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[发明专利]一种闪存存储器的制作方法-CN200810044004.4有效
发明人：吕煜坤;孙娟;袁苑 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-25 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存存储器的制作方法，在形成栅极氮化硅侧墙之后包括以下步骤：1)在硅片表面淀积第一层氧化膜；2)对第一层氧化膜层进行反刻，在栅极结构上方刻蚀到硬质掩模层，在硅片表面的其他区域刻蚀到硅衬底，形成平缓的氧化膜侧墙；3)然后在硅片表面淀积第二层氧化膜；4)接着进行源漏的离子注入；5)采用湿法刻蚀工艺同时去除第一层氧化膜和第二层氧化膜；6)在硅片表面淀积层间膜薄膜。本发明在不改变器件其他性质的前提下，降低器件的截止电流。
一种闪存存储器制作方法

[发明专利]一种半导体制造方法-CN201410014281.6有效
发明人：张艳旺;王根毅;白晓娜 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制造方法，包括A、提供衬底，在所述衬底正面的终端区形成场限环；B、在所述衬底正面进行有源区光刻刻蚀，形成截止环的刻蚀区域；其特征在于，还包括C、向所述截止环的刻蚀区域进行N+表面注入，形成截止环；D、在所述衬底正面有源区形成沟槽，淀积多晶硅之后，进行P型体区注入；E、进行N+阱光刻，注入，退火，形成N+发射极；F、进行正面金属化及背面金属化处理。采用本发明所述技术方案，在不增加版图的基础上，形成真正意义的截止环，能够有效限制最外侧场限环的展宽，截止环真正起到作用。
一种半导体制造方法

[发明专利]一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件及其制作方法-CN201710470828.7在审
发明人：徐少东;汤益丹;白云;杨成樾;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件制作方法，其中包括在晶圆片表面制作有源区，淀积氧化物层并进行图形化，形成台面区开孔；刻蚀氧化物层以及晶圆片材料，形成终端台面；在终端台面表面淀积氧化物层并进行图形化，形成晶圆片材料凹槽开孔；刻蚀氧化物层和晶圆片材料，形成晶圆片材料凹槽；淀积氧化物层，进行JTE区开孔，形成JTE终端；淀积氧化物层，进行截止环开孔，形成截止环；在器件正面淀积氧化物层形成场氧保护，在器件背面形成阴极
一种基于台面复合 jte 终端结构器件及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅器件终端及其制作方法-CN201710774025.0在审
发明人：田晓丽;白云;杨成樾;汤益丹;陈宏;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅器件终端的制作方法，包括步骤一、在N+‑SiC衬底上生长N‑‑SiC外延层；步骤二、在N‑‑SiC外延层中制备P‑‑SiC JTE区和N型截止环，其中P‑‑SiC JTE区刻蚀有淀积第一钝化层的浅凹槽，N型截止环位于器件终端外缘；步骤三在N‑‑SiC外延层表面制备叠层结构，包括叠放顺序从下依次向上的第二钝化层、多晶硅场板、第三钝化层和金属场板，多晶硅场板和金属场板覆盖P‑‑SiC JTE区以及P‑‑SiC JTE区与N型截止环之间的部分区域，金属场板在远离N型截止环一侧的部分区域直接位于多晶硅场板上，在靠近N型截止环一侧向器件终端外缘方向伸出多晶硅场板。
一种碳化硅器件终端及其制作方法

[发明专利]一种平面VDMOS环区制造方法和系统-CN201410032189.2在审
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种平面VDMOS环区制造方法和系统，包括：完成终端环区的光刻、刻蚀及第一导电类型离子注入；完成截止环区的光刻、刻蚀及第二导电类型离子注入，所述第二导电类型与平面VDMOS有源区导电类型相同，在本发明提供的平面VDMOS环区制造方法和系统中，通过优化环区制作流程，首先完成终端环区的刻蚀及注入，而后再完成截止环区的刻蚀及注入。有效地避免了终端环区侧壁形貌受到截止环区制备过程中去胶不净的影响，改善了终端环区侧壁形貌，解决了器件耐压降低和可靠性不高的技术问题。
一种平面 vdmos 制造方法系统

