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[发明专利]一种硅片自动涂源生产线-CN201710879417.3有效
发明人：董文一;魏文博;钟瑜;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;甄辉;齐风;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏;徐艳超 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片自动涂源生产线，包括涂硼装置、第一烘干炉、涂磷装置、第二烘干炉和洒粉单元，涂硼装置与第一烘干炉之间、第一烘干炉与涂磷装置之间、涂磷装置与第二烘干炉之间、第二烘干炉与洒粉单元之间均设有第一转运机械手，第一烘干炉的下游一端设有硅片翻转机构。该硅片自动涂源生产线自动化程度高，硅片涂源的多个过程自动进行，无需配备大量专人人工操作，失误率低，涂敷效率高，涂料均匀，产品合格率高。
一种硅片自动生产线

[发明专利]一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法-CN201711057735.8有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，多重扩散，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中扩散步骤采用硅磷一次性负压扩散，并采用湿法制绒，铂扩散采用涂铂源，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作FRGPP芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；FRGPP芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
一种采用印刷工艺制作 frgpp 芯片方法

[发明专利]一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺-CN201711059107.3有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷硼一次扩散制绒，对扩散前处理后的硅片一面扩散磷扩散源，另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源，并进行硅片制绒；S2铂扩散，对磷硼一次扩散制绒后的硅片扩散铂扩散源。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种 frgpp 芯片玻钝前多重扩散工艺

[发明专利]一种扩散用硼铝源及其配置方法-CN201811587334.8有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供一种扩散用硼铝源，包括重量百分比为8‑30％的硼源，重量百分比为1‑5％的铝源，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置扩散用硼铝源的方法，将硼源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼源溶液；将铝源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得铝源溶液；将所述过饱和的硼源溶液与所述铝源溶液混合。本发明提供的扩散用硼铝源的配置方法简单易操作，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr(反向恢复时间)值，硅片扩散合格率高，有效提升硅片性能质量。
一种扩散用硼铝源及其配置方法

[发明专利]一种硼铝源及其配置方法-CN201811587338.6有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供了一种硼铝源，包括重量百分比为8‑25％的硼化合物，重量百分比为1‑3％的铝化合物，重量百分比为0.2‑1％的硅化合物，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置硼铝源的方法，将硼源原料和溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼化合物溶液；将铝源原料和溶剂放入同一容器中，制得铝化合物溶液；将硅化合物原料和溶剂放入同一容器中，制得硅化合物；将过饱和的硼化合物溶液、铝化合物溶液和硅化合物溶液混合。本发明提供的硼铝源的配置方法，加入二氧化硅使制得的硼铝源变得更浓稠，更易涂匀，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr值，扩散合格率高，提升硅片电性能。
一种硼铝源及其配置方法

[发明专利]一种半导体器件玻璃钝化层所用浆料及其制备方法-CN201811587571.4有效
发明人：王晓捧;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;李豆;王晓伟;张雅楠;于涛;张伟建;张俊芳 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C09D11/03 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件玻璃钝化层所用浆料，按重量计，包括以下组分：丁基卡必醇:30‑35％；乙基纤维素：1.2‑4％；润滑剂：0.05‑0.5％；触变剂：0.6‑1.4％；玻璃粉：60‑65％；所述玻璃粉为SiO2颗粒，其大小为2‑30μm。还包括其制备方法，该浆料是通过将乙基纤维素和润滑剂溶于含有丁基卡必醇的醇液中加热混合搅拌，然后依次加入触变剂和玻璃粉，经恒温搅拌混合后制成。本发明利用该浆料印刷的玻璃钝化保护层具有良好的完整性、厚度均匀性，同时亦可保证电极面上的电压合格。
一种半导体器件玻璃钝化所用浆料及其制备方法

[发明专利]一种采用印刷工艺制作单向TVS芯片的方法-CN201711057472.0有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用印刷工艺制作单向TVS芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，二次扩散制绒，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中硼扩散步骤采用负压扩散，并采用湿法制绒或激光制绒，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作单向TVS芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；单向TVS芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
一种采用印刷工艺制作单向 tvs 芯片方法

[发明专利]一种半导体器件两次丝网印刷方法-CN201811533996.7有效
发明人：史丽萍;王晓捧;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;李豆;赵钰 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件两次丝网印刷方法，其步骤包括：S1：印刷；S2：烘干；S3：烧结；S4：再次印刷；S5：再次烘干；S6：再次烧结。本发明两次印刷过程中，刮刀印刷方向的切入口均为印刷网版上相对应沟槽的正四边形的任意一边上的点，且刮刀的印刷方向与该切入点所在边垂直,同时调整两次玻璃浆料的配比，使S4所用玻璃浆料的粘稠度大于S1所用玻璃浆料的粘稠度，并分别对涂覆后的玻璃浆料进行烘干、烧结，使硅片沟槽处形成双层的玻璃钝化层，能有效解决沟槽尖角处硼结裸露及沟槽底部硅裸露的问题，使沟槽内玻璃钝化层覆盖更全面，PN结的钝化保护更完全，增强了产品的稳定性和可靠性，提高了产品的合格率。
一种半导体器件两次丝网印刷方法

