[发明专利]杂质导入方法和杂质导入装置无效
| 申请号： | 200510092358.2 | 申请日： | 2005-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1741251A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;金成国;佐佐木雄一朗;冈下胜己;前嶋聪;中山一郎;水野文二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质 导入 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种杂质导入方法，其特征在于，包括：向试料照射紫外线的工序；向所述试料表面供给杂质离子的工序；加热所述试料的表面进行活性化的工序。
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- 2021-11-23 - 2022-02-11 - H01L21/22
- 本发明公开了一种复合磷扩散源及其制备方法和半导体掺杂加工的方法，这种复合磷扩散源按质量份数由正硅酸乙酯20‑22份，乙酸乙酯20‑40份，五氧化二磷1‑11份，乙醇35‑40份，水3‑5份混合而成。这种扩散源可以通过控制膜厚及复合磷扩散源中磷的含量来实现磷掺杂浓度的精确控制。并且更加环保，扩散过程中不需要离子注入机的参与，减少了该设备的资金投入，且操作简单，整个扩散工艺都在扩散炉中一次完成，不需二次退火，且可以满足大结深产品的加工需求，提高了生产效率。
- 基于加大PN结结深的低压扩散工艺-202111461636.2
- 钱小芳;徐建华;吴仕梁;路忠林;张凤鸣;职森森 - 南京日托光伏新能源有限公司
- 2021-12-02 - 2021-12-31 - H01L21/22
- 本发明提供了一种基于加大PN结结深的低压扩散工艺，包括进舟、预升温、预氧化、低温第一步扩散、升温第二步扩散、升温第三步扩散、降温推进、恒温第四步扩散、恒温氧化、降温氧化、出舟，其中，低温第一步扩散、升温第二步扩散、升温第三步扩散采用不同时间不同比例不同温度的扩散方式，按先后顺序采用的时间比例为3:2:1，温度逐步升高，小氮和氧气按比例调整流量，小氮占比逐步提高，两者流量之和保持一致。本发明通过边通源边推进的方法，不但可以规避高温推进过程中快速升温带来的温度波动造成的硅片片间不均匀性大的风险，而且可以加大N型杂质往P型硅基底扩散的速度，在相同的扩散时间内制备出更深的PN结。
- 外延层及N型鳍式场效应晶体管的制备方法-201810539293.9
- 刘熙 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 2018-05-30 - 2021-12-14 - H01L21/22
- 本发明提供了一种制备高浓度磷掺杂的硅外延层的方法，涉及半导体制造加工工艺领域。该方法首先通过低压化学气相沉积方法生长普通浓度磷掺杂的硅外延层，再通过气相原子层沉积方法在所述硅外延层表面接枝并吸附多分子层的磷‑卟啉配合物，并通过快速热退火工艺，将磷‑卟啉配合物中的磷原子扩散入硅磷外延层中，该工艺方法可大幅提高硅磷外延层中磷原子的掺杂浓度，提高其中载流子的迁移效率,同时降低接触电阻。
- 一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺-201711057754.0
- 梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 - 天津环鑫科技发展有限公司
- 2017-11-01 - 2021-09-07 - H01L21/22
- 本发明公开了一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷扩散，对硅片表面预沉积磷扩散源并扩散；S2硼扩散，以印刷的方式涂布在所述硅片的待扩硼面涂硼源并扩散；S3制绒，使得硅片表面的粗糙度增加，为硅片后续玻钝工艺中保护胶的涂覆提供涂覆基础。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片待扩硼面印刷硼扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
