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- [发明专利]一种低熔点铝合金材料及其制备方法-CN202310749843.0在审
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姚小飞;杨巍;吕煜坤;刘永勤;陈建
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西安工业大学
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2023-06-25
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2023-08-29
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C22C1/02
- 本发明公开了一种低熔点铝合金材料及其制备方法，涉及铝合金材料设计与制备技术领域。本发明要降低铝合金的熔点，克服现有铝合金熔点高，热浸镀铝合金的浸镀温度高，热浸镀铝合金镀层制备生产能耗高的问题，减小热浸镀对基体组织和性能的影响。本发明的技术方案为：分别按配比制备出AlZn合金和SnPb合金；再将所制备出的AlZn合金和SnPb合金按配比制备AlZnSnPb合金。本发明制备的AlZnSnPb系铝合金的最低熔点仅为356.83℃，熔化温度范围为：356.83℃~377.60℃，即液相点为377.60℃，固相点为356.83℃。该制备方法有效降低了铝合金熔点，进而降低热浸镀铝合金的浸镀温度，有效降低热浸镀铝合金镀层制备生产的能耗，提高热浸镀铝合金镀层质量，促进热浸镀铝合金镀层更广泛的应用。
- 一种熔点铝合金材料及其制备方法
- [发明专利]一种等离子体刻蚀的方法-CN201810604623.8有效
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刘庆;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升
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上海华力微电子有限公司
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2018-06-13
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2021-04-02
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H01L21/3065
- 本发明涉及集成电路制造技术领域，公开了一种等离子体刻蚀的方法，所述等离子体刻蚀的方法包括以下步骤：S1：前批次晶圆在等离子体刻蚀机台的反应腔室中进行等离子体刻蚀作业；S2：对反应腔室进行清洁，同时从静电吸附盘的氦气管道向反应腔室通入氦气；以及S3：后批次晶圆在反应腔室中进行等离子体刻蚀作业。本发明通过对反应腔室进行清洁的同时，从静电吸附盘的氦气管道向反应腔室通入氦气，以减少清洁工艺过程中，聚合物从氦气管道口进入氦气管道中，有利于改善在整个清洁工艺中聚合物对氦气管道的污染，从而降低了由于氦气管道污染造成的后续批次晶圆的刻蚀不良，同时有利于提高机台的利用率，提高生产效率，降低机台的成本。
- 一种等离子体刻蚀方法
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