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[实用新型]一种有利于散热的肖特基二极管封装结构-CN202321300380.1有效
发明人： 付国振;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有利于散热的肖特基二极管封装结构，其包括：肖特基芯片、封装基体、散热板和绝缘固定座，所述绝缘固定座设置在封装基体中，所述绝缘固定座的底部延伸至封装基体的底面，所述散热板设置在绝缘固定座的顶部并位于封装基体的顶面，所述绝缘固定座正面内凹设置有与肖特基芯片对应的定位槽，所述肖特基芯片设置在定位槽中，所述散热板底部设置有向下延伸的导热板，所述绝缘固定座的底面内凹设置有定位孔。本实用新型所述的有利于散热的肖特基二极管封装结构，通过将绝缘固定座置于封装基体的注塑模具中，通过绝缘固定座进行肖特基芯片的定位，利用散热板提升了位置精度和散热效果。
一种有利于散热肖特基二极管封装结构

[发明专利]一种可快速关断的LIGBT及其制备方法-CN202211473926.3在审
发明人： 付国振;周炳;赵承杰 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种可快速关断的LIGBT及其制备方法，LIGBT包括从左至右设置的发射极、P‑base区、栅极、N‑漂移区、场氧化层、缓冲层N‑buffer、浮空欧姆接触、N+型多晶硅、P+型多晶硅、Collector电极，本发明的LIGBT在阻断态时，势垒区产生的电子全部经过多晶硅二极管到达Collector电极，使得器件击穿电压不再受基区开路的P‑N‑P晶体管的影响，在关断时，漂移区的电子可以经过多晶硅二极管到达Collector电极而不会有空穴注入，所以器件可以实现快速关断。
一种快速 ligbt 及其制备方法

[发明专利]一种结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202211593032.8在审
发明人：赵承杰;周炳;付国振 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括由下至上依次设置的阴极金属层、N+衬底、N‑外延层、氧化层及阳极金属层，所述N‑外延层的上表面上沿横向方向依次间隔设置有多个P型半导体区，每个所述P型半导体区与N‑外延层间形成一PN结，每个所述PN结均呈正六边形结构，相邻两个PN结之间设置有肖特基势垒金属，所述肖特基势垒金属设置在N‑外延层的上表面上。本发明的肖特基二极管具有高耐压、高频、漏电小、损耗低等特点。
一种结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种带有场限环结构的肖特基二极管及其制备方法-CN202211547769.6在审
发明人：赵承杰;周炳;付国振 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有场限环结构的肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括层叠设置的背面金属、N+衬底、N‑外延层、初氧层、正面金属，所述N‑外延层的上表面的中心设置有有源区，有源区的两侧为终端区，所述有源区内设置有多个依次间隔设置的P型半导体区，每个所述P型半导体区与N‑外延层间形成一PN结，相邻两个P型半导体区之间的N‑外延层的上表面上设置有势垒金属，两侧的所述终端区内均设置有多个场限环。本发明的肖特基二极管具有开启电压低、导通电流大、通态压降小、抗浪涌能力强等特点。
一种带有场限环结构肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种银面快恢复二极管及其制备方法-CN202211568650.7在审
发明人： 付国振;周炳;赵承杰 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种银面快恢复二极管及其制备方法，该快恢复二极管包括依次层叠设置的背面金属层、N型衬底、氧化层、氮化硅保护层、正面金属层，所述N型衬底的上表面由中心向外侧依次为主结区和终端区，所述终端区远离主结区的一侧设置有N型截止环，所述N型截止环的外侧边与N型衬底的外侧边相齐平，所述主结区的上表面上还设置有一层铂掺杂层。本发明的快恢复二极管其加工工艺简单、可靠性高，生产成本低。
一种银面快恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种1200V搭配IGBT模块的续流二极管及其制备方法-CN202211461222.4在审
发明人： 付国振;周炳;赵承杰 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种1200V搭配IGBT模块的续流二极管及其制备方法，其制备方法包括：步骤1）在N型衬底的正面，采用环版光刻腐蚀，通过高能离子注入硼并在预设温度Ⅰ下退火形成高掺杂P+环区；步骤2）在N型衬底的正面主结区，采用有源区版光刻腐蚀，通过高能离子注入硼并在预设温度Ⅱ下退火激活形成轻掺杂P‑区；步骤3）在轻掺杂P‑区，采用N‑buffer版光刻腐蚀，通过高能离子注入磷并退火激活，在轻掺杂P‑区的下表面设置N‑buffer区。采用该制备方法得到的二极管具有快而软的反向恢复特性以及较好的温度系数。
一种 1200 搭配 igbt 模块二极管及其制备方法

