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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510448032.2有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内形成有底层金属层；形成覆盖于基底表面以及底层金属层表面的刻蚀阻挡层；形成覆盖于刻蚀阻挡层表面的介质层；形成贯穿介质层的开口，且开口底部暴露出刻蚀阻挡层表面；采用刻蚀气体包括CF3I的干法刻蚀工艺刻蚀位于开口底部的部分厚度的刻蚀阻挡层，且在刻蚀去除部分厚度的刻蚀阻挡层的同时，在开口侧壁表面形成保护层；在形成保护层之后，采用各向同性干法刻蚀工艺刻蚀去除剩余厚度的刻蚀阻挡层，直至暴露出底层金属层顶部表面；在暴露出的底层金属层表面形成导电层，且导电层填充满所述开口。本发明减小底层金属层受到的刻蚀损伤，改善半导体结构的电学性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法-CN202010942523.3在审
发明人：姜东勋;李俊杰;周娜;王佳;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有HARC刻蚀配方只有时间刻蚀步骤而没有EPD刻蚀步骤，和在刻蚀接触孔时，放射出的波长信号太小而导致EPD刻蚀不起作用的问题刻蚀方法包括：提供半导体衬底，其中，半导体衬底中形成有导电部件；在半导体衬底上方由下至上顺序形成刻蚀停止层、待刻蚀层、第一掩模层和第二掩模层；对第二掩模层进行光刻工艺以形成第二掩模层图案；将第二掩模层图案转移到第一掩模层中以形成第一掩模层图案；以及以第一掩模层图案为掩模，刻蚀待刻蚀层和刻蚀停止层以形成接触孔并露出导电部件，其中，待刻蚀层的刻蚀中采用端点检测EPD。实现HARC刻蚀菜单包括改进EPD刻蚀，克服了技术偏见。
一种接触刻蚀方法 dram 制造

[发明专利]干法刻蚀第一金属层的方法-CN201110388943.2无效
发明人：张瑜;黄君;李程 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种干法刻蚀第一金属层的方法，该方法包括：提供一半导体基底；半导体基底上依次沉积刻蚀阻挡层、介电层、介电保护层，金属硬掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层；光刻胶层进行图案化处理，形成图案化的光刻胶层；以图案化的光刻胶层为掩膜，对底部抗反射层和金属硬掩膜层进行刻蚀，形成进行主刻蚀的刻蚀窗口；对所述刻蚀窗口内的介电保护层和介电层进行干法刻蚀，所述刻蚀工艺采用C5F8、Ar和O2作为刻蚀气体，所述C5F8、Ar和O2的流量比为2.2∶50∶1-3∶50∶1，以使刻蚀停止在刻蚀阻挡层；对刻蚀阻挡层进行过刻蚀工艺，去除刻蚀阻挡层，形成铜金属层沟槽。
刻蚀第一金属方法

[发明专利]表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法-CN202111219428.1在审
发明人：孙娟;熊磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法。所述方法包括以下步骤：提供至少一层表面粗糙的多晶硅结构，一层多晶硅结构包括表面粗糙的多晶硅层和覆盖在多晶硅层粗糙面上的介质层，介质层的形貌与多晶硅层的粗糙面形貌一致；使得介质层上形成抗反射层；通过光刻工艺，在反射层上定义出刻蚀图案，刻蚀图案包括刻蚀区和保护区；基于刻蚀图案，进行第一刻蚀，刻蚀去除刻蚀区位置处的抗反射层，形成位于介质层中的第一刻蚀停止面，第一刻蚀停止面表面平滑；基于刻蚀图案，进行各向同性的第二刻蚀，刻蚀去除刻蚀区位置处剩余的介质层；基于刻蚀图案，刻蚀去除刻蚀区位置处的多晶硅层。
表面粗糙多晶结构刻蚀方法

[发明专利]一种带有终端结构的超结MOSFET结构及制备方法-CN201911330747.2在审
发明人：王华;刘学明;赵昕;张文敏;王昊 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种带有终端结构的超结MOSFET结构及制备方法，N+型衬底上表面附着有N型外延层；N型外延层的部分区域加工有多个阵列的P柱；两相邻P柱之间作为N柱；在P柱和N柱的上表面通过浅离子注入一层阱；阱的上表面刻蚀部分区域，在刻蚀区域通过离子注入获得源区；N型外延层上终端区和超结区之间浅离子注入一层P‑区；N型外延层上表面依次淀积二氧化硅层、多晶硅层作为MOSFET结构的栅极；钝化层光刻开孔、淀积获得源极和场限环；N+型衬底的下表面附着有本发明采用深槽截止的方式进行终端结构的制备，槽内填充高阻硅，防止拐角击穿，提高器件的耐压能力。
一种带有终端结构 mosfet 制备方法

