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[发明专利]用于高选择性氮化硅蚀刻的改良调配物-CN202080059034.1在审
发明人： D·怀特;D·凯珀;S·迪梅奥 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明的组合物特别可用于3DNAND结构的蚀刻。
用于选择性氮化蚀刻改良调配

[发明专利]使用镍或钴合金制造3D NAND的方法-CN202180046309.2在审
发明人： D·苏尔;V·梅威尔莱克;M·蒂亚姆 -专利权人：麦克德米德乐思公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种使半导体衬底金属化的工艺，特别是用于制造3DNAND存储器。该金属化工艺包括用贵金属如钯来活化介电材料表面的步骤，然后是使用包含金属离子的溶液通过无电工艺沉积镍或钴合金的步骤。
使用合金制造 nand 方法

[发明专利]一种耐擦写低能耗的外接计算机加速设备-CN201410527285.4在审
发明人：张维加 -专利权人：张维加
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：一种耐擦写低能耗的外接计算机加速设备，包含主控芯片及使用高擦写寿命低能耗的材料制作的存储器模块（可以采用相变存储器或3DNAND闪存，或两者的组合），通过外接数据传输接口（如USB或Thunderbolt或PCI-E）连接计算机，在相变存储器或3DNAND闪存中为计算机创建缓存文件，缓存系统与应用程序的常用文件以及预读频繁读写的零散文件，作为高速缓存。
一种擦写能耗外接计算机加速设备

[发明专利]一种提高3DNAND固态硬盘可靠性的方法及装置-CN202210583459.3在审
发明人：缪向水;董晓东;李晨光 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高3DNAND固态硬盘可靠性的方法及装置，涉及数据存储的技术领域，方法包括根据当前空闲物理页的数据保持能力对物理块进行分类，再通过根据写入数据在物理页的存储单元中的存储电荷状态，确定写入数据是低位态数据或高位态数据通过闪存转换层中的逻辑页到物理页的页映射级别算法优化，避免高位态数据存储在数据保持能力较弱的物理页中出错，从而减少长时间存储后出现大量集中性错误的概率，避免大量集中性错误使得纠错模块无法处理，提高3DNAND
一种提高 dnand 固态硬盘可靠性方法装置

[发明专利]W形垂直沟道3DNAND闪存及其形成方法-CN201410079424.1有效
发明人：吴华强;王博;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了W形垂直沟道3DNAND闪存及其形成方法，该方法包括：提供衬底及衬垫层；在衬垫层顶部形成多个凹槽；在多个凹槽中形成多个底层管形通道牺牲层；在衬垫层之上形成绝缘层和控制栅层的叠层结构；在叠层结构中形成多个垂直刻蚀孔本发明可以得到存储器阵列位线长度可以灵活设置的W形垂直沟道3DNAND闪存，电学性能良好。
垂直沟道 dnand 闪存及其形成方法

[发明专利]一种3DNAND闪存堆叠结构的制备方法及3DNAND闪存-CN201711167871.2在审
发明人：陈子琪;吴关平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND闪存堆叠结构的制备方法及3D NAND闪存，所述制备方法包括如下步骤沉积衬底堆叠结构，包括提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及金属栅极层，所述金属栅极层形成于相邻的层间介质层之间；刻蚀衬底堆叠结构，即刻蚀所述层间介质层及金属栅极层以形成沟道孔；形成沟道侧壁堆叠结构，即在所述沟道孔的侧壁表面上沉积存储层、沟道层和沟道介质层堆叠结构，且使得所述存储层与金属栅极层形成界面接触。本发明方法避免传统工艺所带来的晶圆翘曲导致的沉积位置不准确，金属层厚度不一致，填充困难等缺陷，大幅降低工艺成本，且金属栅极层具有更好的导电性能和力学性能。
一种 dnand 闪存堆叠结构制备方法

[发明专利]三维存储器件及其制作方法-CN202080002372.1在审
发明人：张中;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：在一个方面中，一种3DNAND存储器件包括衬底、核心区、隔离区、层堆叠体、沟道结构和隔离结构。每一核心区被隔离区中的一者或多者包围。
三维存储器件及其制作方法

[发明专利]高纵横比3D NAND架构中的钨字线填充-CN202280005328.5在审
发明人：埃里卡·玛克辛·陈;罗伯特·麦金尼;拉维·韦兰基;劳伦斯·施洛斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：NF3可以从充气体积递送以促进3DNAND结构的从上到下的均匀处理。用于填充字线特征的设备包含单独的气体区域。
纵横 nand 架构中的钨字线填充

