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[发明专利]集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法-CN202010235416.7有效
发明人：李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法。所述低压超结DMOS结构包括主MOS管、启动MOS管、采样MOS管和多晶电阻；主MOS管的漏极、采样MOS管的漏极与启动MOS管的漏极连接在一起，主MOS管的栅极与采样MOS管的栅极连接，启动MOS管的栅极经所述多晶电阻与启动MOS管的漏极连接，各MOS管的源极经接触孔与有源区金属相连并接零电位，各MOS管之间设置隔离结构，隔离结构通过深槽形成。本发明将采样、启动功能和功率DMOS集成，提高电路的集成度，降低电路中启动损耗和电流采样损耗，从而降低待机功耗，提高能源转换效率。
集成启动采样低压 dmos 结构制备方法

[发明专利]集成启动管、采样管和二极管的DMOS结构及其制备方法-CN202010235837.X有效
发明人：李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了集成启动管、采样管和二极管的DMOS结构及其制备方法。所述DMOS结构包括主MOS管、启动MOS管、采样MOS管、多晶电阻和二极管，主MOS管、启动MOS管和采样MOS管的漏极连接在一起，采样MOS管的栅极连接主MOS管的栅极，启动MOS管的栅极经所述多晶电阻与所述二极管的阴极连接，二极管的阳极连接启动MOS管的漏极；各功能区之间设置隔离结构，所述隔离结构通过场氧化层和Ring注入方式实现。本发明将采样、启动、二极管功能与功率DMOS集成，提高电路的集成度，同时可以降低电路中启动损耗和电流采样损耗，从而降低待机功耗，提高能源转换效率。
集成启动采样二极管 dmos 结构及其制备方法

[发明专利]集成电压采样功能的沟槽型MOSFET及其制造方法-CN202310836234.9有效
发明人：李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电压采样功能的沟槽型MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层上制作形成设置采样沟槽，在采样沟槽内制作第一导电类型的多晶硅，对采样沟槽内的部分多晶硅的上端注入第二导电类型的元素，在有源区的外延层上制作形成第二导电类型的体区，并在终端区的外延层上制作形成第二导电类型的阱区，同时使部分多晶硅的上端变为第二导电类型的多晶硅，将金属层刻蚀形成源极金属、栅极金属、栅极总线金属、连接金属、采样金属和截止环金属。本发明在常规的沟槽MOSFET上集成电压采样功能，将采样功能区放在终端区域，不影响芯片面积，成本更低；可采样器件的浪涌电压，以避免损坏器件，提高电路系统的可靠性和稳定性。
集成电压采样功能沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种基于物联网技术的配电辅助监测预警系统-CN202310548067.8在审
发明人：沈庆成;王蒙;胡兴正;韩伟先 -专利权人：江苏中工智能装备研究院有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于物联网技术的配电辅助监测预警系统，具体涉及监测预警领域，包括企业区域划分模块、设备数据采集模块、设备数据预处理模块、设备数据处理模块、气体浓度监测模块、气体浓度预处理模块、气体浓度处理模块、数据预警分析模块、配电辅助评估模块、网络通信模块、企业物联网安全数据库模块，本发明提供一种基于物联网技术的配电辅助监测预警系统，采集各监测子区域的参数数值，通过物联网技术实现对配电系统的远程监测、处理与评估，进一步分析得到设备性能监测系数，与预设的设备性能监测系数阈值进行对比，精确识别出状态异常区域，采取必要措施，避免故障扩大，降低企业运营成本，有助于企业制定更加科学的管理策略和决策。
一种基于联网技术配电辅助监测预警系统

[发明专利]一种配电室辅助监控系统-CN202310697591.1在审
发明人：沈庆成;王蒙;胡兴正;韩伟先 -专利权人：江苏中工智能装备研究院有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H02G1/16 文献下载
摘要：本发明涉及配电室监控技术领域，且公开了一种配电室辅助监控系统，包括丝杆和第一伺候电机，第一伺候电机的输出轴与丝杆的一末端进行固定套接，丝杆和第一伺候电机均安装在配电室的内壁上，且第一伺候电机的输出轴带动与之固定套接的丝杆正向或反向转动，丝杆的表面活动连接有漏电监测机构；本发明通过设有漏电监测模块和定位监测部及位移组件和缠绕组件，有利于通过漏电监测模块与主电缆表面相接触且对主电缆表面进行漏电探测，当检测到漏电位置存在，将缠绕组件移动至漏电所在位置，控制缠绕组件对漏电所在处的电缆表层位置，进行包裹处理，实现了在电缆出现表层橡胶套层发生龟裂时，能够对破损处进行自动包扎，避免持续漏电。
一种配电辅助监控系统