[发明专利]柔性显示基板及其制备方法-CN201810053538.7在审
发明人：来春荣;陈航;陈涛;宗记文;李俊峰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：柔性显示基板包括柔性衬底、缓冲层、以及位于柔性衬底与缓冲层之间的刻蚀终点指示层；刻蚀终点指示层用以当干法刻蚀缓冲层时指示刻蚀终点。上述柔性显示基板中，由于刻蚀终点指示层位于柔性衬底与缓冲层之间，刻蚀过程中，当干法刻蚀缓冲层至缓冲层与刻蚀终点指示层的界面时，刻蚀终点能够被抓取。因此，刻蚀过程能够及时停止，避免造成柔性衬底裸露，从而能够避免刻蚀腔室污染，有利于应用。
刻蚀终点缓冲层柔性显示指示层衬底基板干法刻蚀刻蚀过程制备抓取刻蚀腔室时指示裸露污染应用

[发明专利]刻蚀加工方法和装置、半导体器件-CN202310190899.7有效
发明人：龙虎;盛况;吴九鹏;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本公开涉及刻蚀加工方法和装置、半导体器件。该刻蚀加工方法包括：形成覆盖待刻蚀区的第一掩膜层，第一掩膜层沿平行于待刻蚀区的第一方向的各处具有不同的等效刻蚀厚度；及通过第一掩膜层对待刻蚀区进行刻蚀，并对第一掩膜层进行刻蚀，刻蚀步骤包括：通过连续调节刻蚀参数以连续调整第一掩膜层与待刻蚀区的刻蚀选择比，刻蚀参数包括第一刻蚀气体与第二刻蚀气体的浓度比，第一刻蚀气体用于刻蚀第一掩膜层，第二刻蚀气体用于刻蚀待刻蚀区。该刻蚀加工方法可以实现准确形貌的刻蚀加工表面。
刻蚀加工方法装置半导体器件

[发明专利]零层刻蚀方法-CN202110447399.8在审
发明人：姚振海;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请公开了一种零层刻蚀方法，该方法应用于目标芯片产品的制作过程中，零层光刻是在制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，该方法包括：在晶圆上覆盖光阻；通过零层掩模板，以目标产品对应的曝光步长进行曝光，在目标区域曝光出对准图形，零层掩模板上形成有可应用于不同芯片产品的对准图形；进行刻蚀，刻蚀至目标深度；去除光阻。本申请通过在目标芯片产品的零层刻蚀过程中，通过形成有不同可应用于不同芯片产品的对准图形的零层掩模板，基于目标芯片产品对应的曝光步长进行曝光，因此不需要设计目标芯片产品的专用零层曝光掩模板，降低了制造成本
刻蚀方法

[实用新型]原子层刻蚀机-CN202320041868.0有效
发明人：张洪国;刘磊;唐继远 -专利权人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种原子层刻蚀机，包括：腔室；离子源装置，用于在腔室内的整个区域中形成离子束；以及设置在腔室内并用于承载衬底的承载平台；其中，离子源装置包括：射频离子源；以及多级栅网，设置在腔室内
原子刻蚀

[发明专利]一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法-CN202010333514.4在审
发明人：谷志强;吴志浩;车东晨;冯英雄;韩大健;蒋中原;吴愧;许开东;胡冬冬 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，属于半导体加工技术领域。所述GaN基高电子迁移率晶体管异质结包括从上到下依次排列的掩膜材料层、pGaN层、AlGaN层、GaN层和底层材料层，所述方法包括以下步骤：将已经打开掩膜材料层的待刻蚀样品经传送装置传送至反应离子刻蚀机的刻蚀腔，通入第一组刻蚀气体先快速刻蚀大部分pGaN层材料。待第一组刻蚀气体刻蚀结束后，向反应离子刻蚀机的刻蚀腔中通入第二组刻蚀气体慢速刻蚀余下部分pGaN层材料，刻蚀结束后取出样品。本发明所述方法能够选择性刻蚀pGaN并停止在AlGaN层，该刻蚀工艺对AlGaN层的刻蚀量小于2 nm。
一种刻蚀 gan 电子迁移率晶体管异质结方法

