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[发明专利]碳化硅Mosfet器件及其制备方法-CN202310842642.5在审
发明人： 廖奇泊;杨硕 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅Mosfet器件及其制备方法，包括：半导体衬体，以及位于半导体衬体上的漂移区；所述漂移区上设置有体区，在所述体区中依次垂直设置的体区内重掺引出和源区，且所述体区、体区内重掺引出以及源区沿中轴线对称设置；还包括设置在漂移区表面且横跨体区和源区的栅极结构，覆盖设置在栅极结构和源区上的隔离层，以及在隔离层中间通过浅槽刻蚀形成的源区引线，所述源区引线的深度大于源区深度且小于体区内重掺引出的深度。相较于现有技术中体区内重掺引出与源区采用水平结构，本发明中体区内重掺引出与源区为垂直结构，有效的减小器件尺寸，降低生产成本。
碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

[实用新型]带有磁力分压环的功率器件-CN202321061249.4有效
发明人：马志勇;廖奇泊;封国立 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种带有磁力分压环的功率器件，包括：功率器件主单元，第一分压环单元以及第二分压环单元；所述第一分压环单元环绕设置在所述功率器件主单元四周，所述第二分压环单元设置在所述第一分压环单元的外围，且所述第二分压环单元沿顺时针或逆时针螺旋设置。本实用新型提供的半导体功率器件的结构通过改变分压环的基本形态，利用由分压环形成的螺旋向外导通的电子通路，增加传统分压环不具备的磁场性能，因其流动方向的顺向和逆向，从而在芯片的正面形成S级或N极的磁场，对芯片工作环境中部分不可避免的游离电子产生吸引、排斥或偏转的效果。
带有磁力分压环功率器件

[发明专利]带有磁力分压环的功率器件-CN202310499190.5在审
发明人：马志勇;廖奇泊;封国立 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有磁力分压环的功率器件，包括：功率器件主单元，第一分压环单元以及第二分压环单元；所述第一分压环单元环绕设置在所述功率器件主单元四周，所述第二分压环单元设置在所述第一分压环单元的外围，且所述第二分压环单元沿顺时针或逆时针螺旋设置。本发明提供的半导体功率器件的结构通过改变分压环的基本形态，利用由分压环形成的螺旋向外导通的电子通路，增加传统分压环不具备的磁场性能，因其流动方向的顺向和逆向，从而在芯片的正面形成S级或N极的磁场，对芯片工作环境中部分不可避免的游离电子产生吸引、排斥或偏转的效果。
带有磁力分压环功率器件

[实用新型]碳化硅功率器件-CN202320269252.9有效
发明人：马志勇;廖奇泊;封国立 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅功率器件，包括：分压环结构和单胞结构；单胞结构包括第一横向结构、竖向结构以及弧形结构；第一横向结构的一端连接设置在分压环结构上，竖向结构的两端分别连接设置在分压环结构和第一横向结构上；第一横向结构和竖向结构设置在分压环结构的弯角位置处，第一横向结构、竖向结构以及分压环结构的弯角部之间形成独立单胞区域；弧形结构连接设置在第一横向结构和竖向结构上，弧形结构位于独立单胞区域内。本实用新型能够解决传统梳状结构器件存在的角落位置电场强度分布不均的问题。
碳化硅功率器件

[发明专利]降低导通电阻的SiC MPS结构及制备方法-CN201911150520.X有效
发明人：陈俊峰;杨培新;廖奇泊 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低导通电阻的SiC MPS结构及制备方法，包括：N型衬底和成型于所述N型衬底上表面的N型外延层，所述N型外延层的上表面开设有沟槽；所述沟槽的底部成型有P型掺杂区；所述N型外延层的上表面以及所述沟槽内成型有正面金属层，所述正面金属层与所述N型外延层肖特基接触，所述正面金属层与所述P型掺杂区欧姆接触。本发明节省了P型注入和P型注入区的欧姆接触区域的光刻制程；改善了MPS在低导通状态的导通电阻增加的问题。
降低通电 sic mps 结构制备方法

