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[发明专利]一种形成阶梯区的方法和一种半导体器件及3D NAND-CN202010217713.9有效
发明人：冯冠松;张珍珍;张磊;汤召辉;郭静 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明提供一种形成阶梯区的方法和半导体器件及3D NAND，所述半导体器件包括衬底和形成在所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括多个复合层，每一所述复合层均包括第一介质层及其上的第二介质层，所述方法包括：在堆叠层顶部形成一顶部介质层；在顶部介质层上开一贯穿所述顶部介质层的开口；提供一种与所述顶部介质层不发生反应的刻蚀剂；使刻蚀剂进入开口中，刻蚀剂向下刻蚀打开顶层复合层，并在反应腔室的侧壁形成第一台阶结构；下层复合层刻蚀：使刻蚀剂进入反应腔室内，使刻蚀剂在向下刻蚀打开下一层复合层，在反应腔室侧壁形成第二台阶结构；重复下层复合层刻蚀直至阶梯区刻蚀完毕后去除顶部介质层。
一种形成阶梯方法半导体器件 nand

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310558078.4在审
发明人：周玉;胡胜;林飞;章安娜;毕会仁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一晶圆，晶圆形成有顶层金属层，刻蚀停止层覆盖顶层金属层，刻蚀停止层为至少两层堆叠的结构；形成键合层于刻蚀停止层上；刻蚀键合层，且刻蚀停止于刻蚀停止层的非最底层结构中，以形成通孔；填充保护层于通孔中；刻蚀去除通孔中的部分保护层和通孔侧壁顶部的键合层，以在通孔顶部形成沟槽；去除剩余的保护层；刻蚀去除通孔底面的刻蚀停止层，以暴露出顶层金属层；填充金属层于沟槽和通孔中，金属层与顶层金属层连接
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710630144.9有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成第一刻蚀停止层，包括氮化铝层、以及位于氮化铝层上的氧化铝层；在第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层，包括碳氧化硅层、以及位于碳氧化硅层上的碳氮化硅层由于氧化铝层与碳氧化硅层之间的粘附性较好，与直接在氮化铝层上形成碳氮化硅层的方案相比，可以减小第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层交界面处材料之间的差异性，从而提高第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层之间的粘附性，进而防止第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层出现分层甚至分离的问题。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610119159.0有效
发明人：元琳;高颖;刘玉丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种通孔刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；在所述通孔刻蚀基底上沉积牺牲层；刻蚀所述牺牲层；沉积填充层，所述填充层覆盖牺牲层及所述通孔刻蚀基底；执行一热氧化或氮氧化制程；在热氧化或氮氧化后的所述填充层上沉积介质层；去除覆盖牺牲层上表面的所述介质层和热氧化或氮氧化后的所述填充层；刻蚀牺牲层，形成通孔。通过在刻蚀后的牺牲层上预先沉积一填充层，以密封沉积牺牲层时在其内部产生的孔洞，进而通过一热氧化或氮氧化制程形成部分或全部通孔侧壁层，可在刻蚀所述牺牲层时不再存在所述通孔侧壁层材料形成的阻挡层，去除此通孔刻蚀开路缺陷
刻蚀方法

[发明专利]提高刻蚀均匀性的方法-CN202211263109.5在审
发明人：张猛;吴方锐;张鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种提高刻蚀均匀性的方法，提供衬底，衬底上形成有多个栅极结构；栅极结构包括依次叠加的栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间具有功函数层；其中，部分不同栅极结构中的功函数层的厚度不同；利用功函数层相对于金属栅高选择比的第一刻蚀气体刻蚀每个功函数层；利用金属栅相对于功函数层高选择比的第二刻蚀气体刻蚀每个金属栅。本发明通过先刻蚀功函数层，再刻蚀金属栅，对功函数层的侧向刻蚀减少，提高了刻蚀均匀性。
提高刻蚀均匀方法

[发明专利]固态成像装置、其制造方法及用于固态成像装置的衬底-CN200580020604.1有效
发明人：福吉健藏;石松忠;绪方启介;中尾充宏;内堀明子 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2005-06-16 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种具有光电转换装置的固态成像装置的制造方法，该方法包括：1)形成多个在颜色上彼此不同的滤色器；2)在滤色器上形成透明树脂层；3)在透明树脂层上形成刻蚀控制层，能够以与透明树脂层的刻蚀速率不同的刻蚀速率刻蚀该刻蚀控制层；4)通过使用易热流树脂材料在刻蚀控制层上形成透镜母版；5)通过干法刻蚀将透镜母版的图案转移到刻蚀控制层以形成中间微透镜；以及6)通过干法刻蚀将中间微透镜的图案转移到透明树脂层以形成转移透镜。
固态成像装置制造方法用于衬底

[发明专利]接触孔的形成方法-CN200910084636.8有效
发明人：张海洋;王新鹏;符雅丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-05-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔的形成方法，包括步骤：提供半导体基底，其包括导电层、所述导电层上的刻蚀停止层、所述刻蚀停止层上的层间介质层；对所述层间介质层进行第一刻蚀，使得在所述层间介质层中形成通孔；对所述刻蚀停止层进行第二刻蚀，使得在所述刻蚀停止层中形成通孔；所述第二刻蚀的刻蚀气体包括：CH2F2、O2、N2，以及氟碳比大于2的气体。本发明的接触孔的形成方法，减少了对半导体基底的接触孔底部的导电层的损伤。
接触形成方法

