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[发明专利]一种PERC电池的制备方法-CN202310593460.9在审
发明人：夏斯阳;董龙辉;李松江;冯德魁;苏晓峰;卞强 -专利权人：盐城天合国能光伏科技有限公司;天合光能股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种PERC电池的制备方法，包括：对硅片表面进行清洗和制绒处理，并在硅片表面通过扩散工艺形成PN结；对所述硅片表面进行激光掺杂，并进行氧化处理；去除硅片背面的扩散后PN结并进行抛光处理，并去除硅片正面的磷硅玻璃；对硅片进行退火处理；在硅片背面通过第一流量比例的硅烷和氨气在第二设定温度区间内的温度值下反应第三设定时长，沉积形成第四设定厚度的第一氮化硅层；在硅片正面沉积形成第二氮化硅层。本发明能够实现光伏电池的背面钝化膜的有效制备，提升钝化能力，并降低背面折射率。
一种 perc 电池制备方法

[发明专利]电池片的色差识别方法及装置-CN202310940285.6在审
发明人：高纪凡;夏斯阳;李松江;潘闻景;冯德魁;郭超;卞强 -专利权人：盐城天合国能光伏科技有限公司;天合光能股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T7/90 文献下载
摘要：本申请提供了一种电池片的色差识别方法及装置。其中，方法包括：获取从第一组件的上方拍摄第一组件得到的第一图像和从第二组件的上方拍摄第二组件得到的第二图像；第一组件包括由上至下叠加在一起的美学玻璃、待检测电池片、背板；第二组件包括由上至下叠加在一起的美学玻璃、标准电池片、背板；基于第一图像和第二图像，对待检测电池片进行色差识别。该方法，对待检测电池片和标准电池片构建了与晶体硅太阳能电池一致的结构，相当于对电池片串进行了是否符合美学要求的色差识别，实际生产时，只要使用与标准电池片之间不存在色差的电池片组成晶体硅太阳能电池，电池就可以符合美学要求，从而可以极大地降低电池的抛砖比例，适用性更好。
电池色差识别方法装置

[发明专利]晶硅太阳电池片及其制作方法、晶硅太阳电池-CN202310978927.1在审
发明人：夏斯阳;李松江;冯德魁;潘闻景;郭超;孟承启;卞强;董龙辉 -专利权人：盐城天合国能光伏科技有限公司;天合光能股份有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶硅太阳电池片及其制作方法、晶硅太阳电池，晶硅太阳电池片的制作方法包括如下步骤：提供经预处理后的硅片，将经预处理后的硅片置于热氧化设备中进行热氧化处理，热氧化处理包括依次进行的第一恒温阶段、第二恒温阶段、升温阶段、第一氧化阶段、第二氧化阶段、第三氧化阶段以及第三恒温阶段；热氧化设备具有至少一个温区，在热氧化处理的过程中，同一温区在各阶段的温度满足以下关系：第一恒温阶段的温度≤第二恒温阶段的温度＜升温阶段的温度；升温阶段的温度≥第一氧化阶段的温度；第一氧化阶段的温度≤第二氧化阶段的温度≤第三氧化阶段的温度；第三氧化阶段的温度≥第三恒温阶段的温度。
太阳电池及其制作方法

[发明专利]晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN202310964618.9在审
发明人：潘闻景;简磊;夏斯阳;王榕;董龙辉;冯德魁;辛体伟;郭超;李松江 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法。可以在提高减反射效果的同时，促进硅电池片表面的电子迁移和传输，从而可以提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。一种晶体硅太阳能电池，包括：硅基底层，以及设置于所述硅基底层表面一侧的减反射层，所述减反射层包括多层材料层；沿逐渐远离所述硅基底层的方向，所述多层材料层包括依次层叠的第一材料层和第二材料层；其中，所述第二材料层的折射率小于所述第一材料层的折射率，且所述第一材料层的材料包括：TiO2和掺杂离子，所述第二材料层的材料包括：氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种，所述掺杂离子包括：碱金属和/或碱土金属离子。
晶体太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种太阳能电池片及光伏组件-CN202321132634.3有效
发明人：高纪凡;李松江;简磊;丁留伟;董龙辉;卞强;苏晓峰;夏斯阳;冯德魁;孟承启 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池片及光伏组件。包括电池片本体以及在电池片本体的预设区域设置的栅线结构。栅线结构包括：副栅群，包括在所述预设区域内沿纵向方向间隔排布的多条副栅线；主栅群，包括在所述预设区域内沿横向方向间隔排布的多条主栅线，其中任意两条相邻的主栅线将副栅群的形成区域划分出一个防断栅布设区；以及防断栅群，包括：在每一防断栅布设区内，沿主栅线走线方向布设的至少一条第一防断栅；其中每一所述第一防断栅包括多段防断栅线段，每一防断栅线段连接相邻的两个条副栅线，且相邻两段所述防断栅线段之间间隔至少一条副栅线。基于该栅线结构设计方式制备出的电池片，减小了遮光面积和浆料使用量，进而节省成本。
一种太阳能电池组件