[实用新型]一种消防用火灾探测报警装置-CN202121540431.9有效
发明人：熊巍;姚浩伟;付国振 -专利权人：河南汉威智慧消防科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G08B17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉一种消防用火灾探测报警装置，包括底座和探测器本体，底座为圆筒结构，包括顶端的固定板，固定板下侧中心处设置有固定结构，固定结构包括连接柱和条状物；底座的侧壁下端设置有至少一组挂槽，与挂槽对应装配的扣槽设置在探测器本体上，通过旋转探测器本体，使得扣槽旋转至挂槽上侧，之后相互扣合。探测器本体的顶端设置有顶板，顶板的下侧面设置与向下凸出于顶板的凸台，凸台上开设有与固定结构装配的通槽，凸台的下端设有与条状物卡设的固定槽。通过固定槽和条状物的配合，不仅能将探测器本体挂设到底座上，还能防止探测器本体转动；而且只需旋转探测器本体既可完成装配，避免用力拆装造成底座松动的问题。
一种消防火灾探测报警装置

[实用新型]一种天然气泄漏智能告警装置-CN202121093342.4有效
发明人：姚浩伟;熊巍;付国振 -专利权人：河南汉威智慧消防科技有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G08B21/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及天然气泄漏告警装置的技术领域，特别是涉及一种天然气泄漏智能告警装置，其通过设置此设备，可以采用多种告警方式来对工作人员进行告警，从而可以使工作人员及时发现天然气泄漏；包括柜体、控制器、合页、柜门、连接架、告警屏、信号传输器、多组信号线、连接杆和检测器，控制器安装在柜体内部，柜门通过合页安装在柜体前端，柜门左端设置有报警灯和蜂鸣器，告警屏通过连接架安装在柜体顶端，报警灯、蜂鸣器和告警屏的输出端以及信号传输器的输入端分别通过多组信号线与控制器连接，连接杆安装在柜体底端，检测器安装在连接杆上，检测器输出端通过信号线与控制器连接。
一种天然气泄漏智能告警装置

[实用新型]一种双面散热半导体IGBT管-CN202120214287.3有效
发明人：周炳;王啸;付国振;薛芳峰 -专利权人：德兴市意发功率半导体有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双面散热半导体IGBT管，包括集电插针A、集电插针B、集电插针C和IGBT管主体，所述IGBT管主体的下端安装有集电插针A、集电插针B和集电插针C，所述集电插针A位于集电插针B的左侧，通过在该半导体IGBT管的三个集电插针顶端外部增加有一个新型的插针加固装置，该新型的插针加固装置在不影响到整个半导体IGBT管正常安装操作的基础上又能够对三个集电插针起到加固与防折断作用，三个集电插针顶端通过该新型的插针加固装置进行加固之后既不会影响到集电插针的正常弯折，又能够对集电插针的固定端起到加固作用，从而能够在安装该半导体IGBT管时可根据安装需求及时进行调整，且又不会损伤到整个半导体IGBT管。
一种双面散热半导体 igbt

[实用新型]一种碳化硅二极管场限环终端结构-CN202023208121.5有效
发明人：杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种碳化硅二极管场限环终端结构，包括：碳化硅N型半导体衬底，在N型外延层靠顶部设置JTE主结区，在所述JTE主结区的附近设置四个附加的外侧P‑环，JTE主结区和外侧P‑环的结深为0.5‑1微米，JTE主结区的宽度为20‑30微米，所述外侧P‑环的环间距为2‑3微米，环宽为4‑8微米，所述JTE主结区的顶部部分覆盖设置正面金属，所述正面金属的另一部分设置在所述的N型外延层的顶部，所述碳化硅N型半导体衬底的底部设置背面金属。通过设置JTE主结区和外侧P‑环，当JTE主结区区域被耗尽时，外侧附加的四个外侧P‑环也会被包围进入N型漂移区的耗尽区，P‑环内部被部分耗尽，JTE主结区的利用率变高，有效提高终端效率并获得较高的电压，而且掺杂浓度可控。
一种碳化硅二极管场限环终端结构

