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- [发明专利]一种自动染色装置-CN202310943614.2在审
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李诗淇;罗俊一
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上海积塔半导体有限公司
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2023-07-28
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2023-10-27
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G01N1/31
- 本申请提供一种自动染色装置，涉及工业处理设备技术领域。所述自动染色装置，包括光照装置、光控开关、驱动装置、插销、槽体和至少一个样品网，所述光照装置用于驱动所述光控开关的开启或关闭；所述光控开关用于控制所述驱动装置的启停，所述插销一端与所述驱动装置联动，在所述驱动装置启停前，所述插销的主体部分架起所述槽体的一端使得所述槽体水平放置；所述样品网置于所述槽体内，所述样品网用于置放样品及染色剂；当在所述光照装置的光照作用下，所述光控开关启动所述驱动装置，使得所述样品与所述染色剂相接触自动发生染色反应，提升了染色工作效率和染色结果准确性，同时还减少了人员与混酸的接触，保障了人员安全。
- 一种自动染色装置
- [发明专利]金属硅化物的形成方法-CN202310809053.7在审
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高玉岐;刘峰松;吴茜
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上海积塔半导体有限公司
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2023-07-03
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2023-10-27
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H01L21/3205
- 本申请提供了一种金属硅化物的形成方法。所述方法包括如下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底表面具有金属层；对所述硅衬底进行第一次快速热退火，使得所述金属层与所述硅衬底反应形成金属硅化物层；去除所述硅衬底表面未反应的金属；对所述硅衬底在含氧气氛中进行第二次快速热退火，使得所述金属硅化物层发生相变。上述技术方案将所述衬底放置于含氧气氛中进行第二次热退火，含氧气氛中的氧会与金属硅化物反应生成氧化物覆盖于发生相变的金属硅化物层的表面，避免了快速热退火中金属硅化物表面的离子沾污，通过降低金属硅化物表面的离子沾污，解决了如何改善肖特基二极管的漏电电流的问题。
- 金属硅形成方法
- [发明专利]改善金属刻蚀后划片槽Ti残留的方法-CN202310850651.9在审
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王泽玉;李东;汪盼盼
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上海积塔半导体有限公司
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2023-07-11
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2023-10-20
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H01L21/3213
- 本申请提供一种改善金属刻蚀后划片槽Ti残留的方法，应用于芯片刻蚀的技术领域，其中，包括，提供一半导体器件，光刻胶涂覆于半导体器件的金属表面上，金属的表面存在晶界；采用惰性气体和Cl2同时对金属表面的光刻胶进行物理轰击和化学刻蚀。本申请通过使用惰性气体对金属表面的光刻胶进行轰击，晶界处的光刻胶远小于其他位置的光刻胶，晶界处的光刻胶在惰性气体和Cl2的轰击与刻蚀下被清除，避免因晶界处存在光刻胶导致晶界处与非晶界处刻蚀进度不同，导致划片槽处产生Ti残留，从而减少Ti对刻刀产生的损伤，晶界处的光刻胶被轰击清除，Cl2刻蚀铝所产生的副产物会和光刻胶混合形成聚合物附着在金属侧壁和光刻胶上对金属和其他位置的光刻胶进行保护。
- 改善金属刻蚀划片ti残留方法
- [发明专利]一种改善抗蚀剂层光刻形貌的方法-CN202310860993.9在审
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谢梦婷;李钊;阳黎明;黄永彬
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上海积塔半导体有限公司
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2023-07-13
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2023-10-20
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H01L21/02
- 本申请提供一种改善抗蚀剂层光刻形貌的方法，涉及半导体技术领域。所述改善抗蚀剂层光刻形貌的方法，在CVD制程中实现以下步骤，包括：S1：通入惰性气体对待成膜表面进行吹扫；S2：通入SiH4气体，待SiH4气体流量稳定后，通入NH3气体，并开启成膜开关；S3：待膜厚达到目标膜厚的预设比例之后，停止通入NH3气体，通入氧化性气体；S4：膜厚达到目标膜厚之后，先停止通入SiH4气体，再关闭成膜开关以及停止通入氧化性气体，改善了PR底部footing严重现象，优化了PR photo后形貌，仅需改动SiN depo recipe，无需额外增加mask掩膜和步骤，既能提升生产效率，提高晶片生产良率进而提升产能，同时又能节约制造成本。
- 一种改善抗蚀剂层光刻形貌方法
- [实用新型]垫材存放结构及设备维护推车-CN202321168986.4有效
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杨俊男;闫晓晖
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上海积塔半导体有限公司
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2023-05-15
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2023-10-20
