光下仍无黑色暗纹，外观质量佳，且具有良好的可见光透过率、高紫外线阻隔率和红外线阻隔率，隔热效果好，所述汽车侧后挡窗玻璃可以提升汽车品质。
氮化玻璃窗包含汽车侧后窗玻璃

[发明专利]成膜方法、基板处理装置和半导体装置-CN200880004044.4有效
发明人：若林哲;成嶋健索 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的成膜方法包括：在层间绝缘膜(520)上和接触孔(530)底部的含硅表面(512)上形成钛膜的钛膜形成工序；将该钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜(550)的氮化工序；和在氮化钛膜上形成钨膜(560)的钨膜形成工序。由此，能够防止由于钛层的变质而引起的钨膜的剥离，并且能够使阻挡层比现有技术薄，并提高生产率。
方法处理装置半导体

[发明专利]氮化钛电热膜型发热体及技术-CN88100305.0无效
发明人：侯梦斌 -专利权人：侯梦斌
申请日： 1988-01-20 - 公布日： 1989-08-02 - 主分类号： H05B3/12 文献下载
摘要：本发明的电发热体由基材、电极以及氮化钛电热膜组成。本发明公开了一种制作电热膜的新材料氮化钛，制作这种有预定电阻率的氮化钛膜的技术，及这种氮化钛膜型发热体的具体应用。氮化钛有优良的化学和物理稳定性，与基材结合力强，可精细加工，有装饰效果。
氮化电热发热技术

[发明专利]经热处理的氮化钛膜和制造方法-CN201680007755.1有效
发明人： K.S.K.陈;王鹏军 -专利权人： CP菲林公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G02B1/12 文献下载
摘要：公开了经热处理的氮化钛膜，其包括聚合物基材和至少一个氮化钛层。该膜的氮化钛层的特征在于在所述膜的纵向上微观均匀的大致平行的表面裂纹。该膜特别可用作适合施加到曲面透明基材上的阳光控制膜，重影降低或消除。还描述了在施加到透明曲面基材上之前处理氮化钛膜的方法和将氮化钛膜施加到透明曲面基材上的方法。
热处理氮化制造方法

[发明专利]氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置-CN201210048533.8无效
发明人：两角友一朗;菱屋晋吾;原田豪繁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置。在氮化钛膜的形成方法中，首先，利用升温用加热器将收容有半导体晶圆的反应管内加热到200℃～350℃。接着，向反应管内供给含有钛原料的成膜用气体而在半导体晶圆上形成氮化钛膜。该钛原料采用不含有氯原子而含有钛的甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛。
氮化形成方法装置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201810199148.0在审
发明人：森田健士;加藤伸二郎;秋野胜;井村行宏 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有：基板(1)；设置于基板(1)上的布线(6)；设置于布线(6)上的氮化钛膜(7)；设置于氮化钛膜(7)上的氧化膜(3)；和设置于氧化膜(3)上的氮化硅膜(4)，在形成于氮化硅膜(4)的第1开口部(91)和形成于氮化钛膜(7)的第2开口部(92)在俯视时重叠的位置、并且是形成于氧化膜(3)的第3开口部(93)的俯视内侧的位置上，形成有布线(6)露出而成的焊盘部(8)，由此制成在配置于第3开口部(93)的俯视内侧的氮化钛膜(7)上相接地形成有氮化硅膜(4)的半导体装置(10)，即便在包含氮化钛的防反射膜上设有氧化硅膜，形成防反射膜的氮化钛也难以发生腐蚀，制造中的工时也少
半导体装置氮化钛膜开口部氮化硅膜氧化膜布线俯视防反射膜氮化钛基板制造氧化硅膜接地焊盘部腐蚀配置

[发明专利]氮化钛玻璃窗膜及其制备方法与应用-CN201710954690.8在审
发明人：施庆元 -专利权人：广东鑫瑞新材料科技有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钛玻璃窗膜及其制备方法与应用，所述氮化钛玻璃窗膜包括依次连接的防刮层、氮化钛磁控基膜、复合层、原色膜、安装层、离型膜，其中所述氮化钛磁控基膜包括双向拉伸聚酯薄膜和氮化钛溅射层。本发明所制备的氮化钛玻璃窗膜在强光下仍无黑色暗纹，外观质量佳，且具有良好的可见光透过率、高紫外线阻隔率和红外线阻隔率，隔热效果好，可作为汽车侧后挡窗膜，提升汽车品质。
氮化玻璃窗及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201110208142.3有效
发明人：胡敏达;王冬江;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括:提供衬底，且衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成硬掩膜层；硬掩膜层包括氮化钛层和形成在氮化钛层上的氮化硼层。硬掩膜层的厚度为200埃~500埃。氮化硼层的厚度大于氮化钛层的厚度。本发明的利用改进的硬掩膜层的刻蚀方法所采用的硬掩膜层为双层化合物结构，即硬掩膜层包括氮化钛层和形成在氮化钛层上的氮化硼层，利用氮化硼层中的压应力来弱化氮化钛层中的拉应力对器件结构所产生的影响，从而减小器件结构的线形形变此外，由于氮化硼层的刻蚀选择比较高，因而可以进一步保证半导体器件的可靠性。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]工具机床使用的耐磨耗精密夹头-CN200610080778.3有效
发明人：林原禾 -专利权人：铨宝工业股份有限公司
申请日： 2006-05-17 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： B23B31/02 文献下载
摘要：一种工具机床使用的耐磨耗精密夹头，主要于该夹头表面包覆一层镀钛硬膜或者氮化锆硬膜；该镀钛硬膜可为氮化钛(TiN)硬膜、碳化钛(TiC)硬膜、碳氮化钛(TiCN)硬膜、或氧化钛(TiO)硬膜；据以增加该夹爪的耐热性
工具机床使用耐磨精密夹头

[实用新型]工具机床使用的耐磨耗精密夹头-CN200620115836.7无效
发明人：林原禾 -专利权人：铨宝工业股份有限公司
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： B23B31/02 文献下载
摘要：一种工具机床使用的耐磨耗精密夹头，该夹头表面包覆有一层镀钛硬膜或者氮化锆硬膜；该镀钛硬膜可为氮化钛(TiN)硬膜、碳化钛(TiC)硬膜、碳氮化钛(TiCN)硬膜、或氧化钛(TiO)硬膜；据以增加该夹爪的耐热性
工具机床使用耐磨精密夹头

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