[发明专利]一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法-CN202110707129.6有效
发明人：李加洋;陶瑞龙;吴磊;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：滁州华瑞微电子科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法，涉及半导体的技术领域，旨在解决现有技术中SBD结构占用大量硅表面面积，导致芯片面积大、成本高且工艺控制难度较大的问题。其技术方案要点是在元胞区设置第一类沟槽，在终端区环绕元胞区设置有截止环结构，在终端区设置有位于第一类沟槽和截止环结构之间的若干个第二类沟槽，位于N型外延层顶部设置有位于相邻的至少两个第二类沟槽之间的肖特基结构，肖特基结构包括有同时跨越至少两个第二类沟槽的金属条，金属条底壁向下延伸出嵌入对应第二类沟槽的突出部，金属条与N型外延层形成肖特基接触，金属条与源极金属电气连接。本发明达到了节约芯片面积、工艺简单、降低成本的效果。
一种集成 sbd 沟槽终端结构及其制备方法

[发明专利]一种集成SBD结构的SGT MOSFET及其制作方法-CN202310145778.0有效
发明人：陶瑞龙;李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成SBD结构的SGT MOSFET及其制作方法。该方法包括在外延层上刻蚀形成多个沟槽，所述沟槽包括多个呈间隔设置的第一沟槽，两个相邻的第一沟槽设为一对，每对的两个第一沟槽一侧之间设有第二沟槽；在第一沟槽内制作控制栅多晶硅时，并在第二沟槽内同步制作形成源极多晶硅，在刻蚀形成连接孔时，同时将同属一对的两个第一沟槽上侧之间的介质层和屏蔽氧化层刻蚀掉，使得源极金属与同属一对的两个第一沟槽上侧之间外延层形成SBD结构。本发明可以大大节省芯片面积，大幅度降低寄生二极管的反向恢复时间，提高开关频率，降低开关损耗，改善栅极位置的电场峰值，避免栅氧提前击穿，提升外延纵向电场分布的均匀性。
一种集成 sbd 结构 sgt mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法-CN202110589057.X有效
发明人：许超;何军;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：滁州华瑞微电子科技有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及超结器件领域，公开了一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法，其技术方案要点是在超结MOS器件上集成有SBR二极管，超结MOS器件包括N型外延层、N型衬底片，N型衬底片的外侧设置有蒸发层；N型外延层的表面有第一氧化层，N型外延层的外侧内部设置有深沟槽，深沟槽内填设有P型掺杂部，N型外延层在对应于MOS有源区的位置形成P型体区部；在P型体区部外侧设置有栅氧化层，栅氧化层的外侧有多晶层，在P型体区部的外侧边沿和栅氧化层边沿两侧下方之间设置有源极结构层，多晶层和源极结构层的外侧沉积设置有介质层；介质层进行开孔，开孔的孔底溅射设置势垒金属并形成势垒层，在开孔位置和介质层的外侧设置有金属层。
一种集成 sbr 损耗高压器件及其制备方法

[发明专利]一种基于两层光罩的沟槽MOSFET及其制造方法-CN202211556239.8有效
发明人：薛璐;李加洋;吴磊;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于两层光罩的沟槽MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层的表面淀积一层二氧化硅层，然后第一步刻蚀形成沟槽的上端部分，第二步刻蚀形成沟槽的下端部分，所述沟槽的上端部分侧壁向外倾斜设置，终端区内的相邻的两个沟槽的下端部分之间的距离为a，有源区内的相邻的两个沟槽的下端部分的中部之间的距离为b，a＜b，且其两端延伸至终端区内，并与终端区内用以引出gate的沟槽连接，有源区内的相邻的两个沟槽的下端部分的两端之间的距离缩小。本发明通过刻蚀工艺调整沟槽的形貌，以及结合版图结构设计，仅需两层光罩即可实现传统沟槽MOSFET的性能；工艺简单，可与传统工艺兼容，可减少制作成本。
一种基于两层光罩沟槽 mosfet 及其制造方法

[实用新型]一种智能垃圾箱控制系统-CN202222319579.0有效
发明人：王蒙;胡兴正;胡兴家;韩伟先;杨勇 -专利权人：江苏中工智能装备研究院有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B65F1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能垃圾箱控制系统，包括主控制模块，所述主控制模块上连接有称重模块、刷卡登录模块、管理云平台模块、传感器模块、自动开门模块、人体感应模块、照明模块、监控模块和定位模块；所述称重模块位于垃圾箱底部，采用悬臂梁式安装，并将数据发送至主控制模块；所述刷卡登录模块位于垃圾箱中部，并安装有触摸显示屏；通过分类投递垃圾，随后对分类的垃圾进行精确称重，并产生积分的方式，可提高积分获取的准确性和实时性，同时通过积分可以进行物品的兑换，调动了居民主动进行垃圾分类投递的积极性。
一种智能垃圾箱控制系统