[发明专利]一种3D NAND闪存的制作方法-CN201710732710.7有效
发明人：刘藩东;何佳;杨要华;张坤;徐强;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND闪存的制作方法，本发明的制作方法通过在形成O/N(Oxide/Nitride)堆叠的交错层叠结构中插入一层多晶硅层，由于多晶硅与氮化硅具有高的选择性，因此可以在不同的步骤和阶段被刻蚀去除；同时，插入的这层多晶硅可以充当沟槽的截止层，并作为硅外延生长的通道，以将硅外延层和多晶硅层连通；因此，通过插入一层多晶硅层的方式可以跳过对于堆叠结构和多晶硅层的刻蚀步骤，从而提高了3D NAND闪存的整体性能
一种 dnand 闪存制作方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法-CN201810094738.7在审
发明人：余强;焦伟;姚鑫;桑雨果;骆菲 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法，在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体（HDP），并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理，利用高密度等离子体（HDP）层的淀积特点，使其填充具备特有形貌：沟槽内中间平坦，沟槽两侧呈尖峰，而后抛弃传统的刻蚀前的平坦化处理，例如化学机械抛光（CMP）进行截止，而是直接湿法刻蚀处理，同时得到顶部隔离层的去除和沟槽内隔离氧化层的目标深度，达到与常规工艺基本相同的工艺目标效果
沟槽场效应晶体管屏蔽栅高密度等离子体隔离氧化层湿法刻蚀制造淀积半导体器件设计形貌化学机械抛光平坦化处理尖峰常规工艺工艺成本工艺目标传统的隔离层刻蚀去除填充平坦截止抛弃应用

[发明专利]一种适用于超导探测器玻璃窗的制备工艺-CN202011076966.5在审
发明人：宋艳汝;杨瑾屏;刘志 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于超导探测器玻璃窗的制备工艺，其特征在于，在玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧切割出芯片边界切割槽一，并完全刻蚀芯片边界切割槽一内的硅或氮化硅及截止层；将玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧与承载晶圆键合；在键合晶圆的硅层一侧刻蚀玻璃窗，并在对应芯片边界切割槽一的位置刻蚀出芯片边界切割槽二，露出截止层；采用氧气等离子体清洗残留的光刻胶；使用有机溶剂分离玻璃窗晶圆与承载晶圆，将含玻璃窗的芯片与玻璃窗晶圆分离。
一种适用于超导探测器玻璃窗制备工艺

[发明专利]一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管-CN202011528257.6在审
发明人：杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管，所述制备方法包括以下步骤：制备一N型半导体衬底，在衬底上形成一N型外延层；在所述N型外延层上场氧形成一热氧化层；通过N+截止环掩模版曝光刻蚀露出N+open离子注入窗口区；在所述N+open的窗口区高能离子注入离子磷；通过PLS主结掩模版曝光刻蚀PLS主结区，并高能离子注入硼；完成后进行高温推进形成P阱与N阱；在器件正面溅射铝，通过金属掩模版曝光刻蚀形成正电极；在正电极表面淀积钝化层，通过钝化层掩模版曝光刻蚀形成器件保护结构；在N型半导体衬底的背面蒸发形成一金属银层，并引出负电极。
一种低压恢复二极管制备方法

[发明专利]一种高频半导体薄膜场效应管及其制备方法-CN201810713580.7在审
发明人：王一鸣;梁广大;宋爱民;辛倩 -专利权人：山东大学苏州研究院;山东大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的高频半导体薄膜场效应管，包括衬底、半导体层、栅介质层、源极、漏极和栅极，栅介质层与栅极之间设置有耐栅极刻蚀液腐蚀的阻隔层。本发明的薄膜场效应管的制备方法包括：a).制备半导体层；b).制备栅介质层；c).沉积阻隔层；d).制备铝薄膜；e).定义器件范围；f).旋涂光刻胶；g).刻蚀沟道；h).刻蚀氧化铝薄膜；i).制备源、本发明的高频半导体薄膜场效应管及制备方法，使用线宽极限为2～3微米的紫外光刻方法，可获得亚微米尺寸长度的沟道，极大降低了制作成本，源、漏极与栅极之间的间隔极窄，没有寄生电容，有效提高了半导体薄膜场效应管的高频截止频率
制备薄膜场效应栅介质层高频半导体半导体层阻隔层漏极高频截止频率半导体薄膜氧化铝薄膜剥离处理场效应管定义器件寄生电容刻蚀沟道紫外光刻光刻胶刻蚀液漏电极铝薄膜沉积衬底沟道刻蚀线宽旋涂源极腐蚀制作