[发明专利]一种刻蚀方法-CN201510996470.2在审
发明人：李俊杰;李俊峰;杨清华;刘金彪;贺晓彬 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的干法刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成掩蔽材料；对掩蔽材料和待刻蚀层进行干法刻蚀；对掩蔽层横向刻蚀(平行于衬底表面)与对待刻层纵向刻蚀(垂直与衬底表面)同时进行，通过精确控制上述两者速率比来获得相应的刻蚀坡面倾斜角度(坡面与衬底表面的夹角)。该方法可以大范围(0°～90°)灵活调节刻蚀坡面倾斜角度，尤其在小刻蚀坡面倾斜角度(<20°)应用领域较常规刻蚀方法具有优势。
一种刻蚀方法

[发明专利]硅通孔制作方法-CN200910198458.1无效
发明人：陈晓军;陈宇涵;刘煊杰;傅焕松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔制作方法，包括在硅片表面淀积介质层，在开始金属互连工艺之前，该方法还包括：在介质层表面淀积刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成待刻蚀的光刻胶图形，并刻蚀掉未被光刻胶图形保护的区域上的刻蚀阻挡层和介质层；去除所述光刻胶图形；在刻蚀阻挡层的保护下刻蚀硅衬底，得到硅通孔；去除刻蚀阻挡层。应用本发明所述的方法，能够避免硅通孔的制作过程对介质层造成影响。
硅通孔制作方法

[发明专利]接触孔的形成方法-CN201210138204.2无效
发明人：杨渝书;李程;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔的制作方法，在第一绝缘层和层间介质层之间增加中间停止层，在刻蚀过程中，利用刻蚀气体对层间介质层和中间停止层的刻蚀选择比，实现不同位置上接触孔的刻蚀深度不同，使随后对中间停止层以及刻蚀停止层的刻蚀工艺中，栅极区域和源漏区域上具有相同的刻蚀距离，保证栅极区域和源漏区域上的金属硅化物刻蚀能基本同时进行，最终使栅极区域上的金属硅化物损失和源漏区域基本相同。
接触形成方法

[发明专利]无金属阻挡层的铜后道互连工艺-CN201110194242.5有效
发明人：朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明无金属阻挡层的铜后道互连工艺解决了现有技术中金属连线过程中由于存在金属层刻蚀阻挡层残留导致的整体电容上升，进而导致电容延迟时间长的问题，淀积金属层刻蚀阻挡层后，依靠光刻、刻蚀首先去除非金属导线区域的多余金属层刻蚀阻挡层，随后淀积金属绝缘介质，再次光刻、刻蚀金属导线槽，并移除置于金属导线槽下部的剩余金属层刻蚀阻挡层，最终实现无金属层刻蚀阻挡层的铜互连工艺。
金属阻挡铜后道互连工艺

[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法-CN202010438454.2有效
发明人：程洋;王俊;谭少阳;苟于单 -专利权人：四川大学;苏州长光华芯光电技术股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一表面上形成外延层，制得外延片；在外延片上形成脊形图形掩膜层；将形成脊形图形掩膜层的外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀；通入第二气体，在外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层；去除外延片上的脊形图形掩膜层；其中，保护气及第二气体为非含氧气体。通过将形成脊形图形掩膜层的外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀，从而可以使得外延层在刻蚀时，刻蚀面及刻蚀壁不会被氧化；且在刻蚀完成后，在外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层，可以进一步通过防氧化层将刻蚀面及刻蚀壁遮盖的方式防止外延片在拿出反应室后刻蚀面及刻蚀壁被空气氧化
一种半导体激光器及其制作方法

[发明专利]光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法-CN201010298454.3有效
发明人：谷典明;中村久三;清田淳也;铃木寿弘;三村寿文 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14)，在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时，利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行，然后，利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24)，利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域，得到光掩模。将各层(11)～(14)全部形成之后，进行使用了刻蚀液的刻蚀，所以，不存在颗粒的附着。
光掩模坯光掩模以及制造方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀方法和刻蚀装置-CN201911358079.4在审
发明人：苏兴才;吴紫阳;秦阿宾 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀方法和刻蚀装置，包括：提供待刻蚀器件，所述待刻蚀器件包括衬底、依次位于所述衬底上的待刻蚀层和掩膜层，所述掩膜层暴露出所述待刻蚀层的待刻蚀区域；采用刻蚀气体产生的等离子体对所述待刻蚀层的待刻蚀区域进行刻蚀，所述刻蚀气体包含第一气体，所述第一气体包括C4HxFy气体，其中，x≥1、由于C4HxFy气体对掩膜层具有极低的刻蚀速率，因此，在采用C4HxFy气体产生的等离子体对掩膜层底部的待刻蚀层进行刻蚀时，可以形成具有较高深宽比的通孔结构
一种等离子体刻蚀方法装置

[发明专利]一种带有过刻蚀阻挡层的MEMS结构及其制备方法-CN202011507466.2有效
发明人：张乐民;刘福民;梁德春;崔尉;李娜;刘宇;马骁;杨静 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有过刻蚀阻挡层的MEMS结构及其制备方法，包括上层器件层、底层衬底层和中间的锚区层，通过衬底层和器件层晶圆键合与刻蚀技术，形成由锚区支撑的可动质量块结构。与传统SOG结构的带电极引出的可动质量块结构相比，本发明在器件层底部生长过刻蚀阻挡金属层，当刻蚀深度达到器件层厚度时，过刻蚀阻挡层能阻挡进一步刻蚀，避免损伤衬底层，且不会产生反溅。与在衬底电极层表面生长刻蚀阻挡层相比，该过刻蚀阻挡层具有更好的阻挡效果，且能避免刻蚀聚合物沉积在结构底部；完成结构加工后通过湿法腐蚀等方式选择性去除过刻蚀阻挡层，即可得到最终需要的MEMS产品结构。
一种带有刻蚀阻挡 mems 结构及其制备方法