[发明专利]具有外延层特性的SiC衬底的制备方法及SiC衬底-CN202310050190.7在审
发明人： 廖奇泊;颜亮;马志勇;尚金燕 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有外延层特性的SiC衬底的制备方法及SiC衬底，包括：步骤1：通过顶部籽晶助熔剂法中调控SiC台阶流生长方向来制备的无掺杂SiC衬底；步骤2：通过中子嬗变掺杂控制掺杂浓度与方向，对无掺杂SiC衬底进行掺杂，得到掺杂SiC衬底；步骤3：对掺杂SiC衬底进行激光退火或超高温退火，得到SiC衬底。
具有外延特性 sic 衬底制备方法

[实用新型]沟槽JBS/MPS二极管-CN202223148984.7有效
发明人：马志勇;杨碧博;廖奇泊 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种沟槽JBS/MPS二极管，包括：N+衬底层；N‑外延层，设置于所述N+衬底层的上表面，所述N‑外延层的上部设置有沟槽；P+区，设置于所述沟槽的底面；N+区，设置于所述N‑外延层的上表面、所述P+区的上表面以及所述沟槽的侧壁，位于所述P+区的上表面的所述N+区的部分开设有欧姆接触或肖特基接触图形，露出部分所述P+区。本实用新型通过对源区设置沟槽结构及多层外延，改善器件电场分布，减少尖端电场密度，提高器件的可靠性。
沟槽 jbs mps 二极管

[发明专利]沟槽JBS/MPS二极管及制造方法-CN202211475477.6在审
发明人：马志勇;杨碧博;廖奇泊 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽JBS/MPS二极管及制造方法，包括：N+衬底层；N‑外延层，设置于所述N+衬底层的上表面，所述N‑外延层的上部设置有沟槽；P+区，设置于所述沟槽的底面；N+区，设置于所述N‑外延层的上表面、所述P+区的上表面以及所述沟槽的侧壁，位于所述P+区的上表面的所述N+区的部分开设有欧姆接触或肖特基接触图形，露出部分所述P+区。本发明通过对源区设置沟槽JBS/MPS结构及多层外延工艺，改善器件电场分布，减少尖端电场密度，提高器件的可靠性；通过更改N+区掺杂浓度来灵活调整器件正向压降；调整多层外延的掺杂浓度，提高产品设计的灵活性和多样性。
沟槽 jbs mps 二极管制造方法

[实用新型]功率晶体管串接电路-CN202122865733.X有效
发明人：曾铭钦;廖奇泊 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率晶体管串接电路，第一功率晶体管的源极接地，漏极连接第二功率晶体管的源极、稳压二极管以及第一电阻；第一电阻连接脉冲电压、第一高压整流二极管；第一高压整流二极管的负极连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接第二功率晶体管的栅极、稳压二极管的负极以及第二高压整流二极管的正极；第二高压整流二极管的负极连接输入电压；第二功率晶体管的漏极和第二高压整流二极管的负极作为变压器初级线圈的第一端口和第二端口；变压器次级线圈的第一端口和第二端口分别连接输出电压和低压整流二极管的正极，低压整流二极管的负极连接输出电压。本实用新型能够解决现有功率晶体管耐压不足，无法实现高电压应用场合的问题。
功率晶体管电路

[发明专利]碳化硅二极管及制造方法-CN202110802475.2在审
发明人：陈俊峰;廖奇泊;陈本昌 -专利权人：淄博绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅二极管及制造方法，包括：晶圆基底层、晶圆外延层、掺杂区、掺杂多晶硅、第一层金属层、正面金属层、正面护层和背面金属；晶圆基底层一侧相邻晶圆外延层一侧；晶圆基底层另一侧设置背面金属，背面金属和晶圆基底层之间设置晶背欧姆接触；晶圆外延层另一侧设置多个凹槽，凹槽底部设置为掺杂区，凹槽顶部所在平面和凹槽侧面设置掺杂多晶硅；掺杂区和掺杂多晶硅外侧设置第一层金属层，第一层金属层外侧设置正面金属层，正面金属层外侧设置正面护层。本发明由于界面特性不受高温影响，因此优化工艺流程，减少晶圆减薄后的工艺步骤。
碳化硅二极管制造方法