[实用新型]一种中高压IGBT终端-CN201320121922.9有效
发明人：田晓丽;朱阳军;卢烁今;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该终端包括主结、场限环、截止保护环、场板和沟槽；主结、场限环、截止保护环均在N-漂移区内，从主结向截止保护环的方向，依次有场限环和沟槽，在主结、场限环和/或截止保护环上有多个不连续的场板，沟槽截断沟槽所在处的IGBT终端的耗尽层。本实用新型结合了传统场限环终端和截断型终端的优点，一方面使耗尽层在远离主结方向延伸，提高了器件的耐压；另一方面使耗尽层向表面靠近，减小了耗尽层纵向的深度，这就为截断型终端提供了方便，它减小了刻蚀沟槽的深度
一种高压 igbt 终端

[实用新型]一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构-CN201721212412.7有效
发明人：单智发 -专利权人：苏州全磊光电有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs缓冲层、N型DBR层、有源层、氧化限制层、P型DBR层和欧姆接触层，所述N型DBR层由AlGaAs/GaAs系DBR层与(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层两部分组成，所述(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层靠近所述有源层。该VCSEL阵列激光器的外延结构在N型DBR层上增加了(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层，这样在进行台面刻蚀时，当刻蚀到(Al)GaInP层后截止，这样就能保证VCSEL阵列上所有的单颗VCSEL
激光器外延结构衬底源层本实用新型欧姆接触层氧化限制层高度一致输出特性台面刻蚀台面沉积刻蚀良率量产截止保证

[发明专利]一种沟槽侧壁集成SBD结构的FRD器件及其制造方法-CN202111365408.5在审
发明人：胡兴正;钱康;何军;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：该方法包括在衬底上侧依次制作缓冲层和外延层，在外延层内由内向外依次制作P阱、P环和N截止环，在P环和N截止环内端的上侧以及P环内侧至N截止环内端之间的外延层上侧制作场氧层，在P阱及其下侧的外延层内刻蚀形成若干沟槽，在沟槽下侧的外延层内制作P型埋层，在沟槽的底部上侧长氧化层，在氧化层上侧的沟槽的侧壁上制作形成肖特基势垒。本发明结合了SBD二极管和FRD二极管的优点，制作出正向压降低且软快恢复参数优异的快恢复FRD，且在沟槽底部引入P型埋层和氧化层结构，在器件加反向偏压时可引入横向电场，快速夹断，保护肖特基器件结构。
一种沟槽侧壁集成 sbd 结构 frd 器件及其制造方法

[发明专利]一种具有载流子存储层的超结IGBT器件及其制造方法-CN202310045126.X在审
发明人：李昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有载流子存储层的超结IGBT器件及其制造方法，提供两个具有相对主面的N型衬底，外延生长N型外延层；在N型衬底的有源区和终端区上形成载流子存储(CS)层和超结结构；进行离子注入，以在终端区内形成结区以及保护环；形成终端区的阻挡介质层；形成有源区沟槽栅，且在相邻的沟槽栅间设置体区；选择性地注入杂质离子，以在有源区内形成源区，并在终端区内得到截止环；淀积形成层间介质层，刻蚀形成接触孔；淀积金属层，并蚀刻形成源极金属、栅极金属以及截止环金属；制作电场截止层和集电区。本发明在现有IGBT器件基础上，在有源区和终端区增加载流子存储(CS)层和超结结构，并制作最适合器件性能提升的CS层厚度，能够有效提升IGBT器件性能。
一种具有载流子存储 igbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种MEMS麦克风器件及其制造方法-CN202211180911.8在审
发明人：闾新明;鲁列微;徐泽洋;石磊 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS麦克风器件及其制造方法，其中MEMS麦克风器件包括：具有背腔的衬底、形成于衬底上表面且具有与背腔相连通通孔的第一支撑部、形成于通孔内侧衬底上表面的截止环、形成于第一支撑部及截止环上表面的下极板、以及上极板；截止环用于阻挡刻蚀通孔时对第一支撑部的横向刻蚀；下极板包括相互连接的下极板主体部和下极板引出部；上极板形成于下极板主体部的上方且与下极板主体部之间形成空腔。本发明利用截止环将湿法释放工艺停止于截止环内部，规避了因过刻蚀造成的下极板脱落的风险，对于下极板为振膜结构还能够起到释放振膜应力的作用，减小振膜破损的发生。
一种 mems 麦克风器件及其制造方法