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN202310879360.2在审
发明人：李松江;简磊;夏斯阳;冯德魁;孟承启;郭超;董龙辉;辛体伟;王榕;潘闻景 -专利权人：盐城天合国能光伏科技有限公司;天合光能股份有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本公开实施例中提供太阳能电池及其制造方法，其中太阳能电池包括光电转换部及设置于所述光电转换部表面的多条栅线；所述光电转换部在如下至少一种栅线位置设置有激光掺杂区：主栅线的边缘位置；细栅线下方，其中设置于所述细栅线下方的多个所述激光掺杂区沿所述细栅线的延伸方向接触连接；所述主栅线首尾两端的鱼叉结构下方。主栅线位置的激光掺杂区选择性设置，进而降低主栅线与光电转换部之间的接触电阻，从而带来良好的载流收集，并能够提供更多的复合中心。设置于细栅线下方及鱼叉结构下方的激光掺杂区形成重掺杂区，那么其周围的光电转换部区域为轻掺杂区，这两个区域之间形成高低结，有利于光生载流子的收集。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]减反射膜的制作方法及太阳能电池-CN202310399487.4在审
发明人：高纪凡;夏斯阳;李松江;冯德魁;董龙辉;潘闻景;郭超 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种减反射膜的制作方法及太阳能电池。减反射膜的制作方法包括：利用硅烷和氨气作为反应气体，在基底上形成第一氮化硅层；利用硅烷和氨气作为反应气体，在第一氮化硅层背离基底的一侧表面形成第二氮化硅层；利用硅烷、氨气和笑气作为反应气体，在第二氮化硅层背离第一氮化硅层的一侧表面形成氮氧化硅层；其中，在形成第一氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3；在形成第二氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:9～1:7；在形成氮氧化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3。本发明中，减反射膜的膜层均匀性较好、电性能较佳。
减反射膜制作方法太阳能电池

[发明专利]扩散方法及太阳能电池制作方法-CN202310293657.0在审
发明人： 冯德魁;简磊;丁留伟;苏晓峰;卞强;董龙辉;李松江;夏斯阳 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本公开实施例中提供扩散方法及太阳能电池制作方法，扩散方法包括至少两步扩散工艺，每步扩散工艺还包括如下步骤：在将硅片放入扩散炉的情况下，向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散，对扩散炉内进行升温，使磷向硅片内部推进，基于升温末端温度对扩散炉内进行降温，并在降温时通入氧气以对硅片进行变温含氧推进，在经过至少两步通源推进过程之后，对扩散炉内进行降温之后，打开扩散炉取出硅片。在变温含氧推进过程中，通过降温，可以降低磷扩散速度，有利于形成浅结，同时提高扩散均匀性。同时，通过降温，较低的温度能够让杂质更好地分凝到吸杂区域，提高对于硅片的吸杂作用，减少硅片内部的复合中心，提升太阳能电池的光电转换效率。
扩散方法太阳能电池制作方法

[实用新型]一种制绒槽-CN202223529214.7有效
发明人： 冯德魁;简磊 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供一种制绒槽，包括槽体以及位于所述槽体内的鼓泡管；其中，所述槽体内设有硅片反应区，所述鼓泡管位于所述硅片反应区靠近所述槽体的底部的一侧；所述鼓泡管的管壁贯穿设有鼓泡孔；其中，所述鼓泡孔的鼓泡方向与第一方向之间夹角大于等于90°且小于180°；其中，所述第一方向平行于所述槽体的底部指向所述硅片反应区的方向。在上述技术方案中，通过对鼓泡孔的鼓泡方向与第一方向夹角角度的设计，以使鼓泡孔鼓出的气泡所受的气流推力避开硅片反应区，改善气泡直接朝向硅片反应区冲击硅片以使硅片碎裂的现象。
一种制绒槽

[发明专利]监测晶圆托盘平整性的方法-CN200610147626.0有效
发明人：杨金坡;袁烽;梁国亮;冯德魁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种监测晶圆托盘平整性的方法，该晶圆托盘上吸附测试晶圆，其中，该方法通过监测测试晶圆是否变形来监测晶圆托盘是否平整。与现有技术相比，本发明提供的监测方法可以实时监控晶圆托盘，且该方法采用在一个参照晶圆与吸附晶圆托盘上的晶圆比较，其过程较为简单，无需专用的设备和软件，可以有效地降低生产成本。
监测托盘平整方法

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