[发明专利]改善硅化物阻挡层刻蚀缺陷的方法-CN201811309450.3在审
发明人：吴成龙;罗清威;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善硅化物阻挡层刻蚀缺陷的方法，硅化物阻挡层包含第一阻挡层、第二阻挡层与第三阻挡层，在对所述硅化物阻挡层进行刻蚀时，第一次刻蚀去除所述第三阻挡层，此时所述第二阻挡层作为刻蚀停止层，第二次刻蚀去除所述第二阻挡层，此时所述第一阻挡层作为刻蚀停止层，第三次刻蚀去除所述第一阻挡层。将所述硅化物阻挡层分为三层，所述第二阻挡层与所述第一阻挡层分别作为第一次刻蚀与第二次刻蚀时的刻蚀停止层，能够避免对所述第三阻挡层以及所述第二阻挡层造成过刻蚀，从而有效避免过刻蚀造成的缺陷，由此提高器件性能
阻挡层硅化物阻挡层刻蚀刻蚀停止层去除刻蚀缺陷过刻蚀器件性能三层

[发明专利]铜双大马士革结构形成方法以及半导体器件制造方法-CN201210209089.3无效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在衬底上依次形成第一介质层、第二介质层以及刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上布置第一光刻胶层；利用形成图案的第一光刻胶层来对刻蚀阻挡层进行刻蚀，以在刻蚀阻挡层中形成第一窗口；去除第一光刻胶层；在形成了形成第一窗口的刻蚀阻挡层上依次形成叠加介质层以及刻蚀保护层；在刻蚀保护层上第二光刻胶层；利用形成图案的第二光刻胶层来刻蚀叠加介质层以及刻蚀保护层，从而形成第一凹槽；在刻蚀到达刻蚀阻挡层时，利用刻蚀阻挡层的第一窗口继续进行刻蚀，从而在第一介质层和第二介质层形成与所述第一窗口相对应的第二凹槽；去除第二光刻胶层；利用铜填充刻蚀出来的第一凹槽和第二凹槽。
大马士革结构形成方法以及半导体器件制造

[实用新型]CMOS结构、半导体芯片及电子装置-CN202120286193.7有效
发明人：曹进伟;陈孟邦;卢玉玲;邹云根;蔡文前;张丹丹;肖敏;陈航强;林丽菲 -专利权人：宗仁科技（平潭）股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种CMOS结构、半导体芯片及电子装置，CMOS结构包括：第一金属层；介质层，介质层形成于第一金属层上；以及第二金属层，第二金属层形成于介质层上，第二金属层具有刻蚀槽，刻蚀槽的深度的为H，刻蚀槽的宽度为L，其中，2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸，2μm≤b≤6μm；利于刻蚀槽采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方式刻蚀而成，可采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别对第二金属层刻蚀一部分，以减小刻蚀槽的横向刻蚀尺寸，从而可有效减小因全采用湿法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。
cmos 结构半导体芯片电子装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310376914.3有效
发明人：吴紫阳;文秉述;郑又锡 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分待刻蚀层表面；以所述掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀层进行等离子体刻蚀，在所述待刻蚀层内形成开口，所述等离子体刻蚀的偏置射频功率源输出的射频信号为脉冲信号，所述脉冲信号的占空比随刻蚀深度的增加而减小，当偏置射频功率源打开时，刻蚀部分待刻蚀层并形成刻蚀口，且所述刻蚀口内具有刻蚀副产物，当偏置射频功率源关闭时，所述刻蚀副产物扩散出所述刻蚀口。采用所述等离子体刻蚀工艺所形成的开口尺寸精确均匀，且形成所述开口的刻蚀速率高。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体光刻方法-CN201110225242.7有效
发明人：楼颖颖 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：根据本发明的一种半导体光刻方法包括：第一硬掩膜层涂覆步骤，用于在硅片上涂覆硬掩膜层；光致抗蚀剂层涂覆步骤，用于在硬掩膜层上涂覆光致抗蚀剂层；光致抗蚀剂层刻蚀步骤，用于对光致抗蚀剂层进行刻蚀；硬掩膜层刻蚀步骤，用于利用光致抗蚀剂层刻蚀步骤刻蚀后的光致抗蚀剂层来对硬掩膜层进行刻蚀；第二硬掩膜层涂覆步骤，用于在硬掩膜层刻蚀步骤刻蚀后的图案上涂覆第二硬掩膜层；间隙刻蚀步骤，用于对涂覆有第二硬掩膜层的图案间隙进行刻蚀；以及硅片刻蚀步骤，利用间隙刻蚀步骤刻蚀后的第二硬掩膜层来对硅片进行刻蚀。
半导体光刻方法