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- [发明专利]晶圆表面粗糙化方法及半导体器件的制备方法-CN202310525028.6有效
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陈忠奎
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粤芯半导体技术股份有限公司
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2023-05-11
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2023-07-21
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H01L21/228
- 本发明提供一种晶圆表面粗糙化方法及半导体器件的制备方法。粗糙化方法包括步骤：S1：提供待处理的晶圆，采用包含硝酸和氢氟酸的第一混合液对晶圆进行抛光刻蚀；S2：于晶圆表面形成磷酸扩散层；S3：采用包含磷酸、硝酸和氢氟酸的第二混合液对晶圆形成有磷酸扩散层的表面进行粗糙化刻蚀，其中，第一混合液和第二混合液具有不同的刻蚀性能；S4：对完成粗糙化刻蚀的晶圆进行表面清洁。本发明在进行晶圆表面粗糙化处理前，先于晶圆表面形成磷酸扩散层，使得粗糙化过程中，硝酸根离子和氟离子经过扩散层扩散到硅表面波峰和波谷的时间不一样，从而减小波峰和波谷的高低差，且使氧化反应速度减慢，锐角和棱边变得平滑，有助于器件性能的提升。
- 表面粗糙方法半导体器件制备
- [实用新型]一种环保纸塑产品生产用干燥装置-CN202320879263.9有效
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刘滔;王超;陈忠奎
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江苏众禾新材料科技有限公司
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2023-04-19
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2023-07-14
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F26B9/06
- 本实用新型公开了一种环保纸塑产品生产用干燥装置，包括干燥箱和第一干燥架。通过设置限位装置、限位块、圆形柱、弹簧、限位孔和控制拉环的配合使用，解决了现有纸塑产品加工的流程是，首先纸塑从纸浆模塑成型机出来后，置于纸塑干燥架的表面，之后干燥架输送至高温干燥箱内烘干，随后通过整形机对纸塑产品进行形状修整，通常干燥架需要人工推动并调整准确位置至干燥箱内腔的轨道，避免干燥架脱离移动轨迹，然而纸塑产品烘干的数量较多，多次推动干燥架并调整方位较为浪费人力不够便捷，且干燥架之间通过金属链条进行连接易使两个干燥架移动产生碰撞，对纸塑产品产生影响，但是现有的纸塑产品干燥箱没有对纸塑产品进行便捷干燥的构件的问题。
- 一种环保产品生产干燥装置
- [发明专利]晶圆热应力仿真模型的建模方法-CN202310384151.0有效
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韩瑞津;陈忠奎;曾辉
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粤芯半导体技术股份有限公司
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2023-04-12
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2023-06-27
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G06F30/23
- 本发明提供一种晶圆热应力仿真模型的建模方法，建模方法包括：建立几何模型，模型包括衬底以及设置于衬底正面的多个沟槽，于衬底正面、沟槽的顶部、侧壁和底部以及衬底背面设置氧化硅薄膜，几何模型中的衬底正面、沟槽的顶部、侧壁和底部以及衬底背面的氧化硅薄膜厚度依据在预设生长条件中的氧化硅薄膜的实际生长规律设置；对几何模型进行网格剖分，以形成多个模型单元；对模型单元分三个阶段进行参数设置，计算各模型单元在特定沟槽参数下的形变曲率，并整合得出在所述特定沟槽参数下所述几何模型的热应力模型。本发明可有效模拟晶圆的马鞍形翘曲并获得造成马鞍形翘曲的主要因素，为在实际生产中解决晶圆马鞍形翘曲提供准确的指导。
- 晶圆热应力仿真模型建模方法
- [发明专利]金属互连线及其制造方法-CN202310076788.3有效
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陈忠奎;孟凡顺
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粤芯半导体技术股份有限公司
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2023-02-08
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2023-04-28
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H01L21/768
- 本发明提供了一种金属互连线及其制造方法，所述金属互连线的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有金属层，所述金属层包括铝层；采用含氯气体对所述铝层进行主刻蚀，以去除部分厚度的所述铝层并产生AlCl3；采用所述含氯气体和含氟气体对剩余厚度的所述铝层进行梯度过刻蚀，以去除剩余厚度的所述铝层后形成铝互连线，在所述梯度过刻蚀过程中逐步增加所述含氟气体的比例，以将所述AlCl3置换为AlF3；采用NH4F溶液浸泡所述晶圆，以去除所述AlF3。本发明的技术方案能够完全去除铝互连线刻蚀之后残留在铝互连线表面的氯离子，以防止铝互连线发生腐蚀。
