[发明专利]杂质的导入方法及其装置和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 96122849.0 | 申请日： | 1996-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1154569A | 公开（公告）日： | 1997-07-16 |
| 发明（设计）人： | 水野文二;中冈弘明;高濑道彦;中山一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 向真空槽内导入惰性或反应性气体，以良好的效率产生杂质，以在固体样品的表面部分上形成高浓度的杂质层。在真空槽内保持杂质固体和固体样品。向真空槽内导入Ar气以形成等离子体。给杂质固体加上使其对于等离子体变成阴极的电压，用等离子体中对杂质固体溅射以使其中的硼混入等离子体中，给固体样品加上使其对于等离子体变成为阴极的电压，把已混入等离子体中的硼导入固体样品的表面部分中去。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质 导入 方法 及其 装置 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种杂质导入方法，其特征是具备有下述工序：在真空槽内，保持含有杂质的杂质固体和将要导入上述杂质的固体样品的工序；向上述真空槽的内部导入惰性或反应性气体并产生由该惰性或反应性气体形成的等离子体的工序；给上述杂质固体加上使该杂质固体对于等离子体变成为阴极的那样的电压，用上述等离子体中的离子对上述杂质固体进行溅射，以此使含于该杂质固体中的杂质混入到由上述惰性或反应性气体形成的等离子体中去的工序；给上述固体样品加上使该固体样品对于等离子体变成为阴极的那样的电压，使已混入到上述等离子体中去的上述杂质导入上述固体样品的表面部分上去的工序。
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- 本公开实施例中提供扩散方法及太阳能电池制作方法，扩散方法包括至少两步扩散工艺，每步扩散工艺还包括如下步骤：在将硅片放入扩散炉的情况下，向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散，对扩散炉内进行升温，使磷向硅片内部推进，基于升温末端温度对扩散炉内进行降温，并在降温时通入氧气以对硅片进行变温含氧推进，在经过至少两步通源推进过程之后，对扩散炉内进行降温之后，打开扩散炉取出硅片。在变温含氧推进过程中，通过降温，可以降低磷扩散速度，有利于形成浅结，同时提高扩散均匀性。同时，通过降温，较低的温度能够让杂质更好地分凝到吸杂区域，提高对于硅片的吸杂作用，减少硅片内部的复合中心，提升太阳能电池的光电转换效率。
- 一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法-201711057735.8
- 梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 - 天津环鑫科技发展有限公司
- 2017-11-01 - 2023-05-23 - H01L21/228
- 本发明涉及一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，多重扩散，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中扩散步骤采用硅磷一次性负压扩散，并采用湿法制绒，铂扩散采用涂铂源，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作FRGPP芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；FRGPP芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
- 一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺-201711059107.3
- 梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 - 天津环鑫科技发展有限公司
- 2017-11-01 - 2023-05-23 - H01L21/228
- 本发明公开了一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷硼一次扩散制绒，对扩散前处理后的硅片一面扩散磷扩散源，另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源，并进行硅片制绒；S2铂扩散，对磷硼一次扩散制绒后的硅片扩散铂扩散源。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
- 具有外延层特性的SiC衬底的制备方法及SiC衬底-202310050190.7
- 廖奇泊;颜亮;马志勇;尚金燕 - 北京绿能芯创电子科技有限公司
- 2023-02-01 - 2023-05-16 - H01L21/22
- 本发明提供了一种具有外延层特性的SiC衬底的制备方法及SiC衬底，包括：步骤1：通过顶部籽晶助熔剂法中调控SiC台阶流生长方向来制备的无掺杂SiC衬底；步骤2：通过中子嬗变掺杂控制掺杂浓度与方向，对无掺杂SiC衬底进行掺杂，得到掺杂SiC衬底；步骤3：对掺杂SiC衬底进行激光退火或超高温退火，得到SiC衬底。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