[发明专利]3DNAND闪存的形成方法-CN201511031524.8在审
发明人：张金霜;曹恒 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：一种3D NAND闪存的形成方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底上形成底层复合层；形成贯穿底层复合层厚度的第一凹槽；在第一凹槽中形成填充体层后，形成覆盖填充体层和底层复合层的顶层复合层；在顶层复合层和底层复合层中形成通孔后，在通孔中形成栅介质层和沟道层；形成覆盖顶层复合层、栅介质层和沟道层的第二绝缘层；去除填充体层正上方的第二绝缘层和顶层复合层，形成第二凹槽，然后去除所述填充体层，暴露出第一凹槽；之后，去除底层复合层中的第一牺牲层和顶层复合层中的第二牺牲层，形成开口；在开口中形成控制栅后，在凹槽中形成源线结构。所述方法能避免第一凹槽的宽度过小，从而避免控制栅与源线结构之间发生击穿。
dnand 闪存形成方法

[发明专利]3DNAND闪存的制作方法-CN201410490109.8有效
发明人：高晶;王晶;肖胜安 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提出了一种3D NAND闪存的制作方法，在形成多晶硅之前先形成一层隔离介质层，使形成多晶硅时多晶硅在隔离介质层上生长的速率和结晶颗粒大小一致，此外，在形成存储介质层之前，先对多晶硅的侧壁进行修复处理，能够降低多晶硅侧壁的粗糙度，从而使后续的存储介质层与多晶硅保持良好的接触，进而提高3D NAND闪存的性能。
dnand 闪存制作方法

[发明专利]3DNAND闪存的形成方法-CN201410490099.8有效
发明人：高晶;王晶;冉春明;肖胜安 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明提出了一种3D NAND闪存的形成方法，在第一刻蚀后，增加第二刻蚀去除阵列串侧壁的多余的导体层，且侧向蚀刻存储层形成存储层凹槽，之后形成阻挡介质层，以削弱存储层之间的扩散效应，从而避免存储层之间出现互联现象，此外，在隔离介质层被研磨之后，增加快速热退火工艺能够修复刻蚀中等离子体引入的损伤。
nand 闪存形成方法

[发明专利]一种基于标记层的3D NAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法-CN202210552386.1在审
发明人：魏德宝;吴艳;朴哲龙;乔立岩;冯骅;彭喜元 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于标记层的3DNAND型闪存块粒度阈值电压分布感知方法，首先在数据存储的初期离线获取块中的标记层，并将其记录到存储元数据区域，在数据存储的周期中，可以通过对标记层的感知快速获取块粒度的阈值电压分布
一种基于标记 nand 闪存粒度阈值电压分布感知方法

[发明专利]3DNAND闪存结构及其制作方法-CN201410491328.8有效
发明人：高晶;肖胜安 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明提出了一种3D NAND闪存结构及其制作方法，在相邻的阵列串之间的衬底内形成隔离层和CSL，通过引入深掩埋隔离层的方法提供阵列串间的有效隔绝，从结构根本上阻断热电子漂移的通道，可以有效的降低存储阵列串的互扰现象，从而可以很好的提高产品的编程和擦除循环的可靠性。
nand 闪存结构及其制作方法

[发明专利]一种3D NAND及其制作方法-CN201910923963.1在审
发明人：陈亮;刘威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：通过第一金属部将金属层中的第一金属部和第一半导体衬底电性连接，通过第二金属部将金属层中的第二金属部和通孔中导电层电性连接，其中，通孔中的导电层、介质层与第一半导体衬底之间形成电容，使得电容位于衬底内，占据3DNAND
金属部衬底半导体电容导电层介质层金属层极板通孔金属导电层电性衬底区域电性连接闲置区域占用占据申请制作

[发明专利]3D NAND存储器的分割块阵列-CN202210316579.7在审
发明人：河昌完;迪帕克·蒂姆戈达;高焄;理查德·M·古拉特;刘浏;大卫·梅亚德;阿萨努尔·拉赫曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：存储器设备的一个实施例可以包括3D NAND串存储器单元的下部瓦片的整块存储器阵列、3DNAND串存储器单元的上部瓦片的整块存储器阵列、耦合到下部瓦片的整块存储器阵列的串驱动器电路的第一部分、耦合到上部瓦片的整块存储器阵列的串驱动器电路的第二部分
nand 存储器分割阵列

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