[实用新型]一种等离子体退火设备-CN202022876090.4有效
发明人： 廖奇泊 -专利权人：淄博绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种等离子体退火设备，包括真空腔室和退火腔室，所述真空腔室位于退火腔室上方，且所述真空腔室与退火腔室之间连通有连通口，所述真空腔室连通有进气管，所述真空腔室内设置有等离子源，所述等离子源位于进气管在真空腔室侧壁上的管口的下侧，且所述真空腔室内还设置有磁场过滤组件，所述退火腔室内设置有用于放置硅片的基台，所述基台上设置有下部电极，且所述基台位于连接口的正下方，且所述退火腔室上还设置有温度调节装置以及压力调节组件。实现在低温条件下对放置在基台上的硅片栅氧化层进行退火处理，减少了栅氧化层中的缺陷，进而有助于提高退火效果。
一种等离子体退火设备

[实用新型]简易型瞬间高电流检测器-CN202021278627.0有效
发明人：曾铭钦;赖建岳;梁能;廖奇泊 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种简易型瞬间高电流检测器，包括：PCB板，所述PCB板与电池电连接，所述PCB板上电连接有待测MOSFET；电流互感器，两端分别连接示波器；输出导线，所述输出导线穿过所述电流互感器，两端分别连接在所述PCB板上；闸刀开关，串联在所述输出导线上；电子负载，串联在所述输出导线上。本实用新型结构简单，危险系数低，几乎为0，操作方便，相比专用的检测仪器仪表成本低廉。
简易瞬间电流检测器

[发明专利]一种等离子体退火设备及方法-CN202011403008.4在审
发明人： 廖奇泊 -专利权人：淄博绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体退火设备及方法，包括真空腔室和退火腔室，且真空腔室与退火腔室之间连通有连通口，真空腔室连通有进气管，真空腔室内设置有等离子源，等离子源位于进气管管口的下侧，且真空腔室内还设置有磁场过滤组件，退火腔室内设置有基台，基台上设置有下部电极，且所述退火腔室上还设置有温度调节装置以及压力调节组件；还包括以下步骤：S1:将硅片放置在基台上；S2：选择多孔板并安装在真空腔室内；S3:将线圈通电；S4：将混合气体通入真空腔室内并启动等离子源；S5：调节下部电极偏压的大小,从而控制等离子体的能量；S6：通过温度调节装置和压力调节组件调节真空腔室内的温度和压强，直至形成超临界气体，从而有助于提高退火效果。
一种等离子体退火设备方法

[实用新型]防倒灌电路和用电设备-CN202020304926.0有效
发明人：张木林;梁能;洪绍鑫;赖建岳;廖奇泊 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防倒灌电路和用电设备，包括：功率电路、采样电路和控制电路；所述采样电路的连接输入电压Vin，并通过所述功率电路连接所述控制电路，从而控制所述控制电路中的PMOS管Q1。本实用新型的防倒灌电路结构简单，防倒灌效果可靠，便于推广应用。
倒灌电路用电设备

[实用新型]针对BMS的简易型电池模拟测试设备-CN201922213671.7有效
发明人：赖建岳;梁能;陈本昌;廖奇泊 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G01R31/385 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种针对BMS的简易型电池模拟测试设备，其中，设备将BMS连接到测试板上指定的端子后，就能够针对待测试BMS中的电池串数进行测试验证检修，包括电池模拟电路；所述电池模拟电路包括直流电源和N个电池单元；N个所述电池单元依次串接在直流电源正极B+和直流电源负极B‑之间；所述电池单元包括并联的接线端子和电阻；其中，N为正整数，且N不小于待测试BMS中的电池串数。
针对 bms 简易电池模拟测试设备

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