[实用新型]一种超级结碳化硅二极管元胞结构-CN202023208124.9有效
发明人：杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种超级结碳化硅二极管元胞结构，包括：碳化硅N型半导体衬底，所述碳化硅N型半导体衬底上设置N型外延层，在所述N型外延层的顶部设置一对平行的沟槽，所述沟槽呈倒置等腰梯形状，所述沟槽内填充绝缘介质，所述N型外延层对应所述沟槽的外壁处设置P型掺杂区，所述P型掺杂区、所述绝缘介质及所述N型外延层的顶部设置阳极层，所述碳化硅N型半导体衬底的底部设置阴极层。通过上述设计，采用超级结技术路线，利用深槽刻蚀、倾斜高能离子注入、电介质回填沟槽方式便于加工，器件结构中P型和N型电荷的电荷平衡易控制，工艺的简单实现成本随之降低。
一种超级碳化硅二极管结构

[发明专利]一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺-CN202011528189.3在审
发明人：杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺，包括以下步骤：S10.在二极管的表面通过金属掩模版曝光刻蚀正面金属铝层；S20.在金属铝层上沉积一层等离子PE氮化硅层，通过钝化掩膜版曝光各向同性干法刻蚀等离子PE氮化硅层，形成器件终端表面钝化结构；S30.在器件终端表面钝化结构上蒸发一复合金属钛镍银层；S40.通过金属掩模版曝光刻蚀复合金属钛镍银层，形成器件银面正电极。与传统各项异性干法刻蚀相比保证了复合金属钛镍银TI‑NI‑AG与金属铝在器件终端处的粘附性，避免了金属钛镍银的脱落，同时此方案成本低。
一种碳化硅二极管表面钝化加工工艺

[发明专利]一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管-CN202011528257.6在审
发明人：杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管，所述制备方法包括以下步骤：制备一N型半导体衬底，在衬底上形成一N型外延层；在所述N型外延层上场氧形成一热氧化层；通过N+截止环掩模版曝光刻蚀露出N+open离子注入窗口区；在所述N+open的窗口区高能离子注入离子磷；通过PLS主结掩模版曝光刻蚀PLS主结区，并高能离子注入硼；完成后进行高温推进形成P阱与N阱；在器件正面溅射铝，通过金属掩模版曝光刻蚀形成正电极；在正电极表面淀积钝化层，通过钝化层掩模版曝光刻蚀形成器件保护结构；在N型半导体衬底的背面蒸发形成一金属银层，并引出负电极。在保证特性不变的条件下省略孔层次的工艺，从而提高产品生产效率，降低器件的生产成本。
一种低压恢复二极管制备方法

[发明专利]一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管-CN202011532080.7在审
发明人：杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 -专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管，其制备方法包括以下步骤：制备一二氧化硅‑氮化镓‑氮化镓铝外延片衬底，依次淀积氮化铝层和二氧化硅层；曝光刻蚀氮化铝层和二氧化硅层，露出二维电子气的位置；内镀上一层二氧化硅层；曝光刻蚀露出氮化镓铝层，形成源极孔和漏极孔；沉积一复合金属钛铝镍金层；曝光刻蚀掉步骤S10中的二氧化硅层，露出氮化铝层形成一个栅极引线孔，淀积一铝层，形成氮化镓器件的异质结；顶部镀上一层二氧化硅层作为绝缘层，并曝光刻蚀该二氧化硅层露出源极孔和漏极孔；沉积一铝层，形成氮化镓异质结二极管器件源极和漏极。通过以上方法制得的二极管功率密度输出高，能量转换效率高，可使系统小型化、轻量化。
一种氮化镓异质结二极管制备方法

[发明专利]共享库升级方法及装置-CN201710127929.4有效
发明人： 付国振 -专利权人：北京安博通科技股份有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G06F8/60 文献下载
摘要：本申请公开了一种共享库升级方法及装置，其中，所述方法包括：当检测到目标共享库覆盖原共享库的操作时，将所述目标共享库加载到系统内存；确定当前正在使用的所述原共享库中的函数；从所述目标共享库中读取所述函数的存储地址；使用所述存储地址替换预设置的所述函数对应的地址；当替换完成全部所述函数的地址时，将所述原共享库从所述系统内存中删除。本发明实施例的技术方案，能够在不影响程序运行的状态下，删除原共享库，以实现共享库在系统内存中的动态替换，从而能够避免设备重启，进而不仅能够节省共享库升级的时间，还能够保持当前所有的业务进程持续执行，提高业务进程的执行效率。
共享升级方法装置

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