[实用新型]一种新型IGBT器件结构-CN202220750391.9有效
发明人：王万礼;刘晓芳;刘丽媛;张新玲;徐长坡 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型IGBT器件结构，包括衬底、平面栅结构和多个沟槽栅结构，多个沟槽栅结构设于平面栅结构的两侧，平面栅结构与多个沟槽栅结构均设于衬底正面上。本实用新型的有益效果是采用平面栅结构和沟槽栅结构的混合结构，在保证器件静态参数基本不变的情况下达到更高的耐短路能够力和更加优化的动态特性。
一种新型 igbt 器件结构

[发明专利]一种新型IGBT器件的制备工艺-CN202210343230.2在审
发明人：王万礼;刘丽媛;张新玲;陈海洋;徐长坡 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种新型IGBT器件的制备工艺，在衬底上进行沟槽刻蚀后，进行多晶硅掺杂、刻蚀，形成平面栅区域，平面栅区域形成后，进行P阱及N阱注入。本发明的有益效果是采用平面栅结构和沟槽栅结构的混合结构，在保证器件静态参数基本不变的情况下达到更高的耐短路能够力和更加优化的动态特性。
一种新型 igbt 器件制备工艺

[发明专利]一种肖特基的制造方法-CN201910601302.7有效
发明人：王万礼;宋楠;陈海洋;乐春林;刘闯;刘文彬;刘晓芳;徐长坡 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基的制造方法，包括以下步骤：S1：在衬底材料上淀积一层介质膜；S2：场限环光刻，并进行离子注入；S3：场限环区域刻蚀；S4：介质膜剥离；S5：金属层沉积；S6：进行金属光刻及刻蚀。本发明的有益效果是对场限环区域进行刻蚀，相对于现有制备工艺，在工艺流程上减少一次光刻，提高生产率，降低生产成本，解决制造瓶颈设备光刻机的占用时间。
一种肖特基制造方法

[实用新型]一种减少SiO2表面颗粒的通气管路-CN202123374427.2有效
发明人：赵晓丽;郉锡祥;张馨予;戴明磊;杜宏强;王维;刘晓芳;王正芳 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种减少SiO2表面颗粒的通气管路，包括依次设置的TEOS装载容器、TEOS存储装置以及TEOS分解装置，TEOS装载容器与TEOS存储装置之间设有第一管路，TEOS存储装置与TEOS分解装置之间设有第二管路，其中：TEOS装载容器内设有氦气通入管路；第一管路上设有第一阀；第二管路上依次设有第二阀、流量计以及吹扫气体通入管路，其中，流量计与TEOS分解装置之间的进气口之间设有控制阀；TEOS分解装置内设有弥散管，弥散管与第二管路连通设置。本实用新型的有益效果是使得LPCVD制备出的SiO2膜厚在范围内且膜表面的颗粒(粒径0.3um)小于300颗。
一种减少 sio2 表面颗粒通气管路

[发明专利]一种减少SiO2-CN202111642178.2在审
发明人：赵晓丽;郉锡祥;张馨予;戴明磊;杜宏强;王维;刘晓芳;王正芳 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种减少SiO2表面颗粒的通气管路及方法，包括依次设置的TEOS装载容器、TEOS存储装置以及TEOS分解装置，TEOS装载容器与TEOS存储装置之间设有第一管路，TEOS存储装置与TEOS分解装置之间设有第二管路，其中：TEOS装载容器内设有氦气通入管路；第一管路上设有第一阀；第二管路上依次设有第二阀、流量计以及吹扫气体通入管路，其中，流量计与TEOS分解装置之间的进气口之间设有控制阀；TEOS分解装置内设有弥散管，弥散管与第二管路连通设置。本发明的有益效果是使得LPCVD制备出的SiO2膜厚在范围内且膜表面的颗粒(粒径0.3um)小于300颗。
一种减少 sio base sub

[发明专利]一种提高芯片预烧焊产能工艺-CN201711059156.7有效
发明人：王鹏;梁效峰;宋楠;徐长坡;陈澄;杨玉聪;王晓捧;朱建佶 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高芯片预烧焊产能工艺，该方法包括如下步骤：S1.助焊剂喷涂：于待喷涂石墨模具表面喷涂助焊剂，形成待预烧焊石墨模具，将多个待预烧焊石墨模具叠放形成待预烧焊石墨模具组；S2.芯片预烧焊：将待预烧焊石墨模具组送入预烧焊炉中进行预烧焊。本发明芯片预烧焊焊接时在石墨板下层加一层铝箔并用2～4层石墨板烧结预焊，预烧焊后不良率降低到1％甚至以下，且生产产能至少提高2倍。
一种提高芯片烧焊产能工艺

[发明专利]一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法-CN201710615726.X有效
发明人：徐长坡;王彦君;孙晨光;陈澄;武卫;梁效峰;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏;徐艳超;杨玉聪;张庆东 -专利权人： 天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，扩散制绒，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中扩散步骤采用硅磷一次性负压扩散，并采用湿法制绒，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作GPP芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；GPP芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
一种采用印刷工艺制作 gpp 芯片方法

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