[实用新型]一种配电辅助监控及运检系统-CN202222437546.6有效
发明人：王蒙;胡兴正;杨勇;褚彬;宋伟光 -专利权人：江苏中工智能装备研究院有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G08B19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种配电辅助监控及运检系统，包括主机、传感器装置、配电房基础装置及水泵；所述主机内嵌采集模块，且所述采集模块连接管理平台；所述传感器装置包括臭氧传感器，所述臭氧传感器连接所述主机；所述配电房基础装置包括排风机，所述排风机与所述主机连接；所述水泵连接所述主机。本实用新型采利用集模块，可同时接入多路传感器，并根据接入的传感器数量，自主采用轮询的方式，获取传感器数据，确保获取的及时性和准确性，一旦发现报警，自动控制排风机运行，及时通过管理平台通知运检人员，确保人员的安全和环境的清洁。
一种配电辅助监控系统

[实用新型]无线语音通话器主机-CN202221283472.9有效
发明人：沈庆成;杨勇;胡兴正 -专利权人：江苏庆亚电子科技有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了无线语音通话器主机，包括主控电路，所述主控电路连接有高清电话电路、麦克风电路、扬声器电路、液晶显示屏接口电路、触控屏接口电路、储存器电路、LORA模块电路、复位电路、晶振电路、USB接口电路、充电指示电路、调试按钮电路、电量采集电路、滤波电路、LED电路、调试串口电路；此对讲机使用LORA通信；LORA调制解调器采用专用的扩频调制和前向纠错技术，具有更强的抗干扰能力，保证了数据包传输的准确性，具有更好的通信质量；此对讲机通过设置房间号或名称来识别不同的分机，同时具有语音存储与回放功能，实现了不同场景的应用需求。
无线语音通话主机

[发明专利]一种优化高温特性的沟槽器件及其制造方法-CN202211180942.3有效
发明人：陶瑞龙;李加洋;胡兴正;薛璐 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化高温特性的沟槽器件及其制造方法。该方法包括在第一介质层的上侧及第一连接孔内制作形成第一金属层，第一金属层经刻蚀形成与N阱连接的第一极板，并在第二介质层上刻蚀形成第二连接孔；在第二介质层的上侧及第二连接孔内制作形成第二金属层，第二金属层经刻蚀形成第二极板，第二极板的内端设置在第一极板的上侧，以与第一极板和第二介质层配合形成平行板电容器结构，第二极板的外端与场板连接。本发明通过设置第一极板和第二极板构成平行板电容器结构，在不显著增加加工成本的前提下，可实现功率器件与平行板电容器的集成，提高器件的耐压能力。
一种优化高温特性沟槽器件及其制造方法

[发明专利]一种提高栅极驱动能力的器件及其制作方法-CN202210673465.8有效
发明人：钱康;何军;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高栅极驱动能力的器件及其制作方法。该方法包括在衬底上侧制作外延层；在外延层内制作形成多个P型的Ring区；在外延层的上侧生长场氧层并刻蚀；在无场氧层覆盖的外延层上侧生长栅氧化层，并在栅氧化层的上侧沉积P型元素掺杂的多晶硅，然后刻蚀形成多晶硅电阻、PMOS的多晶硅栅、NMOS的多晶硅栅和VDMOS的多晶硅栅；在外延层的外端制作形成VDMOS截止环区，同时在Ring区内制作形成NMOS截止环区、NMOS源区和VDMOS源区，且对NMOS的多晶硅栅和VDMOS的多晶硅栅进行注入掺杂。本发明的器件可快速启动，延时关断，消除高频震荡，增加器件稳定性，降低功率损耗，降低封装成本。
一种提高栅极驱动能力器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、高精度过温保护电路-CN202210419414.2有效
发明人：何军;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、高精度过温保护电路。该方法包括在衬底的上侧制作外延层；通过Ring注入操作和Ring推阱操作将外延层划分出终端区、主MOS元胞区、二极管区以及设置在主MOS元胞区与二极管区之间的隔离区；对未被多晶硅阻挡的主MOS元胞区和二极管区依次进行第二导电类型元素的注入和退火操作，以在二极管区内制作出二极管的阳极，所述二极管的阳极与其下侧的外延层和衬底配合形成二极管结构。本发明可使过温保护监测精度更高，客户可根据自身需求进行定制化设计；可使过温保护灵敏度更高；过温保护监测电路的可靠性更优；集成度更高，成本更低，更适合轻型化、小型化发展方向。
一种半导体器件及其制作方法高精度保护电路

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