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[发明专利]一种硅片自动涂源生产线-CN201710879417.3有效
发明人：董文一;魏文博;钟瑜;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;甄辉;齐风;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏;徐艳超 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片自动涂源生产线，包括涂硼装置、第一烘干炉、涂磷装置、第二烘干炉和洒粉单元，涂硼装置与第一烘干炉之间、第一烘干炉与涂磷装置之间、涂磷装置与第二烘干炉之间、第二烘干炉与洒粉单元之间均设有第一转运机械手，第一烘干炉的下游一端设有硅片翻转机构。该硅片自动涂源生产线自动化程度高，硅片涂源的多个过程自动进行，无需配备大量专人人工操作，失误率低，涂敷效率高，涂料均匀，产品合格率高。
一种硅片自动生产线

[发明专利]一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法-CN201711057735.8有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，多重扩散，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中扩散步骤采用硅磷一次性负压扩散，并采用湿法制绒，铂扩散采用涂铂源，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作FRGPP芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；FRGPP芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
一种采用印刷工艺制作 frgpp 芯片方法

[发明专利]一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺-CN201711059107.3有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷硼一次扩散制绒，对扩散前处理后的硅片一面扩散磷扩散源，另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源，并进行硅片制绒；S2铂扩散，对磷硼一次扩散制绒后的硅片扩散铂扩散源。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种 frgpp 芯片玻钝前多重扩散工艺

[发明专利]一种扩散用硼铝源及其配置方法-CN201811587334.8有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供一种扩散用硼铝源，包括重量百分比为8‑30％的硼源，重量百分比为1‑5％的铝源，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置扩散用硼铝源的方法，将硼源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼源溶液；将铝源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得铝源溶液；将所述过饱和的硼源溶液与所述铝源溶液混合。本发明提供的扩散用硼铝源的配置方法简单易操作，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr(反向恢复时间)值，硅片扩散合格率高，有效提升硅片性能质量。
一种扩散用硼铝源及其配置方法

[发明专利]一种硼铝源及其配置方法-CN201811587338.6有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供了一种硼铝源，包括重量百分比为8‑25％的硼化合物，重量百分比为1‑3％的铝化合物，重量百分比为0.2‑1％的硅化合物，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置硼铝源的方法，将硼源原料和溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼化合物溶液；将铝源原料和溶剂放入同一容器中，制得铝化合物溶液；将硅化合物原料和溶剂放入同一容器中，制得硅化合物；将过饱和的硼化合物溶液、铝化合物溶液和硅化合物溶液混合。本发明提供的硼铝源的配置方法，加入二氧化硅使制得的硼铝源变得更浓稠，更易涂匀，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr值，扩散合格率高，提升硅片电性能。
一种硼铝源及其配置方法

[发明专利]一种采用印刷工艺制作单向TVS芯片的方法-CN201711057472.0有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用印刷工艺制作单向TVS芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，二次扩散制绒，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中硼扩散步骤采用负压扩散，并采用湿法制绒或激光制绒，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作单向TVS芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；单向TVS芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
一种采用印刷工艺制作单向 tvs 芯片方法

[发明专利]一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法-CN201710615726.X有效
发明人：徐长坡;王彦君;孙晨光;陈澄;武卫;梁效峰;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏;徐艳超;杨玉聪;张庆东 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，扩散制绒，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中扩散步骤采用硅磷一次性负压扩散，并采用湿法制绒，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作GPP芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；GPP芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
一种采用印刷工艺制作 gpp 芯片方法

[发明专利]一种干法打砂清洗工艺-CN201711057486.2有效
发明人： 黄志焕;李亚哲;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种干法打砂清洗工艺，包括依次进行以下步骤：S1：对打砂后的硅片进行超声清洗；S2：对超声清洗后的硅片进行超声后处理；S3：对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，使得硅片在干法打砂后进行清洗更加方便快捷，清洗效率高，采用超声清洗，将干法打砂后硅片表面的杂质清洗干净，超声清洗后采用硅刻蚀液或氢氟酸进行清洗，对硅片表面进行腐蚀，去除硅片表面因机械应力造成的应力损伤层，去除硅片表面的颗粒杂质，采用清洗剂清洗，将腐蚀后的硅片表面的杂质清洗干净，使得硅片表面清洁度达到生产规格要求。
一种干法打砂清洗工艺