- 金属互连及其制造方法
- [实用新型]一种发动机主轴承盖及发动机-CN202122531247.4有效
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张杰坤;陈忠奎;郑泽;卢响;邓刚;石彦明
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安徽华菱汽车有限公司
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2021-10-20
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2023-01-06
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F16C35/00
- 本实用新型公开了一种发动机主轴承盖，包括主轴承盖本体，主轴承盖本体设有两个安装孔和两个定位销孔，两个安装孔和两个定位销孔一一对应设置，且两个定位销孔位于两个安装孔的中心线的连线的同一侧。当主轴承盖本体的安装方位正确时，当两个定位销孔与发动机缸体上的两个定位销对准插入时，使两个安装孔正好对准发动机缸体上的安装位置；当主轴承盖本体的安装方位不正确，其旋转180°装反时，当两个定位销孔与发动机缸体上的两个定位销对准插入时，两个安装孔将无法对准发动机缸体上的安装位置，无法实现主轴承盖本体与发动机缸体的连接。从主轴承盖本体的结构本身来防止发动机主轴承盖装反，避免因人为因素影响造成发动机主轴承盖错装。
- 一种发动机主轴承发动机
- [发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN202210526030.0有效
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陈忠奎;陈超;邓辉
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2022-05-16
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2022-08-26
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H01L21/027
- 本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底内具有若干第一深沟槽；在所述第一衬底上形成第一光阻层，所述第一光阻层充满所述第一深沟槽；对所述第一光阻层进行第一曝光工艺；减薄所述第一光阻层直至露出所述第一衬底，保留所述第一深沟槽内的所述第一光阻层；在所述第一衬底上形成第二光阻层；对所述第二光阻层及所述第一光阻层进行第二曝光工艺及显影工艺，以除去第一衬底上的部分第二光阻层及对应的第一深沟槽内的第一光阻层。通过第一光阻层充满第一深沟槽，为第二光阻层的形成提供平坦的表面，提升第二光阻层各处厚度的均匀性，进而提升第二光阻层内部应力的均匀性，避免产生裂缝。
- 一种半导体结构制备方法
- [发明专利]半导体器件的制备方法-CN202111566892.8有效
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陈忠奎;胡良斌;唐斌;薛英武
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2021-12-21
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2022-06-03
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H01L21/02
- 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：在晶圆第一表面的沟槽内壁形成场氧化层，在晶圆的第一表面和第二表面沉积掺杂多晶硅层，并在选定温度下同时对两表面的掺杂多晶硅层进行氧化和退火工艺，氧化特定厚度的掺杂多晶硅层形成多晶硅氧化层，然后去除第一表面上的多晶硅氧化层及部分掺杂多晶硅层，至沟槽内掺杂多晶硅层的厚度符合器件性能要求。本发明在晶圆两表面沉积一定厚度的掺杂多晶硅层，对特定厚度的掺杂多晶硅层进行氧化的同时对掺杂多晶硅层进行退火，通过控制退火温度和氧化厚度，调节深沟槽晶圆在沟槽延伸方向和沟槽排列方向的翘曲度差异及深沟槽晶圆的整体翘曲度，解决了300mm晶圆上实现大规模量产深沟槽产品的瓶颈问题。
- 半导体器件制备方法
- [发明专利]一种晶片干燥方法-CN202210228871.3在审
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唐斌;陈忠奎;朱红波;乐海威
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2022-03-10
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2022-04-12
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F26B5/16
- 本发明提供一种晶片干燥方法，该方法在干燥槽内通入弱酸性水溶液，将晶片放入所述干燥槽内并浸泡在所述弱酸性水溶液内，往所述干燥槽内通入氮气及异丙醇蒸汽并排出所述弱酸性水溶液以实现晶片的干燥，其中，所述晶片表面具有刻蚀孔或刻蚀槽，所述刻蚀孔或所述刻蚀槽的底部显露出金属互连线，所述金属互连线的材质包括铝或铝铜合金。本发明的晶片干燥方法中，由于干燥槽内的液体采用弱酸性水溶液，可以阻止纯水水解提供氢氧根离子，从而阻止金属铝的腐蚀，防止金属连接处出现空洞异常而影响品质，最终提高互连金属线连接处的可靠性。本发明的晶片干燥方法并未引入其它的杂质或化学液，干燥成本低廉，可以进行大规模推广。
- 一种晶片干燥方法
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