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B65D25/10
- 本实用新型提供了一种垫材存放结构。所述垫材存放结构包括：设置在同一平面内的对置的固定架，用于从侧面固定垫材；第一垫架，所述第一垫架设置于所述固定架下方，所述第一垫架用于从底部支撑垫材；第二垫架，所述第二垫架可移动地设置于所述第一垫架与所述固定架之间，所述第二垫架用于从底部支撑折叠后的垫材。以上技术方案，设置第一垫架在固定架下方从而实现在底部支撑垫材，第二垫架可移动地设置于所述第一垫架与所述固定架之间，从而实现在底部支撑折叠后的垫材。对垫材进行竖直存放，并且设置了可支撑折叠存放垫材的第二垫架，可以对垫材进行合理收纳，从而实现节约空间的目的。
- 存放结构设备维护推车
- [实用新型]用于电子淋浴器的分段式石墨桶-CN202321311972.3有效
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王建;王守则
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上海积塔半导体有限公司
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2023-05-26
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2023-10-20
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H01J37/02
- 本实用新型提供了一种用于电子淋浴器的分段式石墨桶。所述分段式石墨桶设置于所述电子淋浴器的束流出口处，所述用于电子淋浴器的分段式石墨桶包括共轴设置的第一石墨环、第二石墨环以及第三石墨环；所述第一石墨环设置于所述束流出口处；所述第二石墨环与所述第一石墨环相邻设置、并位于所述第一石墨环远离所述束流出口处的一端；所述第三石墨环与所述第二石墨环相邻设置、并位于所述第二石墨环远离所述第一石墨环的一端。通过将传统的石墨桶替换为多个石墨环拼接形成的石墨桶，可以在石墨桶内壁光阻层过厚或者损耗时随时进行分段替换，使得电子淋浴器的电荷稳定，解除机台的工艺限制。
- 用于电子淋浴器段式石墨
- [实用新型]研磨设备的保湿装置-CN202321199878.3有效
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赵标;杨俊男;闫晓辉
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上海积塔半导体有限公司
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2023-05-17
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2023-10-17
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B24B37/34
- 本申请提供一种研磨设备的保湿装置，涉及研磨设备的技术领域，其包括水槽、阀门组件及软管；水槽设置在整修器手臂顶端，水槽的顶部凸起于水槽的其余部位，水槽的顶部设置有第一溢水口，第一溢水口使得水槽内储存的液体从顶部向水槽外部的两侧溢出；软管与水槽及阀门组件连通，软管用于向水槽内输送液体，阀门组件用于控制水槽的进液量；当整修器手臂摆动时，软管跟随整修器手臂摆动。通过在整修器手臂的顶端设置水槽，一方面可以对整修器手臂及其它部位进行保湿，另一方面，水槽的位置不会对耗材的维护产生影响，无需在耗材维护过程中拆卸并挪动位置，进而不存在重装后喷杆朝向安装错误的情况，有效减少停机时间，提高耗材更换的便利性。
- 研磨设备保湿装置
- [发明专利]半导体测试结构-CN202310800524.8在审
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曾繁中;宋永梁;董伟淳;刘倩倩
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上海积塔半导体有限公司
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2023-06-30
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2023-10-13
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H01L23/544
- 本发明提供了一种半导体测试结构。所述半导体测试结构包括：连通结构，所述连通结构包括至少两层堆叠的金属层，每一所述金属层形成间隔排布的金属条，且相邻两所述金属层相应的金属条之间通过位于所述金属条端部的接触孔相接；虚拟金属层，所述虚拟金属层包括多个阵列排布的虚拟金属块，所述虚拟金属块在所述连通结构上的投影与至少一金属条相交，并且暴露所述金属条端部的接触孔。上述技术方案通过在连通结构的金属条表面设置阵列排布的虚拟金属块，在保持局部的金属条密度的同时，避免遮挡接触孔，进而使得使用微光显微镜时，接触孔能够接收到红外激光，不会被虚拟金属块遮挡，便于观察及识别失效的接触孔。
- 半导体测试结构
- [发明专利]沟槽隔离结构的形成方法-CN202310848400.7在审
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刘聪;储郁冬
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上海积塔半导体有限公司
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2023-07-11
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2023-10-10
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H01L21/762
- 本申请提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。所述方法包括如下步骤：沟槽刻蚀步骤；沟槽填充步骤，于所述基底表面以及所述沟槽内沉积隔离材料形成隔离层，并通入溅射气体，对所述沟槽靠近所述预设掩模版的拐角处的隔离层进行轰击，以使得所述拐角处的隔离层的平坦度满足预设平坦阈值；以及平坦化步骤。本申请沟槽填充采用沉积加溅射模式，在保证沟槽填充能力的基础上，有效改善膜层表面均匀性；且通过采用通入过量氧气，以使部分氧气作为溅射气体的方式，可以减小对基底的轰击损害、降低气体管道的维护成本、减少设备耗材成本、降低产品成本、提高产品竞争力。
- 沟槽隔离结构形成方法
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