[发明专利]一种硅片扩散后清洗工艺-CN201711057485.8有效
发明人： 黄志焕;李亚哲;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片扩散后清洗工艺，具体包括以下步骤，S1：对扩散后的硅片进行酸处理；S2：对所述酸处理的硅片进行混酸处理；S3：对所述混酸处理的硅片进行有机溶剂处理。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，使得硅片在扩散后的清洗更加方便快捷，使得硅片表面的清洁度更易达到生产规格的要求，依次采用氢氟酸清洗、纯水清洗、混酸清洗和纯水清洗，不但能够将硅片表面扩散后的磷硅玻璃和硼硅玻璃去掉，并将扩散后的硅片进行分离，同时能够将硅片表面的杂质清洗干净，使得硅片表面的清洁度达到生产规格要求，为后续工序做好准备，采用无水乙醇对硅片进行清洗，使得硅片表面减少颗粒杂质的吸附，进一步保证硅片表面的清洁度。
一种硅片扩散清洗工艺

[发明专利]一种双向TVS芯片玻钝前双面扩散工艺-CN201711059126.6有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向TVS芯片玻钝前双面扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1双面扩散，硅片表面覆扩散源并扩散；S2制绒，使得硅片表面的粗糙度增加，为硅片后续玻钝工艺中保护胶的涂覆提供涂覆基础。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面印刷硼扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种双向 tvs 芯片玻钝前双面扩散工艺

[发明专利]一种缩短三扩散片扩散时间的工艺-CN201711057816.8有效
发明人： 黄志焕;李亚哲;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供一种缩短三扩散片扩散时间的工艺，包括以下步骤：将清洗后的扩散片放置于预扩散用的容器内并进行摆片，将清洗后的扩散片进入预扩散炉中进行预扩散，将预扩散完成后的扩散片进入主扩散炉中进行主扩散，对主扩散完成后的扩散片进行主扩散后处理，对完成主扩散后处理的扩散片在预扩散炉内进行二次预扩散，对完成二次预扩散的扩散片在主扩散炉内进行二次主扩散，对二次主扩散完成后的扩散片进行出炉测试。本发明的有益效果是对扩散片进行两次预扩散和主扩散，可以大幅度的缩短扩散片的扩散时间，使得扩散片的主扩时间由原来的130～150h,缩短为70～90h，提高了扩散效率。
一种缩短扩散时间工艺

[发明专利]一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺-CN201711057754.0有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷扩散，对硅片表面预沉积磷扩散源并扩散；S2硼扩散，以印刷的方式涂布在所述硅片的待扩硼面涂硼源并扩散；S3制绒，使得硅片表面的粗糙度增加，为硅片后续玻钝工艺中保护胶的涂覆提供涂覆基础。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片待扩硼面印刷硼扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种单向 tvs 芯片玻钝前二次扩散工艺

[发明专利]一种硅片玻钝前液态源扩散工艺-CN201710615672.7有效
发明人：李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;钟瑜 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片玻钝前液态源扩散工艺，包括如下步骤：对双面减薄后放入硅片扩散前处理，处理后的硅片进行印刷扩散源，采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；将硅片相同扩散源的面相对进行叠片装舟；在扩散炉内进行低压扩散并进行扩散后处理，扩散后处理后进行硅片表面制绒。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种硅片玻钝前液态扩散工艺

[发明专利]一种硅片激光与酸液结合制绒工艺-CN201711057483.9有效
发明人：李亚哲;黄志焕;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片激光与酸液结合制绒工艺，包括对激光制绒后的硅片进行酸性溶液制绒。本发明的有益效果是对扩散后的硅片进行激光制绒，在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅，提高硅片表面的粗糙度，且采用激光制绒，制绒步骤简单，设备投入成本少；通过酸性溶液对激光制绒后的硅片进行湿法腐蚀，使得硅片表面的粗糙度进一步增大，使得保护胶不易脱落，具有较大的附着力。
一种硅片激光结合工艺

[发明专利]一种硅片激光与碱液结合制绒工艺-CN201711059127.0有效
发明人：李亚哲;黄志焕;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片激光与碱液结合制绒工艺，包括以下步骤：S1：对扩散后的硅片进行激光制绒；S2：对激光制绒后的硅片进行碱性溶液制绒。本发明的有益效果是采用按一定比例配置的玻璃腐蚀液去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，为激光制绒做好准备，采用激光制绒工艺，其制作过程简便快捷，且不受使用环境限制；通过激光制绒，在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅，提高硅片表面的粗糙度，且采用激光制绒，制绒步骤简单，设备投入成本少；通过碱性溶液对激光制绒后的硅片进行湿法腐蚀，使得硅片表面的粗糙度进一步增大，使得保护胶不易脱落，具有较大的附着力。
一种硅